陶克板类型：中央台、边台专用碟形台面（一体成型）   产品名称： 中央台、边台专用碟形台面 产品型号： TOOK D06 适用范围：中央台、边台、仪器台等 釉面色泽：多色可选   主要成分及优势： 1.8m长碟形陶瓷台面，极大提高了台面用材率，从源头节约资源成本。 一体成型阻水边（非加工粘贴而成），有效避免了试剂不慎外溢到实验员身上或地面造成伤害的问题。   由高岭土、蓝瓷土、长石等硅酸盐材料，表面釉料采用了进口原料，经1280℃长时间高温煅烧，陶克板由于材料属性不耐氢氟酸，可抵御（除氢氟酸等同类型化学试剂）任何强酸强碱及有机溶剂腐蚀，其耐高温、耐污染、抗辐射、抗细菌、抗釉裂等性能良好，是目前国内乃至全球实验室台面的最佳材质选择。   如何判断优质陶瓷台面 釉面：表面平整度、抗釉裂性、耐腐蚀性能、表面耐划痕等级、有无瑕疵、色饱满度如何。 烧制温度：是否达到1250℃的磁化烧制温度（低于此温度的板材无法瓷化，未瓷化的陶瓷板容易断裂 ,陶克板是1280℃烧制而成。） 耐污染指标：是否符合国家检测标准。 辐射限量指数：是否低于国家限量标准。    

在“东南大学十大科学与技术问题”启动培育基金的资助下，江苏省“分子铁电科学与应用”重点实验室研究团队在分子压电领域取得重要进展，发现了首例二茂铁基钙钛矿压电材料。 有机无机杂化钙钛矿（通式为ABX3）由于其在太阳能电池、光电探测器、电致发光、压电等高新科技领域中可观的发展潜力而备受专注。在杂化钙钛矿领域，因其优异的结构多样性和化学可调性，涌现出了各种结构新颖和性能卓越的压电和铁电材料。然而，迄今为止报道的杂化钙钛矿压电体中，A位的成分几乎都是纯有机胺离子。自1951年以来，二茂铁的问世掀起了有机金属化学的革命。基于二茂铁的有机金属化合物由于其性能的多样性和功能的丰富性在纳米医学，生物传感，催化和氧化还原等领域具有广阔的应用前景。经过多年发展，二茂铁基有机金属化合物在铁磁和铁弹等领域也取得了重大突破。然而，基于二茂铁基阳离子的钙钛矿压电材料此前仍是一片空白。 在“铁电化学”理论（针对铁电体的分子设计原理）的启发和指导下，我们发现以二茂铁基组分作为阳离子来代替有机胺是可行的，并构筑了一类新型的二茂铁基钙钛矿压电材料：[（二茂铁基甲基）三甲基铵]PbI3 ((FMTMA)PbI3), (FMTMA)PbBr2I和 (FMTMA)PbCl2I。得益于二茂铁基阳离子的稳定性，通过阴离子骨架中的卤素调控使材料的性能得到显著提升，获得了与LiNbO3相当的出色压电性能并兼具突出的半导体特性。基于该材料所制备的压电能量收集装置展现了其优异的机电能量转换性能。这项工作为钙钛矿压电材料的研究开辟了新的篇章，将激发对二茂铁基钙钛矿材料的进一步研究。

本发明提供了一种环保型双金属钙钛矿量子点的制备方法。在惰性气体保护的条件下，先将AgBr和BiBr3与反应溶剂十八烯，表面活性剂油酸、油胺混合，使其完全溶解，然后将混合溶液加热至反应温度，随后注入溶有溴化丁胺的DMF溶液，体系开始反应生成钙钛矿结构，并随着反应的进行，逐渐形成(C4H9NH3)2AgBiBr6量子点，最后用丙酮淬灭反应，即得到最终的(C4H9NH3)2AgBiBr6双金属钙钛矿量子点。本发明采用热注入合成方法，通过调节合成环境的酸性，在不改变钙钛矿形貌和晶体结构的前提下，实现对钙钛矿光学性能的调控。合成的钙钛矿量子点单分散性和稳定性较好，形貌均一，对于构筑能带隙可调的光电器件具有深远的意义。

钙钛矿太阳能电池制备工艺简单，成本低廉。近年来，该类太阳能电池因其快速增长的光电转换效率和逐步提升的器件稳定性，吸引了学术界和产业界的广泛关注，为光伏领域带来了新的机遇。然而，由于钙钛矿太阳能电池中存在非辐射复合损失，所以目前的光电转换效率依然低于肖克利-奎塞尔（Shockley-Queisser）理论所定义的极限效率。因此，最大化降低钙钛矿太阳能电池的非辐射复合损失是进一步提升电池器件效率的未来研究重点。 鉴于此，研究团队基于已有的研究基础，对“最大化降低钙钛矿太阳能电池的非辐射复合损失”这一论题进行深入探讨和系统总结。该综述文章主要包括以下几个方面：首先，介绍了钙钛矿太阳能电池中非辐射复合的起源，并详细讨论了非辐射复合损失的定量化测试方法；其次，系统总结了在降低非辐射复合损失方面的最近研究进展；再次，依据肖克利-奎塞尔理论，对钙钛矿太阳能电池所能够获得的最高光电转换效率进行了科学预测；最后，在展望部分，前瞻性地指出了最大化降低非辐射复合损失的未来努力方向。图1. 金属卤化物钙钛矿活性层内的电荷载流子产生与复合动力学机制 在理想的金属卤化物钙钛矿半导体材料中，所有的光生电子和空穴最终将通过发射光子的方式进行复合（即：辐射复合）。然而，在实际的钙钛矿太阳能电池中存在大量的非辐射复合通道（如图1所示），绝大部分光生载流子将优先通过其他非辐射途径进行复合（例如，缺陷辅助复合，俄歇复合，界面诱导复合，电声耦合，带尾态复合等）。这些非辐射复合损失过程极大降低了电池在稳态下的光生载流子浓度，从而减小了金属卤化物钙钛矿层中准费米能级劈裂的能级差，最终造成钙钛矿太阳能电池较大的电压损失。因此，最大化降低或抑制这些非辐射复合通道是提升器件开路电压和光电转换效率的关键。 针对各种非辐射复合通道，该综述首先介绍了目前量化分析非辐射复合损失的常规测试技术以及测试要点，如图2所示。图2. 量化钙钛矿薄膜和完整器件中非辐射复合损失的表征技术 随后，结合当前研究现状，进一步梳理了近年来在降低非辐射复合损失方面取得的一系列重要进展。值得一提的是，该研究团队去年在《Science》杂志上报道的基于溶液二次生长方法构建渐变结的策略（如图3所示），在降低反式钙钛矿太阳能电池的非辐射复合损失方面效果显著（Science 360, 1442-1446）。此后，一系列研究报道显示，相似的策略在正式常规结构钙钛矿太阳能电池和全无机钙钛矿太阳能电池中也可以获得正向的实验结果。由此说明，在金属卤化物钙钛矿半导体材料中构建有效的渐变结对后续降低非辐射复合损失具有非常重要的借鉴价值。图3. 渐变结钙钛矿太阳能电池器件结构和渐变结的时间分辨光谱 此外，该综述还以当前最高效率的砷化镓太阳能电池为参照，先假定钙钛矿太阳能电池的非辐射复合损失与砷化镓太阳能电池的情形一致，再依据肖克利-奎塞尔理论，对钙钛矿太阳能电池所能够获得的性能参数进行科学预测，进而给出电池器件所能达到的最高光电转换效率，如图4所示。图4. 当钙钛矿太阳能电池的非辐射复合损失与当前最高效率砷化镓太阳能电池的情况相同时，单结钙钛矿太阳能电池可实现的最优器件性能参数 最后，该综述也指出，目前提升器件性能的两条主要途径是最优化光子俘获和最大化降低非辐射复合损失。如果能将二者进行有效整合，探索更可靠的协同优化策略，这可能会是将器件光电转换效率提升至接近理论极限的可行方案。为此，综述也对一些未来的努力方向进行了展望。 总的来说，该综述为最大程度地降低钙钛矿太阳能电池的非辐射复合损失提供了理论总结，也为开展实验工作提供了参考借鉴，对进一步提升电池效率，推动该类电池产业化应用有重要意义。

前期，东南大学化学化工学院国际分子铁电科学与应用研究院暨江苏省“分子铁电科学与应用”重点实验室科研人员首次发现了杂化铅碘钙钛矿分子铁电薄膜中的“涡旋-反涡旋”（vortex-antivortex）畴结构。此次，

本发明公开了一种半透明钙钛矿太阳能电池及其制备方法，钙 钛矿太阳能电池包括透明导电基板 a、无机电子传输层、光捕获层、无 机空穴传输层和透明导电基板 b，其中光捕获层由 DXZ3 型钙钛矿材 料 形 成 ， D 选 自 Cs⁺ 、 CH3NH3⁺ 、 CH(NH2)2⁺ 或 其 混 合 物 ， X 选 自 P

本 发 明 公 开 了 三 种 新 的 二 元 金 属 盐 钙 钛 矿 材 料 AB¹B²X3(X：Cl、Br、I)及其制备方法，以及 其在多种结构的钙钛矿太阳能电池制备中应用，属于新材料太阳能电 池 领 域 。 本材料由有机卤化物 <img file=""DDA0000889538320000011.GIF"" wi=""508"" he=""77"" /&g

本发明公开了一种适用于陶瓷PTC装配技术的拉膜与切膜装置。包括送膜机构、拉膜机构和切膜机构，机架上沿薄膜传送方向依次设有送膜机构、切膜机构和拉膜机构，切膜机构包括固定在机架上的压板组件和刀片组件，压板组件安装在刀片组件上方；压板组件包括前撑板气缸、前撑板气缸顶杆、前撑板、压板、后撑板、压板气缸和压板气缸顶块，拉膜机构包括拉膜电机、拉膜丝杆、拉膜滑轨和用于夹膜的拉膜夹板组件。本发明采用自动拉膜、切膜技术，相比手工拉膜、切膜技术，极大提高了生产效率。

一种陶瓷素坯管的双工位自动磨切机，包括机架、储料仓、上料机构、传送机构，陶瓷素坯管的磨削工位、切割工位，陶瓷素坯管的磨削工位在切割工位的左侧；上料机构左侧为储料仓，上料气缸位于储料仓末端，储料仓支撑梁末端固定有陶瓷素坯管下落的引导板；传送机构包括运送托架驱动气缸和双V型槽运送托架，双V型槽运送托架和运送托架驱动气缸固定在一起，双V型槽运送托架侧面固定导向滑块；磨削工位，具有无心支撑轮、磁力驱动装置以及砂带磨削装置；切割工位，具有无心支撑轮、磁力驱动装置、切割装置，切割工位也具有工件的下料机构；本实用新型具有只需一台机器即可实现陶瓷素坯管表面磨削和陶瓷素坯管两端余料切割的优点。

本发明公开了一种低温快速烧成高强氧化铝陶瓷及其制备方法，其中低温快速烧成 高强氧化铝陶瓷的原料由粗晶 Al2O3 粉，纳米 Al2O3 粉和烧结助剂构成，烧结助剂为 SiO2 粉、滑石粉和石灰石粉；其制备方法是将纳米氧化铝粉部分取代粗晶氧化铝，进行混合分散 先预压成型，再采用 200-300MPa 冷等静压成型，然后将成型后试样在马弗炉中于 400-600 ℃排胶 30-60min，最后采用微波烧结法低温快速烧结得到高强度氧化铝陶瓷。本发明通过 部分纳米氧化铝粉代替粗晶氧化铝粉，并结合微波烧结工艺，可以在较低温度和短时间内实 现氧化铝陶瓷的快速烧结，能耗小，节约成本。