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吴建平：筑牢中国高等教育数字化基础设施 支撑教育数字化高质量发展
11月28日，以“下一代互联网：关键技术研发、应用融合创新”为主题的中国教育和科研计算机网CERNET第二十八/二十九届学术年会在福州隆重开幕。中国工程院院士、CERNET专家委员会主任、清华大学教授吴建平在会上作了《筑牢中国高等教育数字化基础设施》的主题报告。
中国教育和科研计算机网
2023-11-30
教育部、人社部：多措并举促进2024届高校毕业生更加充分更高质量就业
12月5日，教育部、人力资源社会保障部召开2024届全国普通高校毕业生就业创业工作视频会议，深入贯彻落实习近平总书记重要指示批示精神，落实落细党中央、国务院决策部署，总结工作，分析形势，全面部署做好2024届高校毕业生就业创业工作。
微言教育
2023-12-06
浙江省教育厅等四部门联合发布文件推动“丝路学院”高质量发展
到2027年，在共建“一带一路”国家建立50所“丝路学院”。
教育之江
2024-01-12
2024年政府工作报告提出：深入实施科教兴国战略，强化高质量发展的基础支撑
坚持教育强国、科技强国、人才强国建设一体统筹推进，创新链产业链资金链人才链一体部署实施，深化教育科技人才综合改革，为现代化建设提供强大动力。
新华网
2024-03-05
可实现纯紫外发光的ＺｎＯ基异质结发光二极管的制备方法
本发明公开了一种可实现纯紫外发光的ＺｎＯ基异质结发光二极管的制备方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上生长ｎ?ＺｎＯ纳米线；采用磁控溅射法在ｐ?ＧａＮ上溅射一层ＡｌＮ薄膜；采用溅射法或者电子束蒸镀分别在ｎ?ＺｎＯ和ｐ型ＧａＮ一端制备具有欧姆接触的金属电极；将ＡｌＮ薄膜／ｐ?ＧａＮ紧扣在ｎ?ＺｎＯ纳米棒阵列上面形成异质结，构成完整的器件。本发明在蓝宝石上直接生长ＺｎＯ纳米棒阵列，提高ＺｎＯ结晶度，提高电学性能，有效消除晶体质量差的问题；引入ＡｌＮ隔离层，有效较少了结区的剩余电子，增加ＺｎＯ区载流子复合效率，实现纯ＺｎＯ紫外发光；ｎ?ＺｎＯ纳米棒阵列／ＡｌＮ／ｐ?ＧａＮ异质结发光二极管，发光位置在３８５ｎｍ左右，半峰宽为１４．５ｎｍ。
东南大学
2021-04-11
一种石墨烯-碳纳米管复合全碳超轻弹性气凝胶及其制备方法
本发明公开了一种石墨烯-碳纳米管复合全碳超轻弹性气凝胶及其制备方法。它包括以下步骤：（1）将1重量份的氧化石墨烯分散于10~4000重量份的水中形成氧化石墨烯分散液；（2）将1重量份碳纳米管分散于5~4000重量份的氧化石墨烯分散液中，得到氧化石墨烯-碳纳米管分散液；（3）将氧化石墨烯-碳纳米管分散液进行冷冻干燥或超临界干燥，得到氧化石墨烯-碳纳米管复合气凝胶；（4）将氧化石墨烯-碳纳米管复合气凝胶采用化学还原法还原或高温热还原法还原，得到石墨烯-碳纳米管复合全碳超轻弹性气凝胶。本发明的工艺简单，过程绿色环保，所得到的全碳超轻气凝胶具有低密度、高导电率、高比表面积、弹性温度范围广等优点。
浙江大学
2021-04-11
一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途
本发明公开了一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途，薄膜晶体管的顶栅、阻挡层、存储层、隧穿层及沟道层构成了顶栅型存储器；薄膜晶体管的沟道层、底栅氧化层及底栅构成了底栅型TFT。通过对顶栅型存储器进行操作实现非易失性存储器的“编程/擦除”操作，通过对底栅型TFT进行操作实现非易失性存储器的“读”操作。“编程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“读”操作的分离，提升了存储器的存储窗口、可靠性以及工作速度等的性能。
东南大学
2021-04-11
一种去除甲醛用天然沸石负载CuO纳米管复合材料的制备方法
本发明属于材料制备领域，具体为一种去除甲醛用天然沸石负载CuO纳米管复合材料的制备方法。首先，用盐酸对天然沸石进行处理，并水浴加热，搅拌、过滤、洗涤、干燥，热处理后制备出性能稳定的天然沸石，然后，结合浸渍工艺将天然沸石浸渍在氯化铜溶液中，以四甲基乙二胺为络合剂，CTAB为软模板，葡萄糖为还原剂，采用水热法制备天然沸石负载Cu纳米线，最后，采用热处理法制备天然沸石负载CuO纳米管复合光催化材料。该工艺过程简单，成本低，便于实现，制备的天然沸石负载CuO纳米管复合材料比表面积大，易于回收，吸附降解性能好。
天津城建大学
2021-04-11
一种具有共振隧穿结构电子阻挡层的发光二极管
本发明公开了一种具有共振隧穿结构电子阻挡层的发光二极管，包括：由下而上依次设置的衬底、ｎ型氮化物层、多量子阱层、电子阻挡层、ｐ型氮化物层、ｐ型氮化物欧姆接触层，所述ｎ型氮化物层上设置的ｎ型电极和所述ｐ型氮化物层上设置的ｐ型电极；其中电子阻挡层由由下而上依次设置的ｐ型掺杂氮化物势垒层，非掺杂氮化物势阱层、利用共振隧穿效应增大空穴透过率的非掺杂势垒层联合
东南大学
2021-04-14
一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管
本发明公开了一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管，包括：由下至上依次设置的衬底，AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、双掺杂的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源区、AlzGa1?zN电子阻挡层，其中z>y>x，p型AlGaN层和透明导电层，在n型AlGaN层和透明导电层上分别设置的n型欧姆电极和p型
东南大学
2021-04-14