|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
钛金属表面原位合成 TiC-DLC 复合涂层的方法
本发明公开了一种钛金属表面原位合成 TiC-DLC 复合涂层的方法，将 Ti 靶置于镀膜室内，并通入 烃类气体，对镀膜室抽真空并保持 100~400°C温度，采用电弧离子镀使 Ti 离子从 Ti 靶蒸发出来，同时 利用电弧放电离化烃类气体，从而在 Ti 靶形成 TiC 掺杂的 DLC 复合涂层。本发明采用原位合成技术在 Ti 靶材表
武汉大学
2021-04-14
一种蝴蝶形状钛酸钙颗粒的制备方法
钙钛矿结构氧化物因其具有多种化学、物理等性能而成为新型材 料研究的焦点。人们通过各种实验方法和理论研究了钙钛矿结构的超 导、介电、光催化、磁阻、铁电等性能。钛酸钙是被最早发现的钙钛 矿氧化物。其用途非常广泛，具有很好的生物相容性，可以促进细胞 增生、附着以及快速分化。具有较高的介电常数以及负温度系数，钛 酸钙被用作微波介电陶瓷的添加剂以提高器件的性能。在紫外线照射 下可以分解水制氢，光催化性能成为学者们研究的热点。
兰州大学
2021-04-14
一种钙钛矿薄膜光伏电池及其制备方法
本发明涉及一种钙钛矿薄膜光伏电池及其制备方法。所述的钙钛矿薄膜光伏电池是由导电透明衬底、 钙钛矿吸光层、空穴传输层和金属电极组成的。本发明的优点是：该钙钛矿薄膜光伏电池器件结构极其 简单，省去了传统的需要高温烧结的电子传输层，也不需要多孔层，钙钛矿材料本身既做吸光层也起电 子传输作用，所以不需要电子传输层。这里的钙钛矿材料对光具有非常强的吸收，整个电池也是低温制 备，不需要高温烧结等复杂过程，这有效地降低了电池的制作成本。对电池的柔性化和大面积
武汉大学
2021-04-14
石墨烯包覆钛酸锂材料及高性能超级电池
一、项目分类
显著效益成果转化
二、成果简介
本项目开创性地将石墨烯用于包覆钛酸锂，通过独特的加工工艺制得业内领先的石墨烯包覆钛酸锂材料，有效地解决了钛酸锂负极材料的产气问题，并以此为基础制得了高性能的钛酸锂超级电池。该电池单体可8C持续放电，20C脉冲放电，充放电循环大于30000次，10分钟可充电90%以上，低温性能优异（可在-40度环境下放电）。
石墨烯具有高导电性和优良的电化学稳定性，通过石墨烯的均匀包覆改善了钛酸锂的电子电导性，进而提升了电池的大倍率充放电能力和高低温性能。同时，石墨烯包覆降低了材料充放电过程中的极化，提高了材料的容量发挥，通过钝化钛酸锂材料表面的活性位点，解决了其产气问题。利用该负极材料做成钛酸锂超级电池，具有优异的倍率充放电性能、长寿命、高安全性能和优异的低温充放电性能。
本项目首先开发了石墨烯包覆的钛酸锂材料，采用高温固相法合成，X射线衍射图谱证明其为标准的钛酸锂尖晶石结构，微观上由100-200nm的一次颗粒组成的微米和亚微米级二次球形颗粒，D50为15±5μm，1C可逆容量大于155mAh/g。
获得了基于石墨烯包覆钛酸锂负极材料的钛酸锂超级电池，通过串并联成组后可以用于低温启动电源，轨道交通，储能等领域，在长寿命、高安全、快充和低温充放电领域具有广阔的应用前景。
南开大学
2022-07-29
第二届高等教育高质量发展论坛在重庆成功举办
11月15日，由中国高等教育学会指导、中国高等教育培训中心主办、国药励展展览有限责任公司承办、中国教育在线支持的“第二届高等教育高质量发展论坛”在重庆成功举办，该论坛是“第62届中国高等教育博览会”同期学术活动。中国高等教育学会副会长张大良出席论坛并致辞。
中国高等教育博览会
2024-11-19
催化合成乙烯基三氯硅烷以制备 乙烯基三乙（甲）氧基硅烷
技术原理和用途 ：利用乙炔和三氯氢硅进行催化加成，合成乙烯基三 氯硅烷。该化合物既是一种硅烷偶联剂，又是一种重要的有机硅单体，以 它为原料，可制得乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷等。这类硅 烷偶联剂，可用于玻璃纤维表面处理剂、密封剂、涂料、胶粘剂等，还可 用于聚乙烯、聚丙烯、不饱和聚酯等的改性。 技术特点 ：以 150 基本产品或原料，可生产一系列下游产品，有较大 的机动性，而且重点解决了催化剂的稳定性及选择性
南昌大学
2021-04-14
一种结合光子晶体的分支滚环扩增检测miRNA的方法
本发明公开了一种结合光子晶体的分支滚环扩增检测miRNA的方法。该方法由四个部分组成：a.制备点状光子晶体；b.5’端磷酸化的锁式探针的两末端与靶标miRNA互补配对后利用T4RNA ligase 2连接成环；c.以成环的锁式探针作为模板，靶标miRNA作为引物，在phi29DNA聚合酶的作用下发生线性滚环扩增，通过加入二级引物，使线性滚环扩增沿着支链方向扩增，达到信号进一步放大；d.往滚环扩增产物中加入SYBR GREENⅠ染料后加到点状光子晶体上进行检测。本发明通过利用光子晶体效应对发光的调控，增强荧光强度，从而增强检测的灵敏度，降低检测下限，在最优实验条件下，该方法的线性范围为0.1aM‑1pM，miRNA的检测限低至1aM。本发明无需对循环miRNA进行分离提取，可直接用于实际样本中循环miRNA的检测。
武汉大学
2021-02-01
一种基于叶酸修饰的混合光子晶体复合材料及应用
本发明公开了一种基于叶酸修饰的混合光子晶体复合材料及应用，包括载体混合光子晶体以及负载在该载体上的叶酸；其中，所述混合光子晶体包括聚乙二醇双丙烯酸酯反蛋白石骨架及填充于该骨架孔隙中的甲基丙烯酸酯明胶和磁性纳米粒子；其应用于髓性白血病耐药细胞的检测。本发明的显著优点为该复合材料不仅具有纳米的有序结构、比表面积大，且机械强度高、稳定性强，同时还具有优越的生物兼容性和磁性响应性，易于操控；将其应用于耐药细胞的检测，能够特异、灵敏、简单、有效地抓捕到髓性白血病耐药细胞，并保持要细胞株具有良好的生物活性，抓捕后只需施加磁场即可有效地对其进行富集、分离。
东南大学
2021-04-11
在拓扑外尔半金属晶体中观测到非平庸的超导特性
通过电输运、扫描隧道谱、比热、抗磁性等系统的实验研究并结合第一性原理计算，在掺硫的第二类拓扑外尔半金属二碲化钼单晶中发现了非平庸超导态的特征。实验中所使用的硫掺杂的高质量二碲化钼晶体是通过化学气相输运的方法合成的，掺杂比例约为0.2。 首先通过准粒子干涉实验与第一性原理计算相结合，在样品表面探测到了费米弧拓扑表面态的存在。最后通过扫描隧道谱学和比热的测量对比，发现样品表面态的超导能隙远大于体态的超导能隙，而且该样品表面态的能隙与临界温度的比值（Δ/kBTc）约为8.6，远大于常规超导材料的能隙与临界温度的比值（约为1.76），表明了表面态具有非常规超导库珀对配对机制，极可能是拓扑超导的普适特征。然后通过电输运测量和比热测量，发现这种材料为s波超导体，且它的超导能隙的带间耦合很强，超导对称性应为s+- 对称性。这可能是继铁基高温超导之后，又一种新的s+-超导体。而且根据理论预言，拓扑外尔半金属中s+-对称性的超导态会形成拓扑超导态。掺硫的第二类拓扑外尔半金属二碲化钼单晶中拓扑超导特征的发现，证实了外尔半金属中实现拓扑超导的可行性，推动了拓扑超导相关领域的进一步发展，也为拓扑量子计算机的最终实现奠定了前期的科研基础。图一. 电磁输运实验观测到的s+- 超导的证据，揭示拓扑超导的可能性。 (A) 电磁输运实验的测量示意图。 (B) 超导转变温度附近的电阻率-温度关系。(C) 各个温度和磁场下的电阻率。(D) 超导上临界磁场和温度的关系。红色的线是两带超导模型的拟合曲线，拟合结果发现带间耦合比较大，表明该超导行为是s+- 超导。图二. 扫描隧道显微镜观发现表面态的超导能隙远超过体态的超导能隙，揭示出拓扑超导的可能性。(A) 4 K和0.4 K下样品表面的微分电导dI/dV谱。在0.4 K下，超导能隙是1.7 meV，远大于体态的超导能隙，且能隙与临界温度的比值约为约为8.6，远大于常规超导材料的能隙与临界温度的比值（1.76）。4 K时样品处于非超导态。(B) 0.4 K超导dI/dV谱和各向同性BCS超导谱的对比。(C) 0.4 K时，不同磁场下的超导dI/dV谱，超导能隙被外加磁场所抑制。
北京大学
2021-04-11
一种光子晶体纳米流体传感器、其制备方法及应用
本发明属于传感器领域，并公开了一种基于微电子机械系统的 光子晶体纳米流体传感器，包括光刻胶层、硅晶片基底、第一折射率 材料薄膜层、第二折射率材料薄膜层和聚合物材料封接层，所述第二 折射率材料薄膜层的顶端设置有方波形的光栅结构，所述光栅结构包 括多个通槽和多个凸起并且它们交替排列，所述光刻胶层、硅晶片基 底、第一折射率材料薄膜层和第二折射率材料薄膜层共同构成传感器 基体层，所述传感器基体层上设置有进流口和出流口本。本传感器为 基于光子晶体的纳米流体传感器，成功解决了传统的光子晶体传感器 消耗检测物过多
华中科技大学
2021-04-14