场效应晶体管的制备方法及利用其制备的场效应晶体管
本发明公开了一种利用电流体直写工艺制备场效应晶体管的方 法,包括:(1)在基板上制备有机半导体薄膜;(2)利用电流体直写工艺, 在具有半导体薄膜的基板上制备平行的直线纤维;(3)通过电流体直写 制备与之垂直的平行介电纤维;(4)在基板上真空沉积金属;(5)在介电 纤维两端涂覆导电银浆,引出栅电极。本发明还公开了相应的产品。 本发明的方法利用介电微纳纤维得到晶体管沟道,沟道长度尺寸与纤 维直径尺寸相当,能够达到亚微米甚至纳米级,同时该纤维也是晶体 管的绝缘层。另外通过一次金属真空沉积,可同时形成场效应
华中科技大学
2021-04-14