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镧钼热阴极材料及制备技术
北京工业大学 2021-04-14
高性能压电材料制备技术及其应用
内容介绍: 本项目在研究压电材料各向异性和微结构相图基础上,针对钙钛矿结 构压电陶瓷和有机压电聚合物,釆用独特工艺,制备了高性能低成本压 电陶瓷,实现了新型陶瓷成分设计、微结构表征和性能优化;结合第一 性原理密度泛函方法,建立了高性能有机压电聚合物的组织设计、结构 调控、性能分析的理论和准则。
西北工业大学 2021-04-14
低烟尘镁合金焊接材料制备技术
由于镁合金熔沸点低,在焊接过程中存在严重的烧损问题,既降低了焊接接头强度,又污染了环境,因此迫切需要开发出低烟尘镁合金焊接材料。大连理工大学通过对镁合金焊接材料成分、组织性能、成形工艺及其塑性变形机理的研究,开发出具有自主知识产权的系列低烟尘镁合金焊接材料热挤压-拉拔制备技术。该技术充分利用了合金化设计,使镁合金挥发烧损减少30%以上,同时解决了镁合金焊接材料制备过程中的温度及速度匹配等一系列问题,实现了不同直径镁合金焊接材料的制备。镁合金焊接材料热挤压-热拉拔制备技术结
大连理工大学 2021-04-14
高速机车电机悬吊板弹簧制备技术
本成果系我国自主知识产权、达到规模化生产阶段。我国380km/h高速机车悬挂电机用的板弹簧,目前均采用德国进口配件。为实现国产化,十一五期间作为“国家科技支撑计划”项目进行研究。开发出自主知识产权全套制备技术、制定出生产规范、制备出几百件板弹簧。自制板弹簧通过国家实验室台架试验、2013年通过专家评审,获得5项授权专利,其中3项为发明专利。全部指标均达到或超过国外产品。其中2项核心性能:疲劳性能高于国外产品20% ;抗腐蚀性能高于国外产品20倍以上。
西南交通大学 2016-06-28
低成本表面耐磨层复合制备技术
所属领域 先进制造成果简介 据不完全统计,由腐蚀磨损引起的机械零部件失效占总体的1/3到1/2,很多机械零部件表面需要耐磨或者耐蚀耐磨,而基体仍要求高的强韧性,这需要在零部件表面制造一层耐蚀耐磨涂层,本项目提供了一种设备投资少、成本低的复合涂层综合解决方案。 对于已经成型的零部件复合一层耐磨涂层或者表面修复,我们采取表面涂覆涂层制造技术。将粉末加粘结剂进行
北京科技大学 2021-04-14
栽培杏鲍菇的培养料及制备技术
该发明公开了一种栽培杏鲍菇的培养料配方及制备方法,它由苎麻麻骨、棉籽壳、麸皮、石膏按一定比例混合制成。其步骤是:A、装袋灭菌:将培养料组分按比例混匀,添加水进行搅拌,直至用手握紧拌好的栽培料,其水分能结成水滴,进行均匀分装、封口,自然冷却至室温;B、接种培养:在接种室超净工作台上用制备好的栽培杏鲍菇的培养料进行接种培养,将接种好的菌袋放入培养室培养架上,进行暗培养;C、出菇管理:整个出菇期要加强保湿,保温,通风,杏鲍菇子实体菌盖即将充分展开之前,菇盖边缘稍内卷,孢子尚未散发时采收。方法易行,操作简便。栽培效果显著,生物学效率明显提高,适合居住在麻园密集区的菇农进行栽培种植。 市场预期:具有良好的经济效应与生产价值,适合居住在麻园密集区的菇农进行栽培种植。 转化条件:场地:适合居住在麻园密集区的菇农进行栽培种植。 成果完成时间:2015年
华中农业大学 2021-01-12
高性能电接触材料及制备技术
(1)高强度Cu-Ni-Si系铜合金项目开发的Cu-Ni-Si系铜合金带材最终性能可以达到指标:导电率55-59%IACS,强度σb=551-621MPa,显微硬度153-184HV,延伸率δ≥8%。其强度水平为目前引线框架材料中最高的。 (2)高强高导的Cu-Cr-Zr合金系。在国家自然科学基金的支持下,开展了对Cu-Cr-Zr-Mg和Cu-Cr-Zr合金组织转变规律的研究,首次发现Cu-Cr-Zr-Mg合金在470℃时效形成了具有Fm3m点群的超点阵CrCu2(ZrMg);同时存在体心的Cr相和面心的Cu4Zr相。高温550℃时效析出相完全转变为Cr和Cu4Zr。Cu-Cr-Zr合金在时效初期形成Cu5Zr相,时效峰值状态析出相为Cu5Zr相和体心立方的Cr,且析出相与基体保持着共格关系。所获带材具有高的硬度、强度及导电率,分别可达190HV、600MPa及84%IACS,而带材的延伸率和软化温度分别可达9.4%及578℃,满足了高强度和高导电引线框架铜合金的性能,为工业化生产提供了重要依据。
上海理工大学 2021-01-12
CdS/PAMAM 纳米材料的制备及潜指纹显现技术(技术)
成果简介:本项目以聚酰胺-胺型树形分子(PAMAM)为模板制备了粒径可控、 颜色可调的 CdS/PAMAM 量子点溶液,该溶液具有较高的荧光强度;应用于潜 指纹识别时选择性吸附能力优异,发光量子点沉积在纹线上,小犁沟没有吸 附(图 1);尤其对胶带粘面潜指纹具有非常理想的显现效果,可以通过室温 反射和紫外可见荧光两种形式成像,具有较广的适应性;对陈旧指纹的显现效果良好,大大提高了使用范围。该显现液在公安部物证鉴定中心、北京市 公安局等实战部门进行了实际应用,均取得很好的效果,一致认为其操作简便、显
北京理工大学 2021-04-14
光流传感阵列实现的光斑追踪智能平板数据
随着信息技术的发展,平板电脑已经得到了普及,但是平板电脑的性能尤其是触摸屏幕的性能仍待改 进。新装置:具有自主知识产权的光点追踪智能板
中山大学 2021-04-10
多阵列忆阻器存算一体系统
随着人工智能、大数据、物联网、区块链等新一代信息技术兴起,数据量呈现爆炸式增长,传统计算系统的算力难以满足海量数据的计算需求。与此同时,摩尔定律逐渐放缓,单纯依靠提高集成度、缩小晶体管尺寸来提升芯片及系统性能的路径正面临技术极限,通过引入忆阻器新器件、模拟计算新范式、存算一体新架构,将拓展出全新的高性能人工智能芯片与系统,实现计算能力的飞跃。 目前被广泛使用的经典冯·诺依曼计算架构下数据存储与处理是分离的,存储器与处理器之间通过数据总线进行数据传输,在面向大数据分析等应用场景中,这种计算架构已成为高性能低功耗计算系统的主要瓶颈之一:数据总线的有限带宽严重制约了处理器的性能与效率,且存储器与处理器之间存在严重性能不匹配问题。忆阻器存算一体系统把传统以计算为中心的架构转变为以数据为中心的架构,其直接利用阻变器件进行数据存储与处理,通过将器件组织成为交叉阵列形式,实现存算一体的矩阵向量乘计算。忆阻器存算一体系统可以避免数据在存储和计算中反复搬移带来的时间和能量开销,消除了传统计算系统中的“存储墙”与“功耗墙”问题,可以高效、并行的完成基础的矩阵向量乘计算,未来极有潜力成为支撑人工智能等新兴应用的核心技术。 清华大学吴华强教授团队实现了材料与器件、电路设计、架构和算法的软硬件协同等多方面原始创新,解决了系统精度损失等被广泛关注的难题: 材料与器件创新。科研团队选择了电学特性稳定的二氧化铪作为忆阻层核心材料,提出了通过插入少量氧化铝层来固定离子分布、抑制晶粒间界形成的新理论,提出了引入热增强层的新原理器件结构,成功抑制了忆阻器非理想特性的产生。 电路设计创新。开发了一套忆阻器与晶体管的混合电路设计方法,提出“差分电阻”设计思想,采取源线电流镜限流设计,抑制了忆阻器电路中可能产生的各种计算误差。 算法创新。提出了混合训练算法,仅用小数据量训练神经网络并只更新最后一层网络的权重,即可将存算一体硬件系统的计算精度达到与软件理论值相同的水平。 “技术链”创新。从“单点技术突破”拓展到“技术链突破”,开发了针对忆阻器存算一体芯片的电子设计自动化(EDA)工具,打通了从电路模块设计到系统综合再到芯片验证的设计全流程。 上述理论和方法发表于《自然》《自然·纳米技术》《自然·通讯》等国际顶级期刊,以及被誉为“集成电路奥林匹克”的“国际固态电路大会”等顶级学术会议。研究成果被“国际半导体技术路线图”和30多部综述文章长篇幅引用。团队已在该研究方向申请国内外专利72项,其中30项已获得授权,知识产权完全自主可控。 团队已研制出全球首款忆阻器存算一体芯片和系统,集成了8个忆阻器阵列和完整的外围控制电路,以更小的功耗和更低的硬件成本大幅提升了计算设备的算力。全系统的计算能效比当前主流的人工智能计算平台——图形处理器(GPU)高两个数量级。团队还设计了一款基于130nm工艺研制的完整忆阻器存算一体芯片,在MNIST数据集上计算速度已超过市面上28nm工艺的四核CPU产品近20倍,能效有近千倍的优势。
清华大学 2021-02-01
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