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一种固件可重构的手机数据采集控制器
一种固件可重构的手机数据采集控制器,利用微控制器芯片的 在线固件烧写功能,提供智能手机对其进行固件烧写操作的接口,并 对数据采集控制器的固件存储 Flash 存储单元空间进行分块,能够在一 个微控制器中安装多个采集控制固件。由手机来启动微控制器对应的 采集控制固件。当微控制器中未安装对应的采集控制固件时,则由手 机自动从网上查找、下载相应的采集控制固件,并安装到数据采集控 制器的空闲块区中。这既可以避免更换手机测量功能时对数据采集控 制器采集控制固件的重新烧写,又可以避免将固件程序设计得十分复 杂和
华中科技大学 2021-04-14
基于多终端协同的多流并发传输控制方法与系统
南京邮电大学 2021-04-14
基于代理的城市交通流分析、预测与控制系统
南京邮电大学 2021-04-14
基于新型电磁复合材料的电磁控制理论和方法研究
本项目在国家973、863和自然科学基金的资助下,围绕电磁波与物质相互作用这一基础科学问题,提出电和磁性能可控的新型电磁复合材料,发展了基于超颖材料和复合双性材料实现电磁波吸收、汇聚、调制、弯曲、放大等功能的新理论和新方法,发现微波和太赫兹波段传输与控制的诸多新现象和新效应。在Phys. Rev.系列, Appl. Phys. Lett., Opt. Express等国际主流期刊上发表的20篇主要论著,被Nature Materials, Nature Photonics, Nano Lett.等国
电子科技大学 2021-04-14
基于电控液晶红外发散平面微透镜的红外波束控制芯片
本发明公开了一种基于电控液晶红外发散平面微透镜的红外波束控制芯片。其包括电控液晶红外发散平面微透镜阵列;电控液晶红外发散平面微透镜阵列包括液晶材料层,依次设置在液晶材料层上表面的第一液晶初始取向层、第一电隔离层、图形化电极层、第一基片和第一红外增透膜,以及依次设置在液晶材料层下表面的第二液晶初·750·始取向层、第二电隔离层、公共电极层、第二基片和第二红外增透膜;公共电极层由一层匀质导电膜构成;图形化电
华中科技大学 2021-04-14
基于滑模观测的永磁同步电机控制方法及系统
本发明公开了一种永磁同步电机的控制方法及系统,在永磁同 步电机矢量控制中设计了负载转矩的滑模观测器,结合速度环的滑模 控制进行补偿,对速度控制器进行了重新设计,同时得到了较为稳定 的 q 轴参考电流,进而得到比较理想的转速、转矩。本发明能在系统 受到干扰的情况下快速有效地调节永磁同步电机的各项输入和输出参 数,动态响应速度快,鲁棒性高,提高了永磁同步电机的控制精度及 其运行的可靠性。 
华中科技大学 2021-04-14
表面式永磁同步电机的直接转矩控制方法及系统
本发明公开了一种表面式永磁同步电机的直接转矩控制方法及 系统。该方法包括:获取定子电压、定子电流;根据定子电压和定子 电流,计算电磁转矩 Te 和定子磁链ψs;根据 Te 和ψs,计算当前时 刻的转矩角δ,结合转矩角参考值δ*得到下一采样周期内的转矩角变 化量Δδ;根据下一采样周期内的转矩角变化量Δδ以及定子磁链与 α轴之间的相角ρs,得到下一周期定子磁链与α轴之间的相角参考值 ρsref;根据下一周期定子磁链与α轴之间的相角参考值ρsref 以及定 子磁链参考值<img file=""DDA
华中科技大学 2021-04-14
一种基于粒度控制的位置隐私保护方法和系统
本发明公开了一种基于粒度控制的位置隐私保护方法,包括: 判断移动设备中是否存储有一个 LBS 应用程序列表,如果有则为每个 LBS 应用程序设置隐私级别,其对应于该 LBS 应用程序将会获得的位 置精确度,并判断移动设备中是否已经存在有隐私策略库,如果存在 则持续监听来自于 LBS 应用程序的 LBS 请求,并在接收到 LBS 请求 时获取与该 LBS 请求对应的位置信息,从隐私策略库中读取该 LBS 应用程序对应的
华中科技大学 2021-04-14
一种虚拟化环境下 USB 设备的访问控制方法
本发明公开了一种虚拟化环境下的 USB 设备访问控制方法,该 方法可以将客户端中插入的 USB 设备映射到虚拟机中,并且能对映射 到虚拟机中的 USB 设备进行读写访问控制。该方法的实现步骤如下: 首先,配置客户端和虚拟机的网络,使得客户端和虚拟机之间可以相 互 PING 通;其次,在客户端和虚拟机中分别安装 USB 映射程序,确 保 USB 设备能够从客户端映射到虚拟机中;再次,在虚拟机所在的服 务器中将 USB
华中科技大学 2021-04-14
锗硅纳米低维结构的可控制备方法及产品
本发明公开了一种锗硅纳米低维结构可控制备方法及产品,该 方法具体为:(a)清洗硅衬底;(b)在硅衬底上外延生长锗硅合金形成外 延衬底;(c)涂敷电子抗蚀剂,通过电子束光刻技术在电子抗蚀剂上曝 光所需的锗硅纳米低维结构图形;(d)采用干法刻蚀将锗硅纳米低维结 构图形转移到外延衬底上得到样品;(e)去除样品上的电子抗蚀剂;(f) 高温环境下进行氧化和退火,使得氧气优先与硅反应形成氧化硅而锗 被析出;(g)在氮氢混合气氛下
华中科技大学 2021-04-14
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