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J2482传感器应用实验器(A型)
产品详细介绍
江苏泰州中泰教学设备有限公司 2021-08-23
供应氦氖激光器HeNe激光器
产品详细介绍型号  波长/ um 功率/ mW  光谱结构 偏振度 DownloadsGN-0.5 0.63 0.5 TEMoo 1:1 GN-1 0.63 1.0 TEMoo 1:1 GN-2П 0.63 2.0 TEMoo 100:1 GN-3 0.63 3.0 TEMoo 1:1 GN-5 0.63 5.0 TEMoo 1:1 GN-5P 0.63 5.0 TEMoo 100:1 GN-5M 0.63 5.0 TEMmn 1:1 GN-10M 0.63 8.0 TEMmn 1:1 GN-15 0.63 15.0 TEMoo 1:1 GN-15-1 0.63 15.0 TEMoo 100:1 GN-25 0.63 25.0 TEMoo 1:1 GN-25-1 0.63 25.0 TEMoo 100:1 GN-40 0.63 40.0 TEMmn 1:1 GN-50 0.63 50.5 TEMmn 1:1 GN-60 0.63 60.0 TEMmn 1:1 GN-70 0.63 70.0 TEMmn 1:1 GN-80 0.63 80.0 TEMmn 1:1 LGN-225A 0.63 2.0 TEMoo 1:1 LGN-226A 0.63 1.5 TEMoo 100:1 LGN-223 0.63 10.0 TEMoo 1:1 LGN-223-1 0.63 10.0 TEMoo 100:1 LGN-115 0.63 15.0 TEMmn 1:1 LGN-118 0.63 25.0 TEMmn 1:1 LGN-220 0.63 70.0 TEMoo 100:1 LGN-220M 0.63 100.0 TEMmn 100:1 产品名称: PLASMA 氦氖激光器管产品类别: 激光系列产品 → 氦氖激光器产品编号: 42514563816产品信息: 产品名称: PLASMA 稳定氦氖激光器产品类别: 激光系列产品 → 氦氖激光器产品编号: 42514471016产品信息: 产品名称: PLASMA多波段 氦氖激光器产品类别: 激光系列产品 → 氦氖激光器产品编号: 42514452816产品信息: 产品名称: PLASMA 红外氦氖激光器产品类别: 激光系列产品 → 氦氖激光器产品编号: 42514433416产品信息: 产品名称: PLASMA可见光氦氖激光器产品类别: 激光系列产品 → 氦氖激光器产品编号: 42514392016产品信息:
长春博盛量子科技有限公司 2021-08-23
嘉宾观点抢先看 | 李春明:让职业院校成为人才“蓄水池”和产业“助推器”
在第63届高等教育博览会 建设教育强国·高等教育改革发展论坛即将举办之际,中国高等教育学会联合人民网教育频道推出“建设教育强国”系列访谈栏目,重点邀请东北地区高校领导、专家学者,围绕活动主题:融合·创新·引领:服务高等教育强国建设,畅谈思考体会、凝聚发展共识。
人民网-教育频道 2025-05-16
超高频RFID四通道读写模块资产管理标签高性能多通道模块读写器
产品介绍 CK-M4L超高频RFID读写模块是小型化的UHF RFID 读写器 ,集成了模拟射频前端与基带数字信号处理模块等功能;用户只需要在模块的基础上作电源处理即可,可以很方便的通过API函数库控制模块工作适合各种应用场景用户开发。该模块支持固件升级,可满足协议扩展和功能扩展的应用需要。   产品特点 支持多种协议:ISO 18000-6C/EPC C1G2 、 ISO 18000-6B、国标GB/T29768-2013(可拓展支 持)。 密集读取:端口最大输出33dBm,可根据需要设置功率,可应对非常密集的使用环境,多标签识别算法,每秒可识别超过400张以上。 能够定频或跳频工作。 输出功率可调,调节步进:1dBm 支持标签数据过滤、支持防碰撞协议、支持多标签识别。 全频段、大功率、灵敏度高、功率准、零配置即可获得最佳性能。   规格参数 主要规格参数 产品型号 CK-M4L 性能参数 频率范围 840MHz~960MHz 空口协议 EPC C1G2、ISO18000-6B/C、GB/T29768-2013(可选配) 功能特点 支持密集读写、多标签识别、支持标签数据过滤、支持RSSI:可感知信号强度 通道数 4通道 RF输出功率(端口) 33dBm±1dBm(MAX) 输出功率调节 ±1dbm 前向调制方式 DSB-ASK、PR-ASK 连续读标签距离(读EPC码) 0-10米,连续读100次,读取成功率大于95%(无干扰环境)(8dBi圆极化天线@H3) 连续写标签距离(写EPC码) 0〜4米(与标签芯片性能有关),连续写100次,写成功率大于90%(8dBi圆极化天线@H3) 通讯口 TTL串口 物理接口 15PIN端子 1.25mm间距 读卡功耗 (33dBm):8W 物理参数 外观尺寸 85*80*8mm 外壳材质 铝型材外壳 安装方式 通过四个螺丝孔固定 电源 工作电压 5V 4A 操作环境 工作温度 -20°C~+70°C 储存温度 -40°C~+85°C 工作湿度 <95% (+25°C)  
深圳市斯科信息技术有限公司 2025-12-27
一种单晶石榴石厚膜的间歇式液相外延生长方法
专利内容是本发明针对背景技术存在的缺陷,提出了一种单晶石榴石厚膜的间歇式液相外延生长方法,缓解了衬底与薄膜之间的应力产生,得到的单晶石榴石厚膜可作为磁光或微波厚膜应用,该方法制得的磁光厚膜的厚度可达100µm以上。
电子科技大学 2021-02-01
一种糖基/磺化改性亲和聚合物中空纤维分离膜、其制备方法及用途
本发明公开一种糖基/磺化改性亲和聚合物中空纤维分离膜及其制备方法。该膜由聚合物树脂、磺化聚合物树脂和糖类高分子组成,在优选的原料与比例下对LDL有良好的特异性吸附作用,且具有良好的稳定性和生物相容性,可重复使用,成本低廉,有望投入大规模临床应用。其制备方法包括以下过程:将膜用聚合物树脂、磺化聚合物树脂、糖类高分子、致孔剂按一定比例溶于溶剂,制成均一的纺丝制膜液,将纺丝制膜液过滤、真空脱泡后,通过浸没沉淀相转化法纺丝制备中空纤维成膜,然后将所制得的中空纤维膜依次在去离子水和超纯水充分漂洗。本发明采用的共混溶解制备法具有操作简便安全、原材料廉价易得等优点。
浙江大学 2021-04-11
超晶格结构的纳米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制备方法
简介:本发明提供一种超晶格结构的纳米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制备方法,属于材料表面技术领域。本发明该超硬膜是由电弧离子镀的纳米晶体相Cr2N和磁控溅射镀的非晶体相WC层交替沉积而成,并且,超晶格的调制周期为10~20nm,Cr2N单层和WC单层的厚度分别为8~14nm和2~6nm。本发明的优点在于:Cr2N层与WC层交替分布实现了Cr-N基膜成分多元化和结构多层化,解决了抗氧化性较强的Cr-N基膜获得超高硬度的难题,同时非晶WC层进一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蚀性能,满足不能热处理的
安徽工业大学 2021-04-14
复极式离子膜电解槽极网自动化激光焊接成套技术装备
北京工业大学 2021-04-14
一种燃料电池膜电极热压头上表面贴片的纠偏补偿方法
本发明公开了一种燃料电池膜电极热压头上表面贴片的纠偏补偿方法。传统的机器视觉采图后摆动气缸翻转,然后贴片,不能保证GDL 的贴装精度,另外,由于 GDL 料盒比 GDL 本身尺寸稍大,不能保证每次真空拾取机构吸取 GDL 的中心轴线都与旋转轴的中心轴线重合,因此翻转后也会有误差。本发明主要解决这两个误差的计算和补偿方法,实现热压头上表面的准确贴片。本发明基于现有的 GDL 热压装备实现,首先对相机进行标定,标定两个相机各自的像素坐标系和世界坐标系的关系,分别根据是由安装误差引起的贴片纠偏或者是由轴线
华中科技大学 2021-04-14
一种纳米氢氧化钴-石墨烯复合膜、其制备方法及应用
本发明公开了一种纳米氢氧化钴-石墨烯复合膜、其制备方法及 应用。所述复合膜,包括纳米石墨烯底层和纳米氢氧化钴表层,所述 纳米石墨烯底层厚度在 4000nm 至 6000nm 之间,所述纳米氢氧化钴表 层厚度在 50nm 至 100nm 之间,所述纳米氢氧化钴表层均匀沉积在所 述纳米石墨烯底层上。其制备方法,包括以下步骤:将氧化石墨烯均 匀分散于水中,涂敷在片状导电基底上,干燥得到纳米氧化石墨烯膜; 组建三电极体系采用
华中科技大学 2021-04-14
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