高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
开发了一种低成本高性能的n型PbS基热电材料
该研究开发了一种低成本高性能的n型PbS基热电材料,其成本只有传统商用PbTe基材料的20%,而热电性能则相当,本研究还基于所开发的热电材料制备了热电发电器件,实现了废热到电能11.2%的能量转换效率。该项成果能够极大地推动低成本热电材料的开发,加速热电发电技术的商用化进程。
南方科技大学 2021-04-14
一种新型高冲击韧性非晶基复合涂层及其制备方法
本发明提供一种新型高冲击韧性非晶基复合涂层及其制备方法, 其中复合涂层由一种铁基非晶合金涂层与一种晶态金属涂层交互叠加 构成,晶态金属涂层与基材直接接触,复合涂层的最外层为铁基非晶 合金涂层;复合涂层中非晶涂层及晶态涂层的界面结合紧密,不存在 连续孔隙;复合涂层采用超音速火焰喷涂技术获得;复合涂层与金属 基体具有高结合强度;复合涂层的冲击韧性远高于单相铁基非晶合金 涂层。本发明获得的复合涂层可在各种金属基体表面进行大
华中科技大学 2021-04-14
炭基负载α-FeO(OH)土壤与地下水修复材料及其制备方法
本发明公开了炭基负载α‑FeO(OH)土壤与地下水污染修复材料和制备方法,将秸秆、凹凸棒土、高岭土、沸石粉在Na6
中国农业大学 2021-04-14
中国科大实现硅基量子芯片中自旋轨道耦合强度的高效调控
郭国平教授、李海欧教授等人与中科院物理所张建军研究员、纽约州立大学布法罗分校胡学东教授以及本源量子计算有限公司合作,在硅基锗空穴量子点中实现了自旋轨道耦合强度的高效调控,为该体系实现自旋轨道开关以及提升自旋量子比特的品质提供了重要的指导意义。
中国科学技术大学 2022-06-02
钴镍基配位聚合物的构筑及电催化析氢性能研究
配位聚合物是由无机金属中心与桥连的有机配体通过自组装相互连接,形成的一类具有周期性网络结构的晶态多孔材料。 一、项目进展 创意计划阶段 二、负责人及成员 姓名 学院/所学专业 入学/毕业时间 祝涣钧 化学与化工学院应用化学专业 2019年9月至2023年6月 吴凌志 化学与化工学院应用化学专业 2019年9月至2023年6月 郑毅 化学与化工学院应用化学专业 2019年9月至2023年6月 王梓 化学与化工学院应用化学专业 2019年9月至2023年6月 武辰禹 化学与化工学院应用化学专业 2019年9月至2023年6月 三、指导教师 姓名 学院/所学专业 职务/职称 研究方向 覃玲 化学与化工学院 副教授 多功能配位聚合物材料的合成及应用研究 四、项目简介 配位聚合物是由无机金属中心与桥连的有机配体通过自组装相互连接,形成的一类具有周期性网络结构的晶态多孔材料。它具有多样的拓扑结构,并且稀疏多孔,密度较低。这些特点使得它在吸附,催化,储能的各个方面有着优良的效果。 本项目主要目的在于合成钴/镍基配位聚合物,选择合适的有机配体与金属离子钴/镍通过配位键构筑得到钴镍基配位聚合物,利用单晶衍射、元素分析、红外光谱等方法对其结构及组成进行表征,或者通过合成和掺杂的方式,调控它的析氢性能,设计出高催化活性和稳定性、低成本的非贵金属催化剂。 项目组成员通过设计选择有机配体与金属离子,通过溶剂热方法合成了多种金属有机框架材料,并将其热解得到衍生材料。通过线性伏安扫描法等多种实验方法测试了它们的电催化性能,其中化合物Ni-MOF的初始电位为-356mV,Tafel斜率127.3 mV⋅dec-1。Co-MOF通过掺杂Zn2+后,过电位降低到-307 mV,Tafel斜率150.2 mV⋅dec-1。我们还合成了一种对金属离子(Fe3+)与抗生素(加替沙星)有明显检测效果的锌基材料,可作为多功能探针检测水中金属离子和抗生素的残余量。由于化合物没有催化位点,我们通过掺杂钴金属的方式,改善了它的电催化析氢性能,使它具有较低的初始电位(-423 mV)、较低的Tafel效率(101.9 mV⋅dec-1)和较好的循环稳定性。 项目为研究高性能和稳定性的HER电催化剂及金属离子和抗生素荧光探针材料的设计合成提供了可行的思路。
合肥工业大学 2022-07-27
一种骨髓间充质干细胞体外培养基及其应用
本发明提供了一种增强骨髓间充质干细胞移植后生存能力和血管新生能力的细胞体外培养基及处理方法,所述的培养基由常规细胞培养基中加入终浓度为500~2000μmol/L的DMOG制得;所述方法包括:将经传代培养稳定的骨髓间充质干细胞置于DMOG终浓度500~2000μmol/L的细胞培养基中,培养24~36小时,获得处理后的骨髓间充质干细胞用于细胞移植。本发明的有益效果主要体现在:通过DMOG预处理,可有效提高人骨髓间充质干细胞的生存能力和管腔形成能力,能提高人骨髓间充质干细胞移植修复组织损伤的疗效。
浙江大学 2021-04-13
糖蜜基催化剂及其的制备方法和在合成生物柴油中的应用
本发明公开一种糖蜜基生物质磺化碳催化剂的制备方法,包括将固体糖蜜与氢氧化钠研磨混合后,于惰性气氛下,在500℃~650℃煅烧,得到活性炭,之后与浓硫酸进行磺化反应,得到所述催化剂。本本发明以制糖工业的副产品糖蜜为原料,碳源来源丰富且廉价易得、工艺简单,催化剂具有较高比表面积和转化率,可以使副产物高值化利用,具有一定的工业化实用价值。
南京工业大学 2021-01-12
蛋黄壳结构的钴基纳米酶及其在汞离子检测中的应用
本发明属于污染物检测技术领域,涉及一种蛋黄壳结构的钴基纳米酶及其在汞离子检测中的应用。将六水合硝酸钴和十六烷基三甲基溴化铵加入水中并混合均匀;与2‑甲基咪唑溶液混合搅拌反应,制得ZIF‑67立方体。加入乙醇中并混合均匀,与多元含氧酸的水溶液混合均匀,然后进行搅拌反应,制得ZIF‑67/PTA。加入乙醇溶液中并混合均匀,随后加入氯金酸溶液和硼氢化钠溶液,然后进行搅拌反应,制得ZIF‑67/PTA/Au。本发明所合成的材料具有蛋黄壳纳米立方体的介孔结构,原材料价格廉价,性能稳定,适合大批量合成。可实现对Hg²⁺的可视化检测。
南京工业大学 2021-01-12
III-V族半导体合金体系热、动力学计算机辅助分析系统
III-V族半导体合金体系热、动力学计算机辅助分析系统建立并完善了含Al-Ga-In-N-P-As-Sb-C-H等多元体系的III-V族合金化合物半导体热力学数据库,使之成为当前国际上数据资源相对丰富、可靠程度高的专业型数据库。在此基础上,应用该计算机辅助分析系统,可采用统一的成分空间表达方式,将覆盖四元半导体整个成分空间的光电性能(能量间隙或波长)、与相应衬底匹配的成分条件、以及各种温度下发生溶解间隙的成分范围,投影于一平面,构成III-V族半导体体系综合优化图,用以对金属有机物气相外延工艺进行辅助分析、确定满足优质半导体生长的成分空间、预测外延层半导体的成分等。同时,该系统还发展了非平衡过程分析研究方法:亚稳平衡处理、条件平衡处理和不可逆过程分析处理等,这些方法有助于III-V族半导体液相外延、气相外延和金属有机物气相外延工艺过程的热力学分析。 该项目面向光电子材料和器件的研制与生产 III-V族半导体合金体系热、动力学计算机辅助分析系统,目前主要是作为应用研究,服务于有关光电子材料和器件的研制与生产过程中工艺条件的辅助设计,以促进III-V族半导体液相外延、气相外延和金属有机物气相外延工艺逐步从经验设计迈向科学设计,在相关领域的高技术产业化方面起积极作用。 Al-Ga-In-N-P-As-Sb-C-H等多元体系的III-V族合金化合物半导体热力学数据库;瑞典皇家工学院Thermo-Calc相平衡热力学计算软件。
北京科技大学 2021-04-11
高密度低合金粉末冶金结构件制备新技术与应用
本技术基于粉体流变塑变特性和改性原理,创立了一条通过优化粉体粒度组成、改善粉体塑性变形能力,采用一般成形与烧结设备制备高密度低合金粉末冶金结构件的新途径。其主要工艺流程为:首先根据水雾化铁粉颗粒的形状和粒度特征,按比例进行合批,添加母合金粉末和增塑剂(Polylub)混合后,在还原炉(温度760-820℃)中进行塑化处理,再添加专用润滑剂(C38H76N202)及石墨,获得具有良好压缩性和成形性的混合粉末;混合粉末在室温状态下,经模压成型,高温烧结后得到高密度粉末冶金结构件。与传统工艺相比,该新工艺具有以下特点和创新点:①以国产水雾化铁粉为主要原料,通过综合利用优化粉末粒度组成、添加母合金粉、增塑剂进行塑化处理,再添加石墨和润滑剂等制备高密度低合金成型粉末,显著提高了原料粉末的压缩性和成形性,为生产高密度粉末冶金结构件提供了原料保障;②针对产品结构和形状特点,改造设计了三上三下专用模架及自动送料系统,实现自动移粉,采用模壁润滑技术,有效控制了产品成分和密度的均匀性,生产效率提高1倍;③可以采用传统压机和烧结设备,所需新增投资少,制造成本低;④与原机械加工的结构件相比,具有尺寸重复性好、运行噪音低、耐磨性好、使用寿命长等特点,生产成本较机加工工艺降低47%以上,较国外温压成形工艺降低60%以上。相关产品已申请国家专利20多项,其中5项授权为国家发明专利,10项授权为国家实用新型专利。
北京科技大学 2021-04-11
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 74 75 76
  • ...
  • 90 91 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1