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具有碲钼多层复合薄膜的碲化镉太阳电池
具有碲钼多层复合薄膜的碲化镉太阳电池，属于新能源材料与器件领域。这种太阳电池采用一种碲钼多层复合薄膜作为碲化镉太阳电池的无铜过渡层。一方面，由于过渡层具有碲的析出相，因此在碲化镉退火后，无需采用湿法工艺获得富碲层。如果采用干法工艺，也无需单独沉积一碲层。另一方面，过渡层具有碲化钼的主相，作为p型半导体，与碲化镉价带不连续很小，可起到很好的过渡作用，实现碲化镉与金属电极间的欧姆接触。采用上述结构的太阳电池，避免了化学腐蚀，实现了低电阻接触，可有效提高太阳电池的性能和改善器件的长效稳定性。
四川大学
2016-10-25
一种养殖水体中铅镉汞即时检测装置及方
本发明提供一种养殖水体中铅镉汞即时检测装置及方法，该装置包括：黑盒模块与微机模块连接，黑盒模块包括第一光源、第二光源、滤光片、光纤、微流控芯片和光电检测芯片；第一光源设置于微流控芯片的上侧，滤光片设置于第一光源与微流控芯片之间，光纤的一端与微流控芯片连接，光纤的另一端与第二光源连接，光电检测芯片设置于微流控芯片的下侧；微机模块用于驱动第一光源和第二光源交替照射微流控芯片。本发明通过对光谱数据进行浊度补偿处理，并对基质效应进行校正，建立检测模型，从而得出养殖水体中铅、镉、汞含量，实现了高效、快速、定量、精确、自动化检测，并且大大节省了试剂的使用，实现养殖水体现场即时检测。
中国农业大学
2021-04-11
一种超痕量铅镉离子检测方法及检测试纸条
本发明公开了一种超痕量铅镉离子检测方法及检测试纸条。所述 检 测 方 法 ， 包 括 如 下 步 骤 (1) 样 品 酸 化 处 理 ； (2) 样 品 去 除Hg<sup>2+</sup>和 Zn<sup>2+</sup>；(3)用缓冲液稀释，获得中性样品；(4)将步骤(3)中获得的中性样品与双硫腙接触，生成铅镉离子-双硫腙络合物(5)添加硫化物溶液，使得铅镉离子-双硫腙络合物完全反应，生成 PbS 和/或 CdS；(6)将步骤(5)中获得的含 Pb
华中科技大学
2021-04-14
马来酸替加色罗
Tegaserod是瑞士诺华公司开发的新一类选择性5-HT4受体部分激动剂中的第一个药物，其主要用于治疗以便秘为主的IBS。在美国和加拿大的一个包括799例病人Ⅲ期临床试验已报告了初步结果：12mg/天与安慰剂对照，能明显改善腹痛和腹部不适，肿胀及肠功能；且本药具有良好的耐受性，无任何显著的不安全性问题。治疗组中副作用约5%，主要为腹痛，腹泻，头痛，而这些症状与IBS本身疾病症状也是相似的。
南京工业大学
2021-01-12
马来酸替加色罗
Tegaserod是瑞士诺华公司开发的新一类选择性5-HT4受体部分激动剂中的第一个药物，其主要用于治疗以便秘为主的IBS。在美国和加拿大的一个包括799例病人Ⅲ期临床试验已报告了初步结果：12mg/天与安慰剂对照，能明显改善腹痛和腹部不适，肿胀及肠功能；且本药具有良好的耐受性，无任何显著的不安全性问题。治疗组中副作用约5%，主要为腹痛，腹泻，头痛，
南京工业大学
2021-04-14
铌酸钾钠-锆钛酸铋钠系无铅压电陶瓷
本发明属于钙钛矿结构环境协调性压电陶瓷领域，特别涉及一种铌酸钾钠-锆钛酸铋钠系无铅压电陶瓷，该无铅压电陶瓷由通式(1-x)(KuNav)NbO3-xBi0.5Na0.5Zr1-yTiyO3表示，式中，0＜x≤0.05, ?0≤y≤0.3，0.40≤u≤0.55，0.45≤v≤0.60，且u+?v=1。本发明提供的无铅压电陶瓷具有较高的压电性能，所用原料价格低廉，节约成本，有利于促进实用化进程，在工业生产中应用。
四川大学
2021-04-11
高性能系列铌酸锂、钽酸锂晶体和光电器件
光电晶体及其器件作为激光技术的关键材料和器件，被诸多国家 列为优先发展的技术领域。本项目在国家 863 计划、天津市重大科技 攻关、国防科工局民口配套等项目支持下，瞄准国家需求，围绕产品 化关键技术攻关，取得了以下主要科技创新： （1）自主设计基于经验数据库的智能计算机晶体生长自动控制 系统，并开发了晶体生长成套装备，应用于多种晶体生长，得到批量 推广应用。 （2）发展了两种非固液同成分共熔配比晶体的制备方法，实现 了 SLN 晶体和 SLT 晶体的批量、廉价制备。 （3）开发了宽温度范围工作铌酸锂电光调 Q 晶体及电光调 Q 开 关，在-55℃～70℃温度区间稳定工作，大幅提高了军用激光系统的温 度稳定性。（4）以高温度稳定性电光调 Q 开关为核心技术自主研发的系列 高温度稳定性铌酸锂电光调 Q 激光系统，实现了批量生产和应用。 （5）开发了满足激光雷达等长期在线工作的低内电场铌酸锂电 光调 Q 晶体和电光调 Q 开关。 （6）开发了高抗光损伤阈值的钽酸锂电光调 Q 晶体和电光调 Q 开关，典型 1064nm 波段的激光损伤阈值比铌酸锂晶体提高两个数量 级以上，且能够满足军工宽温度范围要求。
南开大学
2021-04-13
一种带有硫化铝外壳的二硫化钨纳米粉末材料及其制备方法
（专利号：ZL 201410557604.6） 简介：本发明公开了一种带有硫化铝(Al2S3)外壳的二硫化钨(WS2)纳米粉末材料及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。该纳米粉末材料为核壳结构，内核为WS2纳米颗粒，外壳为Al2S3层；所述WS2内核的粒径为10～100nm，所述Al2S3外壳层为非晶Al2S3层，其厚度为1～10nm。本发明采用等离子电弧放电法，将钨粉和铝粉按一定原子百分比压制成块体作为阳极材料，采用石墨作为阴极材料，
安徽工业大学
2021-01-12
铌酸钾钠-锆钛酸铋钾/锂系无铅压电陶瓷
本发明属于钙钛矿结构环境协调性压电陶瓷领域，特别涉及一种铌酸钾钠-锆钛酸铋钾/锂系无铅压电陶瓷，该无铅压电陶瓷由通式(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xBi0.5M0.5Zr1-yTiyO3表示，式中，0＜x≤0.05，0≤y≤0.3，M为K或Li。本发明所述无铅压电陶瓷具有良好的压电和介电性能，所用原料价格相对低廉，不含贵金属或有毒金属原料。
四川大学
2021-04-11
一种磷硅镉单晶体的生长方法与生长容器
一种磷硅镉单晶体的制备方法，以富磷CdSiP2多晶粉末为原料，工艺步骤为：（1）生长容器的清洗与干燥；（2）装料；（3）将装有生长原料并封结的双层坩埚放入三温区管式晶体生长炉，然后将生长炉的高温区和低温区以30~60℃/h的速率分别升温至1150~1180℃、950~1050℃，并保持该温度，继后调节梯度区的温度，使温度梯度为10~20℃/cm，当所述生长原料在高温区保温12~36h后，控制双层坩埚以3~6mm/day匀速下降，当双层坩埚下降到低温区并完成单晶生长后，使其停止下降，在低温区保温24~72h，保温时间届满，将高温区、梯度温区、低温区的温度同时以20~60℃/h降至室温。一种单晶体生长容器，由内层坩埚和外层坩埚组成，内层坩埚与外层坩埚之间的环形腔室内加有调压用CdSiP2多晶粉末。
四川大学
2021-04-11