在超大尺寸单晶金属箔库的制备领域再次取得重要进展，研究团队创造性提出晶体表界面调控的“变异和遗传”生长机制，在国际上首次实现种类最全、尺寸最大的高指数晶面单晶铜箔库的制造。 发现氧化物衬底释放的游离氧可以把石墨烯单晶畴的生长速率提高150倍（Nature Nanotech

项目研究内容 ：本项目符合国际国内电子信息产品生产制造的环保要 求，对 PCB 行业的主要原材料之一的电解铜箔的生产制造工艺入手，与 江铜耶兹铜箔有限公司进行技术合作， 共同研发绿色环保的基于高耐热硅 烷偶联剂的铜箔防氧化工艺来替代目前使用的高能耗和高污染的镀铬保 护工艺。通过这条工艺路线的研发，电解铜箔生产制造中的含有六价铬污 染源的生产工艺为更环保的工艺路线而取代和淘汰， 确保电解铜箔生产过

超薄铜箱是电子、通信、航天等产业的关键材料，而大电流电解电源是超薄铜箔高效高质生产的关键装备，对电流纹波、稳定性、功耗等技术指标要求极高，实现难度大。罗安院士发明的多高频变压器PWM全控变换电解电源技术，解决了大电流、低纹波、低功耗铜箔电解的难题。他发明的铜箔电解电源结构及控制方法，实现了IGBT的零电压开通与关断， 工作频率达20kHz，电源模块电流突破50kA，研制出了高性能大电流(50kA)铜箔电解电源装备。他发明的多电源模块阻抗匹配自动均流控制方法，突破了多电源模块并联静动态均流的国际难题，均流误差≤0.5%。 高性能大电流(50kA)铜箔电解电源装备与国际知名DYNAPOWER 公司产品相比，电流纹波由2%下降到0.5%，电耗降低12% ，独占了铜箔生产用大电流整流电源市场，广泛应用于电镀、电解、表面处理等领域，市场占有率在50%以上。

高压电器柜铜箔软连接零件是用厚度为0.03～0.1mm的铜箔叠上几十甚至上百层，然后折弯成“U”字形状，两端各打两孔，再于两端热压焊合而中间铜箔仍保持自由分层的状态。使用该“U”字形软连接，可使大电流方便地通过，又使振动得到隔离，也不会因软连接两端热膨胀冷缩造成接头松动或破坏。目前生产“U”字形状铜箔片的生产工艺均采用手动缠绕叠料，热压焊合“U”字形状的两