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一种铜与铝异种金属间的低温钎焊方法
本技术(发明专利号 ZL200910231168.2)公开了一种铜与铝异种金属间的 低温钎焊方法,是在松香酒精有机钎剂的润湿作用下,通过锌基钎料实现了铜 与铝板材的低温钎焊连接。本发明方法具有工艺简单、制造成本低、生产周期 短、能实现批量生产和便于推广应用等优点。采用本发明方法可以获得界面结 合良好的铜与铝钎焊接头,钎焊接头合格率 100%。经试验测试:铜与铝钎焊接 头的剪切强度大于 40MPa,抗拉强度大于 80MPa,能够满足电力设备上对铜与 铝连接接头的各种需求。
山东大学 2021-04-13
高低温真空探针台测试系统镀金无氧铜样品台
可进行真空环境下的高低温测试(4.2K~500K),可升级加载磁场,低温防辐射屏设计,样品台采用高纯度无氧铜制作,温度均匀性更好,温度传感器采用有着良好稳定性和重复性的PT100或者标定过的硅二极管作为测温装置,支持光纤光谱特性测试,兼容高倍率金相显微镜,可微调移动,器件的高频特性(支持频率上达67GHz),探针热沉设计,LD/LED/PD的光强/波长测试,自动流量控制,材料/器件的IV/CV特性测试等。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 高低温真空探针台测试系统镀金无氧铜样品台 应用范围: 锦正茂高低温真空探针台应用于高低温真空环境下的芯片测试,材料测试,霍尔测试,电磁输运特性等。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 可选附件: þ 防震桌 þ 多级压缩制冷机 þ 机械泵/分子泵组/离子泵 þ 射频部件 þ 各类型频率真空接头 þ 各类DC探针、高频探针、主动式探针、电缆线等… þ 各类探针夹具 þ Chuck运动装置 þ 电磁铁系统/超导磁铁系统 þ 1Mpa正压系统 þ 超高温升级选件 þ 超高真空升级选件 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 高低温真空探针台测试系统镀金无氧铜样品台   锦正科技以现代高科技产业和传统产业为核心业务,对内承接科研生产任务,对外以商务平台方式实现军民两用技术成果转换,形成了科学管理的现代化经营模式,专门从事物理、化学和材料等领域的科学仪器研发、销售各类型超低温测试设备(液氮 液氦)制冷机系统集成 ,定制 ,高低温真空磁场发生系统,Helmholtz线圈(全套解决方案),电磁铁(全系列支持定制),螺线管,电子枪(高稳定性双极性磁铁恒流电源1ppm),高低温磁场真空探针台,霍尔测试系统,电输运测量解决方案,磁光克尔效应测量系统等产品种类齐全,性能可靠,至今已有近10余年的历史,是国内(较早)生产探针台,电输运,电磁铁的厂家之一。    
北京锦正茂科技有限公司 2022-02-23
低成本非真空铜铟硒(CIGS)薄膜太阳电池制造技术
CIGS 薄膜太阳电池具有效率高,无衰退、抗幅射、寿命长等特点,采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本,预计可达到0.3$/W。 本项目产品结构为:衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al;其中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体,其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层,构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池上产生电子与空穴,被 p-n 结的自建电场分离,从而输出电能。工艺流程:普通钠钙玻璃清洗→Mo 的溅射沉积→非真空法分步电沉积Cu-In-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理(RTP)→化学水浴法沉积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→Ni/Al 电极沉积,等。
南开大学 2021-02-01
低温柔性大面积 CIGS(铜铟镓硒)太阳电池
以轻质高分子聚合物聚酰亚胺(简称 PI)为柔性衬底的 CIGS 电池不但保持着玻璃衬底太阳电池的一些优良性能,同时还具备不怕摔碰、可卷曲折叠、在制作中可按要求剪裁等特点,具有更广阔的应用前景。PI 薄膜不吸水、绝缘性能好、重量轻(70g/m2)、厚度薄(仅为 0.05mm)、表面光滑及可弯曲等特点,是高功率重量比太阳电池的首选衬底材料,其功率重量比可高达 2000W/Kg(未封装),并且由于 PI 衬底 CIGS 电池可实现大面积卷-卷(Roll-to-Roll)连续化生产,为进一步降低光伏电池成本开辟了有效途径。通过研究低温生长CIGS 薄膜中 Na 掺杂对材料生长及器件复合机制的影响,改善了器件光电性能。柔性聚酰亚胺(PI)CIGS 太阳电池大面积单体电池 2cm×2cm 与 4cm 4cm×4cm 柔性大面积 PI 衬底 CIGS 太阳电池效率分别达 8%与 7%(由中科院太阳光伏发电系统和风力发电系统质量检测中心鉴定)。
南开大学 2021-02-01
低成本非真空铜铟硒(CIGS)薄膜太阳电池制造技术
CIGS 薄膜太阳电池具有效率高,无衰退、抗幅射、寿命长等特 点,采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本,预计可达到 0.3$/W。 本项目产品结构为:衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al;其 中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体,其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层 CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层,构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池 上产生电子与空穴,被 p-n 结的自建电场分离,从而输出电能。工艺 流程:普通钠钙玻璃清洗→Mo的溅射沉积→非真空法分步电沉积CuIn-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理(RTP)→化学水浴法沉积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→ Ni/Al 电极沉积,等。 
南开大学 2021-04-11
基于铜耗最小的轴向磁场磁通切换容错电机容错控制方法
本发明公开了一种基于铜耗最小的轴向磁场磁通切换容错电机容错控制方法,使轴向磁场磁通切换容错电机发生单相断路故障时能够运行在容错状态,并使电机的铜耗最小化。逆变器采用三相四桥臂容错拓扑,根据相电流判断故障状态。当正常运行时,逆变器工作在三相三桥臂模式下,轴向磁场磁通切换容错电机控制系统采用id=0的SVPWM控制策略,分配d轴、q轴电流;当发生单相故障时,进行容错控制,逆变器工作在两相三桥臂模式下,并通过控制容错绕组电流给电机增磁,使电机整体的铜耗最小化。本发明在单相断路情况下,以铜耗最小为优化目标,
东南大学 2021-04-14
低温柔性大面积 CIGS(铜铟镓硒)太阳电池
以轻质高分子聚合物聚酰亚胺(简称 PI)为柔性衬底的 CIGS 电 池不但保持着玻璃衬底太阳电池的一些优良性能,同时还具备不怕摔 碰、可卷曲折叠、在制作中可按要求剪裁等特点,具有更广阔的应用 前景。PI 薄膜不吸水、绝缘性能好、重量轻(70g/m2)、厚度薄(仅 为 0.05mm)、表面光滑及可弯曲等特点,是高功率重量比太阳电池的 首选衬底材料,其功率重量比可高达 2000W/Kg(未封装),并且由于 PI 衬底 CIGS 电池可实现大面积卷-卷(Roll-to-Roll)连续化生产, 为进一步降低光伏电池成本开辟了有效途径。通过研究低温生长 CIGS 薄膜中 Na 掺杂对材料生长及器件复合机制的影响,改善了器 件光电性能。柔性聚酰亚胺(PI)CIGS 太阳电池大面积单体电池 2cm ×2cm 与 4cm 4cm×4cm 柔性大面积 PI 衬底 CIGS 太阳电池效率分 别达 8%与 7%(由中科院太阳光伏发电系统和风力发电系统质量检 测中心鉴定)。 
南开大学 2021-04-13
低成本非真空铜铟硒(CIGS)薄膜太阳电池制造技术
CIGS薄膜太阳电池具有效率高,无衰退、抗幅射、寿命长等特点,采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本,预计可达到0.6$/W。 本项目产品结构为:衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al;其中光吸收层CIGS薄膜为p型半导体,其表面贫Cu呈n型与缓冲层CdS和i-ZnO共同成为n层,构成浅埋式p-n结。太阳光照射在电池上产生电子与空穴,被p-n结的自建电场分离,从而输出电能。工艺流程:普通钠钙玻璃清洗→Mo的溅射沉积→非真空法沉积CIGS薄膜预置层→快速
南开大学 2021-04-14
四色磷铜低温导线Kapton绝缘层四色双绞线
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北京锦正茂科技有限公司 2022-02-19
现对部分有机客体及有机药物分子的选择性强键合
生物受体可以有效地利用非共价键作用和疏水效应实现对有机底物的高效选择性识别(图2)。相反,大多数合成主体对有机底物的识别选择性和强度较差。该课题组近期研究发现酰胺萘管能有效地利用疏水作用和氢键作用实现对部分有机客体及有机药物分子的选择性强键合,进而实现了部分水溶性较差的药物分子的增溶。这一研究在药物科学领域具有较高的应用潜力。
南方科技大学 2021-04-14
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