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教育部部长怀进鹏：发挥高校在科技创新中的主力作用，推动和加强有组织科研
加快建设教育强国 为全面建设社会主义现代化国家提供基础性、战略性支撑
《党委中心组学习》
2023-01-09
关于组织开展2023年度青海省众创空间和科技企业孵化器申报认定工作的通知
贯彻落实党的二十大精神，加快实施创新驱动发展战略，完善创新创业服务平台，促科技创业孵化体系化、专业化建设，推动科技创新创业高质量发展，按照《青海省众创空间认定管理办法》（青科发高新〔2020〕86号）和《青海省科技企业孵化器认定管理办法》（青科发高新〔2020〕87号）相关要求，从6月中旬开始组织开展2023年度省级众创空间和科技企业孵化器申报认定工作。
青海省科学技术厅
2023-06-21
关于组织开展2022年度青海省实验室、省级重点实验室分类评估工作的通知
为加强省实验室和省级重点实验室管理，聚焦省委省政府战略目标，促进实验室建设和发展，根据《青海省（重点）实验室管理办法》和《青海省重点实验室评估办法》，省科技厅委托第三方评估机构青海省科学技术信息研究所有限公司组织开展2022年度省实验室、省级重点实验室评估工作，实验室依托单位及实验室主任要高度重视，认真做好评估准备工作。
青海省科学技术厅
2023-08-07
广西壮族自治区科技厅关于组织申报2023年度广西科技创新合作基地的通知
为深入实施创新驱动发展战略，加强我区科技创新开放合作，根据《广西壮族自治区科技创新合作基地管理办法（试行）》（桂科外字〔2021〕126号），我厅决定组织开展2023年广西科技创新合作基地（以下简称合作基地）申报认定工作。
广西壮族自治区科学技术厅
2023-07-31
国科大博士生导师周奕华团队取得植物输导组织稳健性维持机制研究新进展
分析了42份水稻核心种质中纹孔变异程度，发现纹孔大小与株高等性状正相关，揭示了细胞壁精细结构对农作物生长的重要影响。该研究借助多项前沿技术手段，发现了全新的多糖区隔结构，并阐明了该结构控制纹孔纹饰形成、调控导管生理功能稳健性的分子机理。
中国科学院大学
2022-06-01
大规模集成电路用引线框架Cu-Ni-Si系、Cu-Fe-P系合金
集成电路是微电子技术的核心，与国防和国民经济现代化, 乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成, 其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路, 是芯片的散热通道, 又是连结电路板的桥梁, 因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位，目前，由于集成电路向高密度, 高集成化方向发展, 芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进，对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求，过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料, 利用铜合金优良的传热性能, 加入少量强化元素, 通过固溶强化和弥散强化提高其强度, 同时仅稍微损失导热性能。目前，铜合金框架已成为主体，形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前，由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距，我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前，本课题组通过一系列研究，开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金，并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。 一、Cu-Ni-Si系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.导电率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.导电率：60～80%IACS。
上海理工大学
2021-04-11
用于铸件表面的优良绿色锌合金电镀的强渗透性与高分散性的电镀液
本专利公开了一种无氰离子的电镀工艺，属于材料表面处理领域。该工艺本专利是采取新的电镀液，具有渗透性强、分散性好的特性。 铸件在整个电镀过程中，可以克服现有铸钢件电镀工艺的所有缺陷，实现铸件快速高效优质电镀，该工艺具有镀层厚度均匀、镀层光泽度好、镀层与铸件结合力牢固、镀层致密、镀层抗氧化能力好的特点，镀层的中性盐雾化试验、酸雾化试验达到国家规定的标准（96小时无腐蚀点）。目前该项技术已经发展成熟，有很大的推广应用价值。通过X射线能谱仪分析镀层的成分，具体分析谱图见附件。
南京工程学院
2021-04-13
西南交通大学康国政团队《Nature》子刊发表最新成果：高强铝合金焊接强韧性获突破
高强度铝合金结构强韧性差一直是困扰航空航天、高速列车等重大装备的世纪难题。自从焊接技术发明以来，铝合金熔焊结构频繁发生疲劳破坏，根源在于损伤演化机理不明。
西南交通大学
2022-10-14
多孔铜锌合金中的亲锂锌位点诱导金属锂的均匀成核与无枝晶沉积
三维（3D）亲锂集流体可以调节锂金属负极中锂枝晶生长，然而目前大部分集流体的亲锂层在高温环境下使用熔融法预储存锂时面临着熔化或脱落的挑战。针对该问题，邓永红研究团队通过简单的去合金法制备了一种带有亲锂锌位点的3D多孔CuZn合金集流体。由于亲锂锌位点以量子点的形式存在于CuZn合金中，熔融法预锂化时亲锂锌位点不仅不会融化与脱落，反而由于锌对锂具有强
南方科技大学
2021-04-14
大规模集成电路用引线框架Cu-Ni-Si系、 Cu-Fe-P系合金
集成电路是微电子技术的核心，与国防和国民经济现代化，乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成，其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路，是芯片的散热通道，又是连结电路板的桥梁，因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位，目前，由于集成电路向高密度，高集成化方向发展，芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进，对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求，过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料，利用铜合金优良的传热性能，加入少量强化元素，通过固溶强化和弥散强化提高其强度，同时仅稍微损失导热性能。目前，铜合金框架已成为主体，形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前，由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距，我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前，本课题组通过一系列研究，开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金，并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。
上海理工大学
2021-04-13