薄膜电致发光器件作为显示器件主要用于工业现场仪表显示、车站、机场、银行、证券交易市场、街头广告信息显示，作为大平面高清晰显示可用于各种会场、广场高清晰电视彩像显示，及可检索军用地图、笔记本电脑及宾馆等山水、立体彩色装饰。其特点为全固体化、亮度高、寿命长、可大平面化和可装饰表面。响应速度快，使用温度范围宽。由于制备方法简单较之国内外同类产品成本低，可批量工业

本发明公开了一种电调光反射率薄膜。包括第一光学介质层，依次设置在第一光学介质层上表面的第一阳极、第二光学介质层和第二阳极，以及设置在第一光学介质层下表面的阴极，阴极为匀质导电膜结构，第一阳极和所述第二阳极均由其上布有 M×N 元阵列分布的纳孔的导电膜构成；通过调变加载在第一阳极和阴极间的第一时序电压信号以及加载在第二阳极和阴极间的第二时序电压信号，调变阴极上的阵列化电子的密度和分布形态，进而调变电调光反射率薄膜的光

本项目采用隧道结技术实现叠层太阳能电池的制备，扩展电池的光谱收集范围，提高电池的转换效率。 一、项目分类 关键核心技术突破 二、成果简介 太阳能是大自然赐予人类最清洁，最丰富的能源资源，目前商用的太阳能电池以晶体硅电池为主，由于晶体硅消耗硅料较多，近年来人们一直致力于开发硅薄膜电池。非晶硅薄膜电池已经实现了商业化生产并有了一定的市场份额，但它仍存在不足之处，包括光致衰减效应和转换效率不高(约6％)等。本项目在国家863计划课题(2006AA03Z219)支持下，开展了以多晶硅薄膜、微晶硅薄膜和纳米晶薄膜的制备和相关材料的单结与叠层硅基太阳能电池关键技术研究，已经申请发明专利5项，发表科研论文20余篇。 三、创新点以及主要技术指标 1.利用LPCVD方法和自扩散技术生长多晶硅p-n结，结合层转移技术制备多晶硅薄膜太阳能电池； 2．采用金属诱导晶化和快速热处理技术实现优质多晶硅薄膜的制备并在低温下制备太阳能电池； 3.在PECVD和HWCVD生长硅薄膜时，通过生长温度，气体流量，氢气稀释比，腔室气压等参数实现微晶硅或者纳米晶薄膜的生长； 4.采用双层膜技术减小表面处入射光的反射并实现表面钝化，提高入射光的收集率和少数载流子寿命； 5.采用高低结结构增加光生载流子的收集效率； 6.采用隧道结技术实现叠层太阳能电池的制备，扩展电池的光谱收集范围，提高电池的转换效率。 四、知识产权及获奖 国家863项目(2006AA03Z219)

研究背景 ：由于我国有许多矿物资源的开发生产过程中会产生大量的 含铅废渣，如不能实现资源的综合利用，不但会给环境带来巨大的污染， 而且浪费了自然资源，造成经济损失。因此，目前多采用湿法冶炼取代高 温火法冶炼回收废铅，在低温、常压下以铜烟灰、铅泥、酸浸渣、炼锌废 渣和炼铋废渣等废渣为原料制取铅盐系列产品。 这样既不但可以综合利用 资源，回收其它有价金属，而且具有良好的经济、社会和环境效益，从根 本上解决环

  巨霍尔效应是纳米铁磁金属颗粒薄膜中反常霍尔效应的巨大增强现象,是纳米材料的新效应,本课题利用巨霍尔效应原理,制备出磁场灵敏度高达125AT、具有实用价值的新型的纳米铁磁金属颗粒薄膜磁敏材料;并将颗粒薄膜应用于霍尔器件,替代现有的掺杂半导体活性层材料,制备出具有实用意义的新型霍尔器件原型。    本课题的研究,率先将纳米体系的新效应巨霍尔效应原理应用于传感器件领域,制备出具有实用价值的新型纳米材料及微型霍尔器件,具有原始创新性。与传统的半导体霍尔器件相比,基于纳米铁磁金属颗粒薄膜巨霍尔效应的霍尔器件具有体积小、制备工艺简单、高度集成、灵敏度高等优点,因此具有更为重要的应用价值。特别是纳米铁磁金属颗粒薄膜霍尔器件具有的工作温度宽、温度稳定性能优异、抗核辐射等优点,在微弱磁场探测、航天器的精确定位、导航以及军事装备等方面都具有十分重要的用途,市场前景广阔。   本课题利用巨霍尔效应原理,首次制备出磁场灵敏度高达125VAT、具有实用价值的新型的纳米铁磁金属颗粒薄膜磁敏材料;并将颗粒薄膜应用于霍尔器件,替代现有的掺杂半导体活性层材料,制备出具有实用意义的新型霍尔器件原型。主要创新点有将稀磁半导体引入纳米铁磁金属颗粒薄膜体系,替代绝缘体母体材料,使体系在厚度较小的情况下,仍能保持高温铁磁性;制备出不同种类的具有高灵敏和实用价值的纳米铁磁金属颗粒薄膜磁敏材料;将具有巨霍尔效应的纳米铁磁金属颗粒薄膜应用于传感器件,替代现有的掺杂半导体活性层材料,制备出具有实用意义的新型霍尔器件。    主要创新点有将稀磁半导体引入纳米铁磁金属颗粒薄膜体系,替代绝缘体母体材料,使体系在厚度较小的情况下,仍能保持高温铁磁性;制备出不同种类的具有高灵敏和实用价值的纳米铁磁金属颗粒薄膜磁敏材料;将具有巨霍尔效应的纳米铁磁金属颗粒薄膜应用于传感器件,替代现有的掺杂半导体活性层材料,制备出具有实用意义的新型霍尔器件。相关成果已获国家发明专利授权九项。    本课题的研究,将巨霍尔效应这一纳米体系的新效应应用于器件领域,以纳米铁磁金属颗粒薄膜替代现有霍尔器件的掺杂半导体活性层材料,是一个全新的技术,取得了多项具有原始创新性的技术成果,进一步推进了纳米材料在新材料技术、电子信息技术等领域]应用    应用状况:    与传统的半导体霍尔传感器件相比,基于纳米铁磁金属颗粒薄膜巨霍尔效应的霍尔传感器件具有体积小、制备工艺简单、高度集成、灵敏度高等优点,因此具有更为重要的应用价值。特别是纳米铁磁金属颗粒薄膜霍尔器件具有的工作温度宽、温度稳定性能优异抗核辐射等优点,在微弱磁场探测、航天器的精确定位、导航以及军事装备等方面都具有十分重要的用途，市场前景广阔。

世界70%的镍矿资源为红土镍矿，而目前世界90%的镍是从硫化镍矿中提取的，且能供传统工艺提取的镍金属矿物日益短缺，由于镍是现代工业重要的战略技术资源，形势严峻。而大量红土镍矿难以应用的原因是技术的限制，本技术采用直接还原—酸浸分步提镍的方法将火法与湿法方法相结合，通过红土镍矿直接还原方法选别铁，富集镍的尾矿进行酸性湿法浸出，浸出液纯化后制备电镍。

本发明公开了一种快速制备多晶铁铝酸四钙的方法，先按质量比 1:0.7942:0.8554:(2.0413‐2.1923)称 取原材料四水硝酸钙、九水硝酸铝、九水硝酸铁和尿素;然后加入适量去离子水，制成浓度为(0.5‐ 0.8)mol/L 的分散液，并持续搅拌(1.5‐2)小时至原材料完全溶解;接着将分散液移入高温炉内，在空气气 氛中加热至(500‐510)°C，恒温 2 小时后取出并磨细成粒径不超过 0.15mm 的微粒作为前驱体

具有高电能密度和快速充放电特性的贮能设备存在着巨大的市场。当前电化学电容的储能密度为15-30J/cm3，放电较慢；商业化BOPP薄膜电容放电快，电能密度仅1-2J/cm3。我校开发的PVDF共聚物电能贮存容量高（10- 30J/cm3），可制造新一代高容量、轻质、柔性贮能设备，为便携式电子设备供能；智能电网远距离大容量输电工程现有BOPP直流电容器重量大、阀厅占地超限，国内电网研究院对高能量密度PVDF电容器表现了浓

本发明公开了一种低介微波铁电陶瓷及其制备方法,该低介微波 铁电陶瓷的化学通式为 xBaO-yZnO-zSiO2；其中，1≤x≤2，0≤y≤2， 1≤z≤2；其制备方法，包括如下步骤：(1)对 BaO、ZnO 和 SiO2 的混 合物进行湿法球磨处理，并烘干后进行预烧，获得 xBaO-yZnO-zSiO2 基体陶瓷粉体；(2)对基体陶瓷粉体进行湿法球磨处理，烘干后加入聚 乙烯醇造粒，压片后烧结，获得低介微波铁电陶瓷；在球磨处理中采

本发明公开了一种铁基非晶合金磁性材料及其制备方法。该合金材料的化 学分子式为：(Fe100-aCoa)x-Dyy-Bz-Siw，式中的x，y，z，w为原子百分数：60≤x ≤75，5≤y≤25，20≤z≤25，0≤w≤10，0≤a≤10，且x+y+z+w＝100。该合金 的制备过程如下：将工业纯金属原料以及FeB合金按合金配方配料，采用真空 感应熔炼成母合金，然后用单辊甩带法制得非晶薄带。本发明具有较好的玻璃 形成能力，且软磁性能优良。所需的原材料大多为工业纯度，从而降低了成本， 同时制备工艺简单，可广泛应用于结构材料和磁性材料等方面。