产品详细介绍JKZC-G2/3/6系列非接触式静电电压表校准装置关键词：非接触式，静电，静电装置1. 概述    随着工业技术特别是信息产业发展，静电对各部门的影响越来越大，静电电压表和静电场强表使用越来越多，对静电进行定期计量校准、标定检定是确保静电防护的基本条件。   JKZC-G系列静电电压表计量装置能迅速准确计量校准、标定检定目前国内外大部分的静电电压表和静电场强表.。标准型主要适用于电子、航天、兵器、国防等与电子元器件、电子设备相关的行业。高压型非接触式静电电压表主要适用于石油、化工、油库、消防、天燃气、印刷、纺织、印染、橡胶、塑料、生产、储运安全管理部门中有关静电电压表的校准。可以校对正和负极双极性静电电压表校对装置，完全符合国家军用标准GJB《非接触式静电电压表校准规程》要求。二、符合：完全符合国家军用标准GJB《非接触式静电电压表校准规程》；符合标准：JJF 1517-2015非接触式静电电压测量仪校准JJF 1517-2015三、产品特点：1.既可校准接触式静电电压表，也可校准计量非接触式静电电压表；2.完全符合国家军用标准GJB《非接触式静电电压表校准规程》；3.即可校准静电电压，也可校准静电场强；4.数字显示，分辨率高，分辨率和准确度高 ；5.稳定性好，体积小、重量轻；6.从0起连续可调，计量范围宽； 7.多重保护、操作安全放心；8.多功能夹具，可夹圆形或方形及平面的静电电压表、场强表的探头；9.全套包括静电标准源、标准电极、定位支架及直流高压分压器等　3.1正和负极双极性：JKZC-G2主要技术指标测量范围            0～±20kV 分压比精度          0.5级验收              0.3级最大允许误差        ±1%正高压电源输出电压量程        0-20KV  b：负高压电源输出电压量程        -20kV -0最小分辨率          ±1V稳定性              0.1% 电压调节细度        ≤10V刻度尺范围         （1~300）mm；电压输出误差        优于±1%刻度尺误差优于      ±（0.1~1）mm绝缘支架的绝缘电阻  >1TΩ绝缘支架的耐受电压  >25kV距离调节装置的调节细度≤0.2mmJKZC-G3主要技术指标测量范围            0～±30kV 分压比精度          0.5级验收              0.3级最大允许误差        ±1%正高压电源输出电压量程        0-30KV b：负高压电源输出电压量程        -20kV -0最小分辨率          ±1V稳定性              0.1% 电压调节细度        ≤10V刻度尺范围         （1~300）mm；电压输出误差        优于±0.001%刻度尺误差优于      ±（0.1~1）mm绝缘支架的绝缘电阻   >100TΩ绝缘支架的耐受电压   >50kV距离调节装置的调节细度≤0.1mm

电机通过V带传动蜗杆减速器和链传动带动传动轴转动，传动轴上的辊子也随之转动，通过其缠绕钢丝绳拉起摆杆，从而带动料斗升起，到顶部时碰到接斗，使料斗翻转，实现送料，蜗杆减速器输出轴还通过同步带传动和丝杠带动螺母来回移动，使行程开关接触或分离，实现升降限位。 TS-I型提斗上料装置获黑龙江省高等学校教学成果二等奖。 技术参数如下： ①电动机：功率P=180W，转速n=1400rpm； ②电源：380V，50Hz； ③蜗杆减速器：传动比i=50； ④V带传动：型号Z型，根数1，带长La=760mm； ⑤同步带传动：520-5M-10； ⑥滚子链传动：号06B，节距P=9.525； ⑦提升高度：H=400mm； ⑧外形尺寸：长x 宽x 高=1070㎜x 400㎜x 385㎜； ⑨重量：190kg。

蛋白酶体是细胞中用来调控特定蛋白质的浓度和清除错误折叠蛋白质的主要机制的核心组成部分，是细胞中最普遍的不可或缺的大型全酶超分子复合机器之一，也是迄今为止发现的最大的蛋白降解机器。人源蛋白酶体全酶包含至少64个亚基，由盖子 (Lid)和基座(Base)亚复合体组成的调控颗粒RP(Regulatory Particle)所激活。2016年，该课题组与其合作者在《美国科学院院刊》报道了人源蛋白酶体的基态近原子分辨的冷冻电镜结构，以及三个亚纳米分辨的RP-CP亚复合体亚稳或过渡态的共存结构，并首次发现其中一个亚稳态构象的CP的底物转运通道处于开放状态（见PNAS 2016, 113: 12991-12996）。这一发现被德国马普所Baumeister课题组及其合作者在2017年的一篇《美国科学院院刊》论文中通过酵母蛋白酶体全酶的冷冻电镜亚纳米精度分析进一步证实、引用和比较（见PNAS 2017, 114, 1305-1310）。然而，在这些工作中，CP开放态的全酶结构离近原子分辨还有较大距离，未能充分揭示人源蛋白酶体全酶的激活后的运动行为。毛有东、欧阳颀课题组及其合作者在前期工作的基础上，利用他们自主开发的基于统计流行算法的高性能计算软件ROME（见PLoS ONE 2017, 12:e0182130）与优化的冷冻电镜处理方法，对ATP-γS结合状态下的人源蛋白酶体的全酶冷冻电镜单颗粒数据展开了深入分析，得到了6个共存的动态结构，其中包括3.6埃分辨率的基态结构，3.5埃的开放态CP结构，和三个CP开放态对应的亚稳简并态全酶4.2埃，4.3埃和4.9埃的结构。另外两个中间态结构分辨率为7.0埃和5.8埃。三个CP开放态对应的全酶结构的主要差别在于位于RP的AAA-ATPase激酶马达模块，伴随其不同的构象变化，至少有四个ATP-γS分子稳定结合在不同的AAA-ATPase亚基上，为其在不同核酸结合状态下形成的非稳定动态构象提供了重要证据。该研究首次观察到位于AAA-ATPase激酶马达模块中心的底物转运通道呈现从螺旋到鞍形不同的拓扑结构变化，为进一步分析底物和蛋白酶体全酶的相互作用奠定了重要基础。人源蛋白酶体全酶AAA-ATPase马达模块中心的底物转运通道发生大幅度的拓扑变构

集成电路是微电子技术的核心，与国防和国民经济现代化, 乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成, 其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路, 是芯片的散热通道, 又是连结电路板的桥梁, 因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位，目前，由于集成电路向高密度, 高集成化方向发展, 芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进，对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求，过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料, 利用铜合金优良的传热性能, 加入少量强化元素, 通过固溶强化和弥散强化提高其强度, 同时仅稍微损失导热性能。目前，铜合金框架已成为主体，形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前，由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距，我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前，本课题组通过一系列研究，开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金，并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。 一、Cu-Ni-Si系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.导电率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.导电率：60～80%IACS。

本专利公开了一种无氰离子的电镀工艺，属于材料表面处理领域。该工艺本专利是采取新的电镀液，具有渗透性强、分散性好的特性。 铸件在整个电镀过程中，可以克服现有铸钢件电镀工艺的所有缺陷，实现铸件快速高效优质电镀，该工艺具有镀层厚度均匀、镀层光泽度好、镀层与铸件结合力牢固、镀层致密、镀层抗氧化能力好的特点，镀层的中性盐雾化试验、酸雾化试验达到国家规定的标准（96小时无腐蚀点）。目前该项技术已经发展成熟，有很大的推广应用价值。通过X射线能谱仪分析镀层的成分，具体分析谱图见附件。

高强度铝合金结构强韧性差一直是困扰航空航天、高速列车等重大装备的世纪难题。自从焊接技术发明以来，铝合金熔焊结构频繁发生疲劳破坏，根源在于损伤演化机理不明。

三维（3D）亲锂集流体可以调节锂金属负极中锂枝晶生长，然而目前大部分集流体的亲锂层在高温环境下使用熔融法预储存锂时面临着熔化或脱落的挑战。针对该问题，邓永红研究团队通过简单的去合金法制备了一种带有亲锂锌位点的3D多孔CuZn合金集流体。由于亲锂锌位点以量子点的形式存在于CuZn合金中，熔融法预锂化时亲锂锌位点不仅不会融化与脱落，反而由于锌对锂具有强

本发明公开了一种 3D 打印用金属基陶瓷相增强合金工具钢粉末 的制备方法，该合金工具钢粉末所含元素及质量百分含量为：C， 0.2-5％；Si，0.2-1％；Mn，0.1-1％；Ni，0.3-1％；Cr，3-25％；Mo， 0.2-15％；V，0.2-14.5％；W，0.3-15％；Co，1-18％；Nb，0.2-1％； 金属基陶瓷相金属元素，0.2-8％；铁，余量，所述制备方法如下：1) 将原料混合粉末熔化；2)脱氧处理；3)脱硫

本发明公开了一种 3D 打印用金属基陶瓷相增强合金工具钢粉末 的制备方法，该合金工具钢粉末所含元素及质量百分含量为：C， 0.2-5％；Si，0.2-1％；Mn，0.1-1％；Ni，0.3-1％；Cr，3-25％；Mo， 0.2-15％；V，0.2-14.5％；W，0.3-15％；Co，1-18％；Nb，0.2-1％； 金属基陶瓷相金属元素，0.2-8％；铁，余量，所述制备方法如下：1) 将原料混合粉末熔化；2)脱氧处理；3)脱硫

集成电路是微电子技术的核心，与国防和国民经济现代化，乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成，其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路，是芯片的散热通道，又是连结电路板的桥梁，因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位，目前，由于集成电路向高密度，高集成化方向发展，芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进，对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求，过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料，利用铜合金优良的传热性能，加入少量强化元素，通过固溶强化和弥散强化提高其强度，同时仅稍微损失导热性能。目前，铜合金框架已成为主体，形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前，由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距，我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前，本课题组通过一系列研究，开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金，并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。