迅实科技自主研发的陶瓷3D的议案及CeraRay系列直接使用STL数据生产，无需机械加工或模具，就能直接从计算机图形数据中生成任何形状的物体，从而极大地缩短了产品的生产周期，提高了生产率，可用于打印陶瓷插针、电子陶瓷器件、多孔陶瓷过滤件、陶瓷牙齿等向欧盟和专家漫画覅在、精度高的产品，广泛运用于工业、艺术、医疗等多领域。

产品详细介绍名称：波形输出压电陶瓷驱动电源 http://rznxkj.com/%E5%8E%8B%E7%94%B5%E9%99%B6%E7%93%B7%E9%A9%B1%E5%8A%A8%E7%94%B5%E6%BA%90%EF%BC%91.htmlRH31RH35产品特点产品特性 输出电压通道：1～3路、模拟输入通道：3路 过流保护功能、波形存储，输出功能 高性能控制器及16位A/D转换 专用运算放大电路保证了高压大电流输出 同时具有过流、短路保护等功能 具有高频率响应和极低的静态电压纹波  采用10位模数转换芯片进行数据采集 输出电压的实时监控、液晶汉字显示、薄膜按键输入、  键盘输入控制、模拟信号输入控制、  编码旋钮调节电压控制、上位机SPP控制、波形控制 具有可编程功能，具有VC动态链接库 驱动压电陶瓷双晶片、驱动叠层型压电陶瓷、驱动封装开闭　压电陶瓷、驱动进口陶瓷型 号参　数RＨ３1 RＨ３５ 单位输出通道 1 5 路输出电压范围(单选项） A型 -20～+150 ＶB型 -20～+200C型 -20～+300(+500)D型 -150～+150E型 -200～+200F型 -300～+300电压输出阻抗 ＜20 Ω模拟输入电压 ±10或±5(单选) Ｖ模拟输入阻抗 ＜100 kΩ电压稳定性 ＜0.1% %单路输出平均功率 :Pa 30 30 ／(三路同时输出：10) W±20%( Max)单路输出平均电流: Ia 150 150 ／(三路同时输出：50) mA±20%(>5 ms)单路输出峰值功率: P 60 W±20%( Max)单路输出峰值电流: Imax 300 mA±20%(<5 ms)电压输出入监控 LCD显示  液晶屏显示 128x64  键盘(薄膜按键) 4x4  软件控制输出 提供操作软件  电压输出分辨率 5 mV过流\短路保护电流 >300 mA电源静态电压纹波 ＜20 mV电源阶跃响应 2 ms快速调节步长 0.001～50 V计算机接接口 串口  计算机或手动输出波形 直流、正弦、方波、三角波、梯形波、锯齿波  模拟输出波形 直流、正弦、方波、三角波、梯形波、锯齿波  波形储存功能 各种波形  电源供电电压要求 ＡＣ220±10％ V电源供电频率要求 50±10％ Hz电源工作相对湿度 <85 %工作环境温度 0～45 ℃消耗功率 100 W波形输出功能详细说明可单独或同时输出5路控制波形，每路波形可设定为下图中的任一波形 压电陶瓷驱动接法压电陶瓷驱动电源每一路输出驱动一支压电陶瓷，作为单独控制压电陶瓷，也可以把多支压电陶瓷并联驱动，电容并联电容量相加，总电容量增大，会影响输出频率特性；单路机箱及尺寸三路机箱及尺寸重量：3ｋｇ重量：5ｋｇ     官网：http://rznxkj.com/

淄博宇海电子陶瓷有限公司（原淄博无线电瓷件厂）自1966年生产压电陶瓷材料及压电元件，是全国较早生产敏感元件与传感器的专业厂家之一，是中国电子元器件行业协会电陶分会理事单位。公司现有员工150名，各类技术人员35名，固定资产800万元，厂房面积8993.69平方米，占地面积20324平方米，用于敏感元件与传感器的专用设备150多台（套），具备干压、轧膜、等静压成型的先进工艺手段及加工平面、外圆、内圆、球体等其他异形元件的高精度设备，并拥有完善的质量监控体系。 淄博宇海电子陶瓷有限公司是全国生产敏感元件与传感器、尤其是敏感元件品种较多的企业。有水声、电声、超声、计量、通讯、探测、自动控制、引燃引爆等用途的成熟材料配方30多个，每年为国内几十个行业、数百个厂家及科研单位提供上千个品种的产品，为我国海上运载火箭的发射、亚洲一号通讯卫星的发射等重点工程配套提供了优质的产品。受到中共中央、国务院、中央军委、国防科工委的表彰。部分产品出口国外，企业在国际国内赢得了较高的声誉。　　  

本发明公开了一种皮纳卫星星箭固定及分离装置，包括底板，所述底板上固定有卫星支撑座、拉杆、拉杆切断机构以及卫星弹出机构，所述卫星支撑座设有至少一对，任一一对卫星支撑座两两相对布置，所述拉杆设有至少一对，每对拉杆分别安装在任一一对卫星支撑座内，每根拉杆伸出对应卫星支撑座的卫星支撑面与卫星连接并将卫星压紧在该卫星支撑面上；本发明的皮纳卫星星箭固定及分离装置，在连接卫星与底板时将底板所受的拉力和压力设置在同一直线上，从而使底板和卫星之间的相互作用力合理分布，整体结构简单、稳定，且安装方便，制造成本低。

本发明公开了一种用于仿壁虎脚微纳分级结构的制造工艺，包括：S1、使用 LPCVD 设备在洁净的硅片上热生长一层 SiO2 薄膜；S2、 在有 SiO2 层的硅片表面旋涂光刻胶并进行光刻，制备出圆孔阵列图 形；S3、使用缓冲氢氟酸溶液对暴露出的 SiO2 进行刻蚀，将光刻胶上 的图形转移到 SiO2 层；S4、在样品表面镀一层 Cu 膜；S5、在丙酮或 乙醇中进行超声，通过溶脱剥离工艺去除表面的光刻胶及光刻胶表面 的 Cu；S6、利用 CVD-VLS 生长工艺，以上述工艺制备的 Cu 为催化 剂，以 SiCl4 为硅源，以 H2 为载气，生长 Si 微米线阵列；S7、在硅 线表面镀一层 Cu 膜；S8、利用 CVD-VLS 生长工艺，以 S7 制备的 Cu 膜为催化剂，以 SiCl4 为硅源，以 H2 为载气，在 Si 微米线表面生长 Si 纳米线。本发明提供的微纳分级结构中 Si 微米线的表面分布有 Si 纳米线，即一种仿壁虎脚微纳分级结构，为干性黏附材料的设计与制 造提供了一种解决方案。 

太阳能作为一种洁净和相对易于获取的能源在未来的动力产品中将占有越来越大的比份。如何发展高光电能量转换效率、高可靠性和低成本的太阳能电池是目前太阳能利用领域所面临的关键问题。相对于第一代和第二代太阳能电池(转换效率<<50％)，各国科学家纷纷研究不同的应用于第三代太阳能电池的新材料和新结构，目标是使光电转换效率大于5 0％。近年来，一种具有微、纳米量级特殊结构的光伏材料成为太阳能电池的研究热点。利用飞秒脉冲激光在极短的持续时间内激发出极大的峰值能量，其在硅片的相互作用过程中具有很强的非线性效应，聚焦烧蚀硅表面很小的一块面积，形成规则排列的微纳米结构。这种微纳米结构由于表面积增大，对入射光波有很大的吸收，且对光的敏感性提高了数百倍，这些性质对我们提高光电转换效率具有很大的指导意义。这种材料与本底未处理材料的性质相比，材料带隙减小，对光的敏感性提高了数百倍，这使得其对波长为250—2500 nm的入射光波有大于90％的吸收；另外，黑硅比传统材质的硅的比重低。这些奇特的光电和物理性质能进一步提高太阳能电池的光电转换效率。根据光吸收效率，激子光量子效率，化学电势效率以及填充因子计算总的光电转换效率，普通硅基太阳能电池光电转换效率只有1 5％，而基于微纳结构光伏材料的太阳能电池转换效率可望达到50%-60%。 针对国民经济可持续发展在太阳能光伏技术方面的重大需求，发展利用超短脉冲激光制备具有优异光电转化效率的微纳结构光伏材料的新方法，以及通过探测光伏材料中非平衡载流子的能带结构及微分负电导等特性，探知光伏材料的光电转换效率，从而筛选出转换效率较高的微纳结构光伏材料，最终在发展新型、高效太阳能电池的新原理和新技术方面取得创新性突破，为我国研发具有自主知识产权的高效第三代光伏电池打下坚实基础。

北京大学“极端光学创新研究团队”发展了一种高精度的暗场光学成像定位技术(位置不确定度仅21 nm)，并结合电子束套刻工艺，实现了片上量子点微盘激光器与银纳米线表面等离激元波导的精确、并行、无损集成。这种微盘-银纳米线复合结构同时具有介质激光器与表面等离激元波导的优势，因此不仅具有介质激光器的低阈值与窄线宽特性，而且具有表面等离激元波导的深亚波长场束缚特性。基于这种灵活、可控的制备方法，他们实现了片上微盘激光器与表面等离激元波导间多种形式的精确可控集成，包括切向集成、径向集成以及复杂集成，并且对量子点无任何加工损伤；进一步，通过同时集成多个片上微盘激光器与多个银纳米线表面等离激元波导，他们获得了多模、单色单模以及双色单模的深亚波长(0.008λ2)相干输出光源。这些高性能的深亚波长相干输出光源可以容易地耦合并分配至其它深亚波长表面等离激元光子器件和回路中。因此，这种灵活、可控的精确集成方法在高集成密度的光子-表面等离激元复合光子回路中具有重要应用，并且这种方法可以拓展到其它材料和其它功能的微纳光子器件集成中，为未来光子芯片的实现提供了一种可行的解决方案。  该工作于2018年5月发表在Advanced Materials上(Advanced Materials 2018, 30, 1706546)，并以卷首插画(Frontispiece)的形式予以重点报道。文章的第一作者为北京大学物理学院博士研究生容科秀，陈建军研究员为通讯作者。该研究工作得到了国家自然科学基金委、科技部、人工微结构和介观物理国家重点实验室、量子物质科学协同创新中心和极端光学协同创新中心等的支持。 图1. 片上胶体量子点微盘激光器与银纳米线表面等离激元波导的精确、并行、无损集成。

本发明涉及菌株保藏号为CGMCC No.12777的一株高产蛋白酶纳地青霉(Penicillium nalgiovense)QAUS012及其应用，其特征在于，通过紫外线诱变一株原始纳地青霉，筛选出经诱变的一株高产蛋白酶纳地青霉；菌株生长在察氏琼脂培养基上，其配方为硝酸钠3.0g，磷酸氢二钾1.0g，硫酸镁0.5g，氯化钾0.5g，硫酸亚铁0.01g，蔗糖30.0g，琼脂15.