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高场超导核磁共振波谱仪的关键技术转让
高校科技成果尽在科转云
武汉大学 2021-04-10
一种基于能量快速转移的混合式直流超导限流器
本发明公开了一种基于能量快速转移的混合式直流超导限流器, 属于电工技术领域。其包括两个电感线圈、直流快速开关、旁路电阻、 定值电阻以及金属氧化物避雷器,两个电感线圈并联,两个电感线圈 由超导导线绕制、其匝数相同、结构一致、磁通正向耦合,直流快速 开关与超导电感线圈整体串联以形成串联支路,旁路电阻并联在串联 支路两端,定值电阻并联在快速开关两端,两个金属氧化物避雷器分 别并联在两个电感线圈两端。本发明限流器能够在直流系统正常状态 下为输电线路提供一个超导态的没有阻性损耗的平波电抗,还能在直 流系统发生单极接地故障或者两级短路故障时,快速有效地抑制短路 电流峰值,还能保护超导电感线圈安全稳定运行。 
华中科技大学 2021-04-11
在拓扑外尔半金属晶体中观测到非平庸的超导特性
通过电输运、扫描隧道谱、比热、抗磁性等系统的实验研究并结合第一性原理计算,在掺硫的第二类拓扑外尔半金属二碲化钼单晶中发现了非平庸超导态的特征。实验中所使用的硫掺杂的高质量二碲化钼晶体是通过化学气相输运的方法合成的,掺杂比例约为0.2。 首先通过准粒子干涉实验与第一性原理计算相结合,在样品表面探测到了费米弧拓扑表面态的存在。最后通过扫描隧道谱学和比热的测量对比,发现样品表面态的超导能隙远大于体态的超导能隙,而且该样品表面态的能隙与临界温度的比值(Δ/kBTc)约为8.6,远大于常规超导材料的能隙与临界温度的比值(约为1.76),表明了表面态具有非常规超导库珀对配对机制,极可能是拓扑超导的普适特征。然后通过电输运测量和比热测量,发现这种材料为s波超导体,且它的超导能隙的带间耦合很强,超导对称性应为s+- 对称性。这可能是继铁基高温超导之后,又一种新的s+-超导体。而且根据理论预言,拓扑外尔半金属中s+-对称性的超导态会形成拓扑超导态。掺硫的第二类拓扑外尔半金属二碲化钼单晶中拓扑超导特征的发现,证实了外尔半金属中实现拓扑超导的可行性,推动了拓扑超导相关领域的进一步发展,也为拓扑量子计算机的最终实现奠定了前期的科研基础。图一. 电磁输运实验观测到的s+- 超导的证据,揭示拓扑超导的可能性。 (A) 电磁输运实验的测量示意图。 (B) 超导转变温度附近的电阻率-温度关系。(C) 各个温度和磁场下的电阻率。(D) 超导上临界磁场和温度的关系。红色的线是两带超导模型的拟合曲线,拟合结果发现带间耦合比较大,表明该超导行为是s+- 超导。图二. 扫描隧道显微镜观发现表面态的超导能隙远超过体态的超导能隙,揭示出拓扑超导的可能性。(A) 4 K和0.4 K下样品表面的微分电导dI/dV谱。在0.4 K下,超导能隙是1.7 meV,远大于体态的超导能隙,且能隙与临界温度的比值约为约为8.6,远大于常规超导材料的能隙与临界温度的比值(1.76)。4 K时样品处于非超导态。(B) 0.4 K超导dI/dV谱和各向同性BCS超导谱的对比。(C) 0.4 K时,不同磁场下的超导dI/dV谱,超导能隙被外加磁场所抑制。
北京大学 2021-04-11
一种超导电感电容混合储能脉冲功率电源
本实用新型公开了一种超导电感电容混合储能脉冲功率电源,包括初始充电电源、可控开关、储能电容器、非线性电阻、三绕组脉冲变压器、二极管和负载;本实用新型结构将超导电感储能和电容储能有效结合,并利用三绕组脉冲变压器将能量进行快速压缩和释放;电容器集储能和限压两种功能并且通过LC振荡回路加速了能量向负载传递的速率和效率;压敏电阻使原边超导线圈中的剩余电流快速衰减,提升了能量传递效率。
西南交通大学 2016-10-24
国科大材料学院黄辉团队在基于C-S键活化的室温交叉偶联制备聚合物半导体材料研究中取得重要进展
该项工作发展了首个利用碳-硫键活化的Stille交叉偶联聚合。在温和的反应条件下,制备了一系列高温Stille反应难以获得的聚合物半导体材料,从而为合成低成本,高性能的有机/高分子半导体材料提供了新的研究思路。
中国科学院大学 2022-06-01
Beeker沉积物原状采样(柱状沉积物)
产品详细介绍Beeker取样器是在水下土壤中静态取样的工具。样本收集到透明管中,这样它就能将材料保持在原位上,可以据此做出清楚的剖面描述。技术参数采样深度:5米 采样管尺寸:直径63×57mm,长度100/150cm配置:包括一个完整的沉积物采样器,不同长度的采样管,活塞,顶部的锤击头和扩展连接杆,一个真空手泵,一个压力手泵,软管绞盘和软管,一个气动排放和分离系统(04.23.SB型),一个工具包,各种附件和铝质装运箱。采样原理在采样前,一个坚硬的切割头安装在采样管底部。一个垫圈安装在采样官顶部。切割头和垫圈用带子紧密连接,采样管被它们夹紧。这种构造可以用在不同长度的采样管上(最大1.5米)。一个橡胶隔膜装在切割头里,可以在一定压力下膨胀并完全关闭切割头,可以保证采样器提起时,样品完好保存。通过使用扩展连接杆和顶部的锤击头,可以将采样器插入到底泥中。通过使用活塞,Beeker采样器可以避免对样品产生压缩的问题。采样前,将活塞装在切割头里。当切割头位于沉积物上时,活塞通过绳子保持在一个固定高度(例如将绳子固定在船的栏杆上)。当采样管下降时,活塞保持静止状态。采样管被推入沉积物中,环绕着活塞。由于摩擦的作用而产生的压缩被部分真空产生反作用抵消。通过Beeker采样器采集的样品压缩率最大只有4-5%,其它的采样系统通常会压缩30%以上。采样管被密封以后,通过使用水-气动排放和分离系统,样品可以再细分成更小的、非破坏性的样品,用来深入研究。取样完成后,取样管密封,通过液压-气压排出和分离设备,样本可再分为更小的静态样本,以备相关的深度分析。全套装置包括:一套完整的沉积物取样工具,各种长度的取样管,活塞,顶杆和加长杆,一个真空/压力泵,真空/压力存储器,带软管的软管卷盘,一个排出/分离设备,一套工具,各种附件,以及一只铝制搬运箱。优点装备完整,并带有详尽手册。土壤剖面和密度保存较好。由于样本的真实直径,周围很少有样本撒出。沉积物的静态取样取样器重量轻,使用简便,所以一天之内可以采集多个样本。有了气压存储器和粗软管连接,取样器非常灵活,用途广泛。取样器可处理各种密度不同的沉积物,从含水很多、没有粘性到松散的沙土,不受土壤分层的影响。用液压-气压排出和分离设备,可轻松控制样本的排出以及/或者分离。标准装置可用于水中最深5米。在某些情况下,使用加长杆,还可在更深处采集样本。注意:随着取样深度的增加,流水中取样会越来越困难
成都耀华科技有限公司 2021-08-23
补骨脂提取物和淫羊蕾提取物的组合物及其复方制剂
本专利(专利号:ZL201110246292.3 ,发明人系荣昌校区教师,长期从事新中兽药的研发),涉及中 药提取物的组合物,特别涉及补骨脂黄酮提取物和淫羊霍提取物的组合物,还涉及补骨脂黄酮提取物和淫羊 蕾提取物的复方制剂及其制备方法。其目的目的之一在于提供一种含补骨脂提取物和淫羊霍提取物的组合 物,能缓解动物的疲劳及提高动物的能量代谢,提高动物竞技能力。本专利拟以独占许可方式转让企业,并为申报新兽药作准备。如果成功上市,能有效提高动物的竞技活 动,加之无抗生素残留问题,市场前景非常可观。
西南大学 2021-04-13
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一,具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点,能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求,正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比,目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上,从而减少甚至取消冷却系统,大幅度降低系统体积和重量,因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管(图1,有源区面积0.9mm2);4000V/30A的SiC PiN二极管(图2);击穿电压>5000V的SiC JBS二极管(图3)。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件:(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件:(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件:(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学 2021-04-10
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学 2021-04-10
双层标准鼠笼导体转子高转矩密度永磁调速器
本发明公开了一种双层标准鼠笼导体转子高转矩密度永磁调速器,包括同一中心轴设置的输入轴和输出轴,所述输入轴上穿设有导体转子,所述输出轴上穿设有可相对同心旋转的第一永磁转子和第二永磁转子;所述第一永磁转子、导体转子和第二永磁转子三者沿径向依次同心套设,其中第一永磁转子和导体转子之间相隔有第一气隙,导体转子和第二永磁转子之间相隔有第二气隙。本发明通过旋转第一永磁转子或者第二永磁转子,改变第一永磁转子和第二永磁转子之间的相对旋转角度,实现永磁调速器的调速功能;在调速过程中仅需克服齿槽转矩,还区别于现有技术中采用调整磁转子与导体转子之间的轴向气隙实现调速功能,有效减小了永磁调速器的轴向长度。
东南大学 2021-04-11
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