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安徽大学在氮化镓功率器件研究领域取得新进展
近日，我校物质科学与信息技术研究院唐曦教授课题组与电气工程与自动化学院胡存刚教授、曹文平教授课题组在氮化镓功率器件领域取得最新研究进展，在氮化镓GaNHEMT方向取得突破。
安徽大学
2022-06-01
沟道的刻蚀方法、半导体器件及其制备方法与电子设备
本发明提供了一种沟道的刻蚀方法，提供一待刻蚀对象，对所述待刻蚀对象一次刻蚀后，交替进行表面处理‑二次刻蚀，直至刻蚀掉所有的鳍结构的牺牲层；其中，一次刻蚀用于刻蚀掉所述若干鳍结构中当前宽度最小的鳍结构的全部牺牲层以及其它宽度更宽的鳍结构的部分牺牲层；表面处理用于在待刻蚀对象的沟道层与剩余的牺牲层的暴露在外的表面形成保护层；所述二次刻蚀用于刻蚀掉当前宽度次之的鳍结构的全部的牺牲层，以及所述保护层。本发明在传统的刻蚀工艺中加入氧化步骤，既实现了对沟道层的保护，又实现了在不同沟道宽度的刻蚀中，减少沟道层的损失量。
复旦大学
2021-01-12
高性能系列铌酸锂、钽酸锂晶体和光电器件
光电晶体及其器件作为激光技术的关键材料和器件，被诸多国家列为优先发展的技术领域。本项目在国家 863 计划、天津市重大科技攻关、国防科工局民口配套等项目支持下，瞄准国家需求，围绕产品化关键技术攻关，取得了以下主要科技创新：
（1）自主设计基于经验数据库的智能计算机晶体生长自动控制系统，并开发了晶体生长成套装备，应用于多种晶体生长，得到批量推广应用。
（2）发展了两种非固液同成分共熔配比晶体的制备方法，实现了 SLN 晶体和 SLT 晶体的批量、廉价制备。
（3）开发了宽温度范围工作铌酸锂电光调 Q 晶体及电光调 Q 开关，在-55℃～70℃温度区间稳定工作，大幅提高了军用激光系统的温度稳定性。（4）以高温度稳定性电光调 Q 开关为核心技术自主研发的系列高温度稳定性铌酸锂电光调 Q 激光系统，实现了批量生产和应用。
（5）开发了满足激光雷达等长期在线工作的低内电场铌酸锂电光调 Q 晶体和电光调 Q 开关。
（6）开发了高抗光损伤阈值的钽酸锂电光调 Q 晶体和电光调 Q开关，典型 1064nm 波段的激光损伤阈值比铌酸锂晶体提高两个数量级以上，且能够满足军工宽温度范围要求。
南开大学
2021-04-13
一种基于运算放大器的忆阻器编程电路及其操作方法
本发明公开了一种基于运算放大器的忆阻器编程电路及其操作 方法，编程电路包括：阻变元件、运算放大器、脉冲开关、第一电阻； 运算放大器的反相输入端作为编程电路的输入端，同时连接阻变元件 的一端；阻变元件的另一端连接脉冲开关的一端，同时连接第一电阻 的一端；第一电阻的另一端作为编程电路的输出端，同时连接运算放 大器的输出端；脉冲开关的另一端作为脉冲输入端；运算放大器的同 相输入端接地。本发明利用阻变元件的阈值电压性质，通过
华中科技大学
2021-04-14
一种大功率LED与散热器的零热阻结构及LED灯
本实用新型涉及一种大功率LED与散热器的零热阻结构,及基于此结构的LED灯。大功率LED与散热器的零热阻结构,包括至少一个大功率LED、PCB、散热器,所述的PCB为单面覆铜绝缘基PCB,PCB有用于安装LED的通孔,LED电极引出脚焊接在PCB的导电线上,LED的热沉的外平面与PCB的无导电层面平行、且高出PCB的无导电层面,所述的PCB通过固定装置安装于散热器上,热沉与散热器之间有不含固体颗粒的粘结胶,其厚度接近为零。本实用新型具有LED热沉到散热器的热阻接近为零、导热效率高、LED结温低、可用更大工作电流降低成本、发光效率高、寿命长、工艺简单、成本低等优点,可用于制造各种LED照明装置。
浙江大学
2021-04-13
高稳定金属膜电阻器用磁控溅射中高阻靶材及制备技术
成果与项目的背景及主要用途：
Cr-Si 中高阻膜电阻器具有精度高、噪声低、温度系数小、耐热性和稳定性好等优点，在精密电子设备和混合集成电路中大量采用。对于溅射制备电阻膜来说，靶材是至关重要的，它制约着金属膜电阻器的电阻率、精度、可靠性、电阻温度系数（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。电阻温度系数(TCR)是金属膜电阻器的一个重要性能技术指标之一，较大的 TCR 在温度变化时会造成电阻值漂移，从而影响电阻器的精度和稳定性。目前国内外生产的金属膜电阻器用高阻靶材，其性能不能满足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。
技术原理与工艺流程简介： 靶材炼制工艺如下图所示所制备的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在溅射成电阻器薄膜后, 电阻温度系数小(≤25 ×10-6 / ℃), 电阻值高(要求不刻槽数量级为千欧, 刻槽后数量级为兆欧)且稳定(随时间变化小), 因此, 在本靶材研究中, 将选择 Cr 、Si 作为高阻靶材的主体材料。由于 C r 、Si 熔点高, 原子移动性低, 因此由其所组成的薄膜稳定性高。通过在金属 C r 中引入半导体材料 Si 来提高电阻器合金膜的阻值。C r 是很好的吸收气体的金属元素, 在电阻器薄膜溅射过程中, 可通过通入微量的氧来提高薄膜的电阻率, 同时调节电阻温度系数。技术指标如下：温度冲击实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 过载实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 寿命实验后ΔR/R ≤±1 .0 %,电阻温度系数 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。
应用领域：
集成电路、电子元器件
合作方式及条件：具体面议
天津大学
2021-04-11
一种摆动式变倾角非圆切削机构及其数控车床
本发明公开了一种摆动式变倾角非圆切削机构，包括底板、直 线电机、进给托板、扇形音圈电机和刀架，其中直线电机呈水平布置并安装在底板的上侧；进给托板呈水平布置并与直线电机相连，由此 在其驱动下可沿着 X 轴方向直线往复运动；刀架的一侧可枢轴转动地 安装在 U 型支撑架上，另外一侧与扇形音圈电机固连，并且该 U 型支 撑架和扇形音圈电机均固定安装在进给托板的上表面。本发明还公开 了相应配备有该非圆切削机构的数控机床。通过本发明，能够增加刀 具在垂直平面内摆动的自由度，通过调节刀具倾角来有效补偿由非圆 轮廓引起的切削角变化，同时具备结构紧凑、响应频率高、可实现高 速精密加工等特点，因而尤其适用于各类非圆截面工件的切削加工用 途。
华中科技大学
2021-04-11
基于激光冲击波技术的金属变径管成形的方法和装置
简介：本发明公开一种基于激光冲击波技术的金属变径管成形的方法和装置,属于激光加工技术领域。本发明采用激光能量吸收层涂覆在与管件分离的堵杆上端部,激光束沿待成形的管坯的轴线进入管坯的内部,辐照在堵杆上端部的吸收层上,吸收层吸收激光能量后气化、电离,形成高压等离子体,高压等离子体急速膨胀形成高幅冲击波,以此推动管坯的膨胀直至和模具的型面贴合,使管坯的变形形状和模具的型面一致。本发明采用参数受控的激光冲击波作为管坯内高压成形的力源,具有很好的安全性,不仅适合于材料屈服极限较低的管坯成形,也适合屈服强度很高的管坯成形,可进行连续多个脉冲激光辐照和实施不间断多次冲击,具有较高的生产效率。
安徽工业大学
2021-04-13
大型机械设备变工况非平稳动态分析监测诊断关键技术
西安交通大学采用当代最先进的传感器、信号处理、模式识别、计算机网络、远程通讯等技术，研制出大型机械设备状态监测与故障诊断网络系统及其关键技术，为电力、冶金、石化、炼油、矿山、建材、机械、交通等工矿企业的机械设备安全、高效和平稳运行及设备管理提供保障，具有数据采集存储、异常报警、黑匣子监测、时域分析、频域分析、时频分析、趋势分析、智能自动诊断等功能，是设备离
西安交通大学
2021-01-12
一种基于变尺度窗口机制的 VoIP 服务安全保障方法与系统
本发明公开了一种基于变尺度窗口机制的 VoIP 服务安全保障方法与系统，本发明的方法流程是： 语音发送端 sender 向语音接收端 receiver 发起会话请求，通过代理端完成双向验证之后建立起安全会话，sender 将语音通过语音加解密模块加密之后发送给 receiver，receiver 将加密语音解密之后发送到语音质量保障模块，通过基于变尺度窗口的缓存技术，调整语音播放的时间，以保障语音的播放质量；本发明的系统包括：语音发送端 sender、发送端代理服务器 proxy1、接
武汉大学
2021-04-14