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教育部印发贯彻落实《教育部 国家知识产权局 科技部关于提升高等学校专利质量 促进转化运用的若干意见》典型经验的通知
《教育部 国家知识产权局 科技部关于提升高等学校专利质量 促进转化运用的若干意见》(教科技〔2020〕1号,以下简称《若干意见》)印发以来,各地各校结合实际情况,围绕建立健全知识产权全流程管理机制、职务科技成果披露、专利申请前评估制度、调整专利奖励资助政策及开展技术转移学历教育等方面,积极推进、大胆探索,形成切实有效的做法,取得一批可参考借鉴的经验。
教育部 2021-12-08
习近平在中共中央政治局第十四次集体学习时强调 促进高质量充分就业 不断增强广大劳动者的获得感幸福感安全感
动态调整高等教育专业和资源结构布局,大力发展职业教育,健全终身职业技能培训制度。
新华社 2024-05-29
化学学院刘志伟课题组报道d-f跃迁稀土发光配合物在单发光层白光有机发光二极管中的应用
近日,刘志伟在Light: Science & Applications杂志上发表了题为“Lanthanide complexes with d-f transition: new emitters for single-emitting-layer white organic light-emitting diodes”的论文,该工作合成了具有d-f跃迁发光性质的天蓝光发射的铈(III)配合物Ce-TBO2Et和橙红光发射的铕(II)配合物Eu(Tp2Et)2,利用两种发光材料构建的SEL-WOLEDs发光效率高且发光颜色稳定。研究表明,主体材料不参与传能过程且低能量的橙红光材料的质量掺杂浓度可高达5wt%,体现了d-f跃迁稀土发光配合物应用于SEL-WOLEDs时可简化传能过程和器件制备工艺的优势。
北京大学 2023-08-22
云南大学化学科学与工程学院陈建华副研究员在Nature Materials发表有效免疫应力影响的可拉伸有机电化学晶体管文章
该项研究成果指出了一种能有效免疫复杂应力影响的可拉伸OECT及其传感器的新方法,通过结合有序蜂窝状半导体聚合物制备方法与双向预拉伸技术,成功研制了最高可拉伸至140%的OECT,且其输出特性在可拉伸范围内保持了高度稳定。
云南大学 2022-06-09
《自然·通讯》报道西安电子科技大学郝跃院士团队研制出国际最高功率优值13.2 GW/cm2氧化镓二极管并首次在氧化镓中实现空穴超注入效应
近期,西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、周弘教授等在超宽禁带半导体氧化镓功率器件研究方面取得重要进展,研制出一种新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga2O3半导体异质结二极管。
西安电子科技大学 2022-08-30
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