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一种非晶铁磷合金/V8C7 复合镀层及其电镀工艺
本发明之非晶铁磷合金/V8C7复合镀层,所述复合镀层的基体材质为非晶态Fe-P合金,Fe 含量为复合镀层的60-89wt%(优选70-85wt%),P 含量为复合镀层的10-30wt%(优选12-22wt%),所述复合镀层中含有固体微粒V8C7,含量为复合镀层的1-10wt%(优选3-7wt%)。复合镀层可以含有各种不同的金属或合金以及各种不同类型的微粒,其技术适用性和实用性宽广,具有较强的可变性和可操作性,应用将日益广泛。
长沙理工大学 2021-01-12
面向大功率开关电源器件的铁硅粉芯关键生产工艺开发
:铁硅粉芯是一种新型复合软磁材料,主要用于 替代传统开了气隙的硅钢、铁氧体及非晶等材料,作为电感器 和电抗器的磁芯,用于对直流叠加要求较高的大功率光伏逆变 器、风电变流器、电动汽车充电机、变频空调、有源滤波器、 UPS 电源等新能源与节能电力电子系统。 铁硅粉芯在器件中的作用是实现电磁能量转换,其与绕制 线圈一起组成的各种磁性器件在电力电子系统中起到功率因数 校正和滤波
合肥工业大学 2021-04-14
掺铁硒化锌可饱和吸收镜及其构成的锁模光纤激光器
本实用新型公开了一种掺铁硒化锌可饱和吸收镜及其构成的锁模光纤激光器,该掺铁硒化锌可饱和吸收镜包括基底、镀在所述基底上的高反射膜以及镀在所述高反射膜上的掺铁硒化锌薄膜,由于该掺铁硒化锌可饱和吸收镜以掺铁硒化锌薄膜为可饱和吸收体,同时掺铁硒化锌薄膜本身具有较高的损伤阈值,能够用于高功率激光器的研制,弥补了本领域缺少高损伤阈值可饱和吸收镜或可饱和吸收体的空缺;基于上述掺铁硒化锌可饱和吸收镜构成的锁模光纤激光器,利用双包层增益光纤获得激光,并通过掺铁硒化锌可饱和吸收镜对激光进行调制实现锁模,获得超短脉冲激光。
四川大学 2017-12-28
手性( 2,2- 二甲基-1,3 二氧环戊烧-4- 基)轻基甲磺酸盐制备方法
项目简介 : 在食品医药及化工行业中, 手性甘油醒缩丙酮是合成手性药物和具有
西华大学 2021-04-14
在钠金属薄膜和等离激元光子器件研究方面上的重要突破
研究团队发展了独特的液态金属旋涂工艺,制成了金属钠薄膜,首次揭示了金属钠膜的优异光波段等离激元特性。
北京大学 2021-04-11
一种超高速率充放电超级电容器薄膜电极的制备
高校科技成果尽在科转云
电子科技大学 2021-04-10
高模量低收缩聚酰亚胺薄膜的产业化关键制备技术研究
本项目针对目前国内挠性印制线路板及材料在生产及应用中存在的问题,在研究团队前期开发的高模 低缩聚酰亚胺薄膜配方体系的基础上,从市场需求及产业化的角度,优选具有显著分子间相互作用力的体 系,开展聚合物前驱体聚酰胺酸胶液的实验室小试、中试及产业化规模制备、胶液流延和薄膜制备过程中 的关键技术研究,获得一套稳定可靠的产业化工艺参数,制备具有自主知识产权的新型高模低缩聚酰亚胺 薄膜产品,打破该产品国外垄断的局面。
中山大学 2021-04-10
一种二元前驱体合成伸展石墨烯复合薄膜的制备方法
本发明属于半导体纳米复合材料的制备技术领域,涉及一种利用二元前驱体合成石墨烯复合薄膜的制备方法。该发明采用简单的两步合成路线,通过在水热法中合成两元前驱体,然后经过高温处理使四氧化三铁纳米颗粒均匀的分散在石墨烯纳米薄膜的表面。相对于其他合成方法,此方法制备的石墨烯复合薄膜具有伸展更充分,Fe3O4纳米粒子粒径更均匀,分布范围窄等优点。借助本发明提供的方法,制备出的石墨烯纳米复合薄膜可作为锂离子电池的负极材料,显示了较高的电容量和循环稳定性。通过本发明提供的无机半导体和石墨烯复合纳米材料制备方法,可制备多种不同种类的复合材料,制备出的复合材料在锂离子电池,无机太阳能电池,药物的靶向缓释与治疗等方向具有实际的应用前景。
青岛大学 2021-04-13
一种硒化锑薄膜太阳能电池的背表面处理方法
本发明属于薄膜太阳能电池制备领域,具体公开了一种硒化锑 薄膜太阳能电池的背表面处理方法,该方法是使用含有二硫化碳的液 体接触处理硒化锑薄膜太阳能电池中硒化锑薄膜层的表面,并以经处 理后的硒化锑薄膜层的表面作为硒化锑薄膜太阳能电池的背表面。本 发明通过对硒化锑薄膜太阳能电池中硒化锑薄膜层的背表面进行处理 改进,有效降低了硒化锑薄膜太阳能电池的背接触势垒,达到了提高 器件的填充因子的效果,进而提高了硒化锑薄膜太阳能电池的
华中科技大学 2021-04-14
一种无空穴传输材料钙钛矿薄膜异质结电池的制备方法
本发明公开了一种无空穴传输材料钙钛矿薄膜异质结电池的制备方法。该方法在传统的 PbI2 前驱体 溶液中加入少量 PbCl2,以提高 PbI2 在溶剂中的溶解性,以免在旋涂时形成不均匀的晶核,影响钙钛矿 生长的均匀性。在空气中 100℃烧结 5 分钟后,往钙钛矿层上刮涂上一种含有 CH3NH3I 的碳浆,在空气 中 100℃烘干,再次刮涂上一层不含 CH3NH3I 的碳浆以降低器件电阻。最后 50mg/mL?PMMA 的甲苯溶 液均匀滴在碳电极上
武汉大学 2021-04-14
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