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超分辨纳米显微成像系统
该系统的分辨率可以达到传统显微成像系统的 2 倍以上,可以实现 80 纳米 以下的宽场成像。
上海理工大学 2021-01-12
新型纳米金属合金材料
价格低廉、无毒、环境友好的金属锡(Sn)与铋(Bi)在能源转化和存储等领域有着广泛应用。然而,由于Sn与Bi的晶格失配大(>22%)、易相分离和氧化、以及二者之间相容性低于2 at%,使得纯相Sn1-xBix合金材料的制备及其物化性质的研究成果较少被报道。
南方科技大学 2021-04-14
​碳纳米管芯片技术
芯片是信息科技的基础与推动力。然而,现有的硅基芯片制造技术即将触碰其极限,碳纳米管技术被认为是后摩尔技术的重要选项。相对于传统的硅基CMOS晶体管,碳纳米管晶体管具有明显的速度和功耗综合优势。IBM的理论计算表明,若完全按照现有二维平面框架设计,碳纳米管技术相较硅基技术具有15代、至少30年以上的优势。此外,Stanford大学的系统层面的模拟表明,碳纳米管技术还有望将常规的二维硅基芯片技术发展成为三维芯片技术,将目前的芯片综合性能提升1000倍以上,从而将物联网、大数据、人工智能等未来技术提升到一个全新高度。
北京大学 2021-02-01
用于葡萄糖色比传感的ZnFe2O4纳米颗粒-ZnO纳米纤维复合纳米材料及其制备方法
本发明公开了一种ZnFe2O4纳米颗粒-ZnO纳米纤维复合纳米材料及其制备方法。首先采用共电纺丝方法,沉积得到复合纳米纤维,然后经过适宜的退火工艺制得ZnFe2O4纳米颗粒-ZnO纳米纤维复合纳米材料,ZnFe2O4纳米颗粒均匀稳定的附着在ZnO纳米纤维上。另外,本发明首次将ZnFe2O4纳米颗粒-ZnO纳米纤维复合纳米材料用于葡萄糖色比传感测试,测试方法简单且灵敏度高。ZnFe2O4-ZnO形成II型异质节半导体,交叉的能级结构有利于减小载流子的复合,提高其催化性能、传感性能。另外,将ZnFe2O4纳米颗粒复合到ZnO纳米纤维上解决了颗粒团聚问题,进一步增强了其催化性能与传感性能。
浙江大学 2021-04-11
环氧树脂纳米复合材料用多功能碳纳米管的制备方法
本发明所涉及的环氧树脂纳米复合材料用多功能碳纳米管,适用于所有高性能复合 材料领域。由于本发明所涉及的碳纳米管具有增强、分散、界面粘结、固化等多种功能, 由其制得的碳纳米管/环氧树脂复合材料具有碳纳米管本身的高强度、高模量、良好的 韧性、低密度、导电等优点,可广泛应用于各种先进材料领域,市场前景十分可观。该 多功能碳纳米管是固态材料,储存和运输十分方便;并且本身具有了良好的分散性和界 面粘结性能,操作工艺简单,相对降低了生产成本。因而,本发明为高性能纳米复合材 料的工业化生产提供了新的途径
同济大学 2021-04-11
以聚丙烯腈微纳米球制备多壁碳纳米管
碳纳米管作为一种一维有序的纳米碳质结构和功能材料,具有比强度高、导热系数高、电导率高、表面活性高和耐化学腐蚀等特点,可在吸附、储能、储气、纳米器件、催化剂载体、高性能结构和功能复合材料等方面具有潜在的和广泛的应用前景。多壁碳纳米管作为复合材料添加剂,可以有效改善复合材料的强度等性能,其制备成本又远低于单壁碳纳米管,可望得到更为广泛的应用,这种广泛程度取决于对其在规模化、低成本、高纯度制备技术上的进一步突破。 本技术是一种以聚丙烯腈微纳米球制备高纯度多壁碳纳米管的方法,其目的在于克服现有技术如电弧放电法和激光蒸发法的下列弊端;制备过程所需能量高,成本居高不下;化学气相沉积法需要添加金属催化剂,制备的碳纳米管纯度不高,含有无定型碳和催化剂颗粒;聚合物纺丝法得到的碳纳米管纯度和收率低。采用本技术制备碳纳米管,具有不需金属催化剂、纯度高、无需纯化、分散性好和可大规模生产的特点,显著优于从核壳结构高分子微纳米球胶囊出发纺丝制备碳纳米管的方法。 技术指标:多壁碳纳米管直径为15~100纳米且可控,管壁20~40层且可控,长径比大于100且可控,纯度大于 99%。
上海理工大学 2021-04-11
纳米石墨烯-碳纳米管-离子液体复合膜及其制备与应用
本发明公开了一种纳米石墨烯-碳纳米管-离子液体复合膜及其制 备与应用,该纳米石墨烯-碳纳米管-离子液体复合膜的厚度为 4000nm 至 6000nm,该纳米石墨烯-碳纳米管-离子液体复合膜由多个石墨烯片 层相互叠加形成,相邻的两个所述石墨烯片层之间的间距为 20nm~ 50nm;相邻的两个所述石墨烯片层之间均分散有碳纳米管和离子液 体。本发明所述的复合膜比表面积高,并且该复合膜具有良好的电化 学活性,可广泛应用于纳米
华中科技大学 2021-01-12
有层次结构的纳米立方体和纳米铁花状结构的制备方法
一种有层次结构的纳米铁立方体和纳米铁花状结构的制备方法,具体作法是:取不锈钢片和钛片、不锈钢片和钛片的面积比为2.5∶1,依次用400,600,800目砂纸抛光,清洗3-5次;超声30分钟,取出备用;配置含450g/L的FeCl2,抗环血酸1.4g/L,氟化铵0.8g/L,复合氨基酸0.7g/L,柠檬酸0.086g/L,0.05mol/L盐酸的电镀液;以处理后的钛片做阴极,不锈钢片做阳极,进行0.1A的恒电流电镀,电镀时间为3-60s;电镀完后取出钛片,即获得纳米铁立方体或纳米铁花状结构。该方法制得的纳米铁为立方体及花状结构,比表面积大,活性好,且设备简单,能耗低,适合大规模生产。
西南交通大学 2016-10-20
低成本制备高效硅薄膜太阳电池关键技术研发
南开大学 1978 年在国内率先开展非晶硅材料及其电池的研究,该技术获得天津市技术发明二等奖。自“六五”至“九五”期间,连续 4个五年国家科技攻关计划,获科技部重点攻关和天津市科委的支持,经过 20 余年潜心研发,硅基薄膜太阳电池性能跻身世界先进行列。于 2003 实现非晶硅电池产业化。 2000 年始,在国内率先开展新一代硅薄膜电池的研究。2007 年,该成果实现技术转移生产。 2009 年,研制成功我国首套基于自主专利技术的、衬底面积0.79m2、线列式 5 室连续 VHF-PECVD 系统及相应中试生产线及其组件制造技术。成为国际上为数不多可开展大面积新一代硅基薄膜太阳 电池研究的单位。 2011 年,开发出年产能 2 兆瓦、具有自主知识产权的、我国首条年产能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅锗/微晶硅叠层电池生产线及其组件生产技术。生产出的太阳电池组件效率达 9.59%,将新一代硅薄膜电池技术推向产业化。
南开大学 2021-02-01
低成本制备高效硅薄膜太阳电池关键技术研发
南开大学 1978 年在国内率先开展非晶硅材料及其电池的研究,该技术获得天津市技术发明二等奖。自“六五”至“九五”期间,连续 4 个五年国家科技攻关计划,获科技部重点攻关和天津市科委的支持, 经过 20 余年潜心研发,硅基薄膜太阳电池性能跻身世界先进行列。 于 2003 实现非晶硅电池产业化。 2000 年始,在国内率先开展新一代硅薄膜电池的研究。2007 年, 该成果实现技术转移生产。 2009 年,研制成功我国首套基于自主专利技术的、衬底面积 0.79m2、线列式 5 室连续 VHF-PECVD 系统及相应中试生产线及其 组件制造技术。成为国际上为数不多可开展大面积新一代硅基薄膜太 阳电池研究的单位。 2011 年,开发出年产能 2 兆瓦、具有自主知识产权的、我国首条 年产能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅锗/微晶硅叠层电池生产线及其组件生 产技术。生产出的太阳电池组件效率达 9.59%,将新一代硅薄膜电池 技术推向产业化。
南开大学 2021-04-11
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