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铜在制备钙化抑制剂中的用途
本发明公开了铜在制备钙化抑制剂或成骨抑制剂中的新用途。本发明还公开了以铜作为活性成分的钙化抑制剂和成骨抑制剂。铜具有抑制细胞钙化和抑制细胞成骨的作用，可用于治疗肌腱钙化和骨化病等疾病，临床应用前景良好。
四川大学
2016-10-27
部分氧化是提高金属氮化物催化性能的一种可行途径
研究还表明,氮氧化铬(CrO0.66N0.56)纳米颗粒具有优异的氮气还原催化活性。在自制的质子交换膜电解池装置中，氨气生成速率在2V时可达8.9×10-11 mol s-1 cm-2 和15.56μg h-1 mg-1，其最高库伦效率在1.8V时达到了6.7%。在相同测试条件下，氮氧化铬催化性能远优于氮化铬（CrN）。研究发现，氮化物的部分氧化使得氮氧化铬催化剂表面的电子特性发生变化，从而提高氮还原的催化活
南方科技大学
2021-04-14
二硼化镁超导线材的制备及应用
该项目采用连续管线成型及填充技术，将纳米掺杂和连续管线成型（CTFF）加工工艺结合在一起。/line应用领域:超导磁体;超导电机;超导储能器；超导限流器等强电领域及国防军工。
东南大学
2021-04-10
一种超导电机的力矩传导结构
本发明公开了一种超导电机的力矩传导结构，其特征在于，该 力矩传导结构设置于低温转子与常温电机轴之间，且其为圆筒状的支 架状刚性结构，由此在所述低温转子与所述常温电机轴之间形成延长 的热传导路径。按照本发明实现的多层力矩传导结构，能够通过法兰 与梁结构配合使用，在结构部件中合理开孔以增加热传导路径，从而 显著减小力矩传导结构的漏热；从低温转子的内部支撑转子系统，充 分利用了转子与电机主轴之间的空间，不会占用额外的轴向空间，不 会增加电机的轴向长度；该多层力矩传导结构加工方案灵活，尤其适用于大型超导电机
华中科技大学
2021-04-14
一种超导磁体磁场分布测量装置
本发明公开了一种超导磁体磁场分布测量装置。其中，大齿轮 的中心开孔，通过轴承安装在工作台上；第一支架固定在工作台上， 小齿轮的两端分别通过轴承与工作台和第一支架固定；第一手轮与小 齿轮连接；导轨固定在大齿轮上，滑块安装在导轨上；第二支架固定 在滑块上；螺杆穿过驱动板与驱动板通过螺纹连接，螺杆垂直于工作 台，其两端分别通过轴承与滑块和第二支架固定；固定杆穿过大齿轮 的中心开孔和工作台，垂直于工作台，其一端固定在驱动板上；高斯 计安装在固定杆的另一端；通过转动第一手轮和移动滑块，能使固定 杆的移动轨迹遍
华中科技大学
2021-04-14
高性能n-型有机半导体
在梯形双噻吩酰亚胺小分子的基础上，设计并成功合成了一系列具有半梯形结构的全受体类型均聚物PBTIn（n = 1-5），并深入研究了这些材料的构性关系。实验表明，均聚物的聚合方法选择至关重要，通过Stille和Yamamoto偶联方法对比发现，Stille聚合能够得到高分子量、低缺陷态、高性能的高分子半导体；采用全受体结构能够有效拉低前沿轨道能级，基于这些均聚物材料的有机薄膜晶体管都表现出良好的单极性n-型性能，晶体管器件的关电流仅为10 −9 -10 −10 A，电流开关比高达10 6 ；晶体管迁移率性能与构建单元长度反向关联，PBTI1的最高电子迁移率为3.71 cm 2 V -1 s -1 ，该迁移率是全受体均聚物材料中的最高纪录，比PBTI5的电子迁移率高出两个数量级。 通过深入表征发现，这一系列全受体类型均聚物表现出来的晶体管迁移率趋势与其半导体薄膜结构有序度直接相关。拉曼光谱表明，梯形构建单元共轭长度的增加带来较大的单体间扭转角，影响聚合物骨架的平面性。同步辐射X射线衍射表明，梯形构建单元的增长使得聚合物薄膜中π-π堆积方向的结晶性降低，不利于电子的分子间传输。这些结果表示，较长的单体结构会对聚合物薄膜形貌和载流子传输造成负面影响，因此发展更长的梯形构建单元对全受体类型均聚物迁移率的提升不会带来帮助。该研究表明全受体结构是实现高性能单极性n-型聚合物材料的有效途径，同时为n-型梯形小分子和聚合物的结构设计和发展提供重要参考依据。
南方科技大学
2021-04-13
高压大功率半导体器件IGCT
1. 痛点问题
功率半导体是支撑能源领域发展的核心部件。为实现3060双碳目标，我国正在超常规推动新能源发电、大容量输配电和电气化交通等领域，对电压等级4.5kV以上的功率器件需求急速增长。提高器件电压和容量可以减少器件串并联数量、缩减装备体积和成本，是解决城市用地紧张、降低海上风电平台建设成本的关键。然而，受工作机理和制备工艺限制，IGBT器件最大功率等级为4.5kV/3kA和6.5kV/0.75kA，已接近瓶颈，无法满足能源发展需求。因此，亟需更高电压、更大容量、更高可靠性和更低制造成本的功率半导体器件解决方案。
2020年，中国功率半导体市场规模达2000亿元，但90%以上依赖进口，尤其是4.5kV以上器件，近乎全部进口。亟需寻求自主可控的功率半导体器件国产替代方案。
2. 解决方案
本技术面向新能源发电和输配电领域大容量、高可靠的需求，提出了自主化IGCT器件（集成门极换流晶闸管）的设计、制备和驱动控制方案，可以提高阻断电压和关断电流能力、降低器件运行损耗，且可以结合应用工况开展定制优化，如改善器件防爆特性、解决高压装置中的驱动供电问题等，从而实现大容量、高可靠、低成本、高效率的能量管理和功率变换。
目前团队已研制出4.5kV/5kA和6.5kV/4kA的IGCT器件，功率等级全面覆盖IGBT，且具有向更大容量发展的潜力。与IGBT、MOSFET等晶体管器件相比，本技术提出的IGCT具有通态损耗低、耐受电压高、可靠性高、抗干扰能力强等突出优势，符合能源发展趋势，且制造工艺沿用基本沿用传统的晶闸管路线，制造成本低，国内工艺基础好。
清华大学
2021-10-26
二维半导体材料与器件
提出了层数调制、栅极电压调制和自组装单分子层调制等物理、化学改性策略，显著调控了MoS2载流子浓度和功函数，为开发低接触电阻的高性能纳电子器件提供了手段，研究成果发表于ACS Nano、APL等知名期刊，应邀为Adv. Mater.撰写综述一篇。
哈尔滨工业大学
2021-04-14
一种基于回转式固定床的二氧化碳高温循环脱除方法
本发明公开了一种基于回转式固定床的二氧化碳高温循环脱除方法，填充钙基吸收剂的固定床转子旋转至高温烟气侧通道，烟气中CO2被钙基吸收剂填料脱除并形成CaCO3，脱除CO2后烟气排出，CaO则通过碳酸化反应转化为CaCO3；固定床转子继续携带已转化为CaCO3的填料旋转至燃料气侧通道，燃料气与纯氧通入该区域发生燃烧并放出热量为CaCO3分解供热，释放出高浓度CO2，随后CO2由该反应区排出并被封存或作他用，CaCO3分解再生为CaO；内部填料再生后的固定床转子重新旋转至烟气侧捕获分离烟气中CO2，利用转
安徽建筑大学
2021-01-12
耐高温防静电台垫 耐300度高温防静电台垫
产品详细介绍深圳市利盛泰静电科技有限公司0755-276705580755-2767064813510890109www.lst-esd.com产品简介:防静电台垫（地垫）主要用导静电材料、静电耗散材料及合成橡胶等通过多种 工艺制作而成。台垫使用时间持久，具有很好的防酸、防碱、防化学熔剂特性，并且耐磨，易清洗;铺设防静电台垫使人体及台面接触的ESDS镊子、工具、器具、仪表等达到均一的电位并释放静电，同时使静电敏感器件（SSD)不受摩擦起电等静电放电现象的干扰，从而达到静电防护的效果。产品一般为二层结构，表面层为静电耗散层，底层为导电层。表面层为约0.3-0.5mm厚的静电耗散层，底层为约1.5-1.7mm厚的导电层。● 面层电阻率：107-109Ω● 底层电阻率：103-105Ω● 磨耗率：<0.02g/cm2● 静电耗散时间：<0.1s
深圳市利盛电子有限公司
2021-08-23