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苏州大学机电工程学院孙立宁教授团队研制磁液滴机器人相关成果发表在《Science Advances》期刊
近日,我校机电工程学院孙立宁教授、杨湛教授课题组,哈尔滨工业大学谢晖教授课题组以及德国马克斯普朗克智能系统研究所的Metin Sitti教授课题组,联合研制出能自由穿梭在极端变化环境中的尺度可调控磁液滴机器人SMFR。
苏州大学 2022-10-12
西北农林科技大学“动物重大疫病新型疫苗研发创新团队”在猪传染性胃肠炎发病机制研究方面取得重要进展
近日,我校动物医学院“动物重大疫病新型疫苗研发创新团队”在国际著名期刊Journal of Biological Chemistry在线发表了题为“A new circular RNA-encoded protein BIRC6-236aa inhibits transmissible gastroenteritis virus(TGEV)-induced mitochondrial dysfunction”的研究论文。
西北农林科技大学 2022-10-13
西北农林科技大学化药学院常明欣教授团队在合成手性二氢喹喔啉酮方面取得新进展
该研究利用二胺作为不对称还原胺化的胺源,与酮酯在手性铑催化剂作用下高效合成手性3,4-二氢喹喔啉酮。
西北农林科技大学 2022-10-13
北京大学生命科学学院季雄团队鉴定RNA聚合酶II转录工厂控制因子RUVBL2
研究者通过多种质谱筛选鉴定和多学科技术证实,AAA+家族ATPase分子RUVBL2能够直接控制活跃启动子附近的Pol II转录工厂。
北京大学 2022-11-08
《Nature Physics》刊发北京航空航天大学物理学院袁丽副教授团队希格斯粒子宽度测量成果
近日,我校物理学院袁丽副教授团队联合比利时布鲁塞尔自由大学、美国加州大学圣塔芭芭拉分校的相关团队,通过分析CMS实验数据,获得目前世界上最精确的希格斯粒子宽度测量结果,相关成果以“Measurement of the Higgs boson width and evidence of its off-shell contributions to ZZ production”为题发表在《Nature Physics》期刊上。
北京航空航天大学 2022-11-08
四川大学电气工程学院专业实验中心自研教学设备参展第61届中国高等教育博览会
4月15日,由中国高等教育学会主办,福建省教育厅、福州市人民政府、厦门大学等单位承办的第61届中国高等教育博览会在福建福州开幕。会展为期三天,四川大学优选了五个学院自研教学设备项目参展,我院专业中心自研的多模式电子转矩负载仪作为学校唯一工科类项目参展。
四川大学 2024-04-16
我国科学家实现生物3D打印技术重要突破
生物3D打印是利用3D打印机,将含有细胞、生长因子和生物材料的生物墨水打印出仿生组织结构的新兴技术,但目前仍无法制备具有生理功能并且可以长期存活的复杂组织。
科技部生物中心 2022-04-01
我国科学家研发出高阶多重实时荧光PCR检测技术
实时荧光PCR技术是目前应用最为广泛的核酸检测技术。然而,由于主流荧光PCR仪器检测通道数目的限制,单个反应所能检测的靶基因数目很难超过6个,限制了该技术在检测涉及多靶点的复杂疾病上的应用。
科技部生物中心 2022-03-23
大型电力变压器局部放电缺陷的测量与诊断技术
该成果提出了变压器局部放电检测的系统的、全面的外部干扰排除方法;提出了变压器局部放电超宽带天线阵列定位新技术;提出了变压器内部局部放电缺陷严重程度的特征参数,进而提出了局部放电缺陷的类型和严重程度的诊断方法,并且设计并实现了相应的自动诊断软件。 研究成果通过了实验室试验验证,并在上海市电力检修公司和福建省十余座变电站得到应用。该成果抗干扰技术的在线检测结果的准确性与过去相比提高了3倍,准确率提高到95%;定位技术误差一般不超过30cm;总体运算时间在秒级,Y型优化阵列准确定位区域比现有的矩形阵列大18倍。 该成果在局部放电缺陷严重程度的诊断方法和预警预测方法方面填补了国内外空白,对放电类型的严重程度识别的准确度达到了93.3%以上。授权发明专利3项,发表SCI、EI论文14篇,并获得2012年福建省科学技术奖三等奖。
华北电力大学 2021-02-01
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一,具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点,能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求,正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比,目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上,从而减少甚至取消冷却系统,大幅度降低系统体积和重量,因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管(图1,有源区面积0.9mm2);4000V/30A的SiC PiN二极管(图2);击穿电压>5000V的SiC JBS二极管(图3)。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件:(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件:(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件:(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学 2021-04-10
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