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芜湖县易太教育设备有限公司 2021-08-23
锂离子电池研究、固态电池、固态钠离子电池
陈立泉院士 1940 年生于四川南充,1964 年毕业于中国科学技术大学物理系,同年到中国科学院物理研究所工作至今。2001 年 11 月当选为中国工程院院士,是专注中国锂电池第一人。他在中国率先开展锂电池及相关材料研究。在国内首先研制成功锂离子电池。解决了锂离子电池规模化生产的科学技术与工程问题,实现了锂离子电池的产业化。他曾是物理所高温超导材料研究的负责人和主要研究者,首次发现 70K 超导迹象,研制出液氮温区超导体并首次公布了材料成分。近年来,开展了全固态锂电池、锂硫电池、锂空气电池、室温钠离子电池和固体氧化物燃料电池中的物理化学过程及相关材料的设计、合成、表征、物理和电化学性能及其应用研究。为开发下一代动力电池和储能电池奠定了基础。发表论文 250 余篇,申报发明专利15 余项。 2021 年 1 月 17 日,陈立泉院士在中国电动汽车百人会论坛(2021)上表示:“目前液态锂离子电池的能量密度到了 300 瓦时/公斤,已经达到了一个极限。下一步或者新一代电池要发展固态电池,逐渐要过渡到全固态锂电池。同时我们还应该发展钠离子电池,它的电解质目前是液态电解质,下一步也要发展固态钠离子电池。”
中国科学技术大学 2021-04-13
锂离子电池、钠离子电池
钱逸泰院士,江苏无锡人,无机化学家,中国科学院院士。1962 年毕业于山东大学化学系。1997 年当选为中国科学院院士。2005 年起为山东大学胶体与界面化学教育部重点实验室学术委员会主任。2008 年当选英国皇家化学会会士。主要研究方向包括:1、新型过渡金属氧化物,无机非金属等纳米材料制备;2、石墨烯复合材料的自组装制备及应用;3、新型纳米材料及复合纳米材料在新能源领域的应用,如锂离子电池、钠离子电池、超级电容器等。近年来,钱逸泰领衔的资源循环与清洁能源创新团队从事锂离子电池电极材料化学制备的研究,发展了纳米硅等电极材料的简单合成技术,并被全球著名期刊《Nature Materials》作为亮点研究报道。2020 年重要锂电成果有:Energy Storage Materials:MXene 骨架上非晶液态金属成核晶种实现各向同性的锂成核和生长助力无枝晶锂负极Adv. Energy Mater.:通过改变阳离子溶剂化鞘结构在水系电解液中形成固态电解质界面Energy Storage Materials:室温液态金属的界面钝化实现 5 V 锂金属电池在商业碳酸酯基电解液中的稳定循环ACS Nano:商用合金和 CO 2 制备的二维硅/碳助力柔性 Ti 3 C 2 Tx-MXene 基锂金属电池
山东大学 2021-04-13
一种溴铅铯单晶制备方法
本发明公开了一种溴铅铯单晶制备方法,采用镀有碳膜的具有 圆锥形尖端的安瓿装载溴铅铯粉料,具体包括如下步骤:将安瓿抽真 空密封;对安瓿按其圆锥形尖端到溴铅铯粉料顶端的方向梯度加温, 使置于安瓿中的溴铅铯粉料充分熔化;对安瓿缓速降温,直到溴铅铯 粉料顶端的温度比溴铅铯的凝固点低 0~5℃后保温,完成溴铅铯单晶 生长;对溴铅铯单晶分阶段降温:第一阶段快速降温,使溴铅铯单晶 快速冷却;第二阶段慢速降温,实现溴铅铯单晶晶体相变转化。本发 明提供的上述溴铅铯单晶制备方法,在单晶生长中与单晶降温中采用 了不同的降温速度,且采用了分阶段降温的方法,兼顾了晶体生长质 量与生长周期,有效解决现有技术在单晶制备过程因内应力导致溴铅 铯单晶开裂的问题。 
华中科技大学 2021-04-11
关于超薄单晶铅膜界面超导的研究
通过使用铅的条状非公度相作为铅膜和硅衬底的界面,用超高真空分子束外延技术成功制备出一种宏观面积的、塞曼保护的新型二维超导体。系统的低温强磁场实验表明,该体系的超导电性可存在于超过40特斯拉的平行强磁场中,这一数值远超过体系的泡利极限,是塞曼保护超导电性的直接证据。第一性原理计算结果也表明,条状非公度相中特殊的晶格畸变会延伸至铅膜中,从而在该体系中引入很强的塞曼自旋轨道耦合。同时,新的微观理论也给出了强杂质情形下各种自旋轨道耦合及散射效应对二维超导临界场的影响并定量地解释了塞曼保护超导电性的物理机制。该工作表明,可以通过界面工程在中心反演对称性保护的二维超导中引入面内中心反演对称性破缺,也即在二维晶体超导体系中人工引入塞曼保护的超导电性机制。这一结果预示出人们有望在二维超导体系中,通过界面调制发现新的非常规超导特性。这种宏观尺度强自旋轨道耦合下的二维超导,也为拓扑超导的探索提供了新的平台,并为未来无耗散或低耗散量子器件的设计与集成奠定了基础。图 (a) 脉冲强磁场实验表明6个原子层厚铅膜的超导电性在高达40 T的水平强场下仍不被破坏。(b) 临界场随温度的关系与理论高度重合,有力地证明了超薄铅膜中的塞曼自旋轨道耦合保护的超导电性。 (c) 对外延生长于条状非公度相(SIC)界面上的超薄铅膜进行磁阻测量的示意图。
北京大学 2021-04-11
一种溴铅铯单晶制备方法
本发明公开了一种溴铅铯单晶制备方法,采用镀有碳膜的具有 圆锥形尖端的安瓿装载溴铅铯粉料,具体包括如下步骤:将安瓿抽真 空密封;对安瓿按其圆锥形尖端到溴铅铯粉料顶端的方向梯度加温, 使置于安瓿中的溴铅铯粉料充分熔化;对安瓿缓速降温,直到溴铅铯 粉料顶端的温度比溴铅铯的凝固点低 0~5℃后保温,完成溴铅铯单晶 生长;对溴铅铯单晶分阶段降温:第一阶段快速降温,使溴铅铯单晶 快速冷却;第二阶段慢速降温,实现溴铅铯单晶晶体相变
华中科技大学 2021-04-14
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