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抗工艺涨落的自修调集成电路片上振荡器
本发明公开了一种抗工艺涨落的自修调集成电路片上振荡器，包括集成于同一芯片的用于产生基准脉冲的基准振荡单元，用于产生输出脉冲的待修调振荡单元，以及用于接收基准脉冲和输出脉冲，并根据接收到的基准脉冲和输出脉冲向待修调振荡单元发出相应的修调信号，控制待修调振荡单元对输出脉冲进行频率修调的自修调逻辑控制单元。由可片内集成的基准振荡单元提供频率调修所需的基准脉冲，并在修调完成后关闭基准振荡单元，实现了输出频率的片内自修调，避免片外修调，有利于降低芯片制备成本。且硬件结构简单，容易实现，并在不修调时，关闭基准振荡单元，降低芯片的功耗。
浙江大学
2021-04-13
芊生缘牌沙棘绿豆排铅咀嚼片(暂定名)
该产品经具有国家保健食品评价资质的湖南疾病预防控制中心动物功能评价结果提示对动物具有促进排铅的功能，人体试食提示具有促进排铅功能。
兰州大学
2021-01-12
一种抗高温氧化耐磨钴基合金丝材及其制备方法
本发明公开了一种抗高温氧化耐磨钴基合金丝材及其制备方法。合金刷丝成分为Ｃｒ １３～１７％、Ｎｉ １１～１５％、Ｗ １０～１４％，Ｍｏ ２．４～４．３％、Ａｌ １．２～１．６％、Ｔｉ ２．８～３．６％，Ｎｂ ０．１～０．５％、Ｔａ １．２～１．８％、Ｒｅ ０．０３～０．０６％、Ｃｅ ０．０１～０．０５％、Ｃ ０．０２～０．１％、Ｂ ０．００５～０．０１５％、Ｚｒ ０．０２～０．０７％、Ｃｏ为余量。该合金的制备工艺路线为：真空熔炼?重熔?锻造?热轧?拉拔?固溶处理?时效处理。将原材料按质量百分比配料熔炼
东南大学
2021-04-14
一种飞机翼梁类零件的增材制造方法
本发明提出一种飞机翼梁类零件的增材制造方法，所述飞机翼 梁类零件由腹板、缘条、立柱三部分组成。加工时先将基板安装在变 位机上，基板工作面平行于地面为初始状态，在基板上沉积两缘条和 腹板，待两缘条和腹板的高度达到下一步要沉积的立柱下表面所处的 设计高度时，再单独沉积腹板，使腹板和缘条的高度差达到所述立柱 厚度，将变位机工作台绕翻转轴翻转 90°，腹板平行于地面，腹板在 缘条下方，然后按设计尺寸沉积立柱，完毕后，将变位机
华中科技大学
2021-04-14
一种带材收卷跑偏的补救纠偏系统及其控制方法
本发明公开了一种带材收卷跑偏的补救纠偏系统及其控制方法， 所述系统包括收卷装置、监测装置、纠偏装置、预收卷装置和控制模 块，所述监测装置的图像采集器实时采集收卷辊两侧边缘刚刚收卷区 域的图像并将其传输给控制模块，控制模块根据接收到的图像判断收 卷带材是否跑偏，若跑偏，则控制模块控制收卷电动机停转，同时控 制预收卷装置和纠偏装置运作完成纠偏过程，最后由控制模块控制预 收卷装置和纠偏装置回到正常收卷时的位置。本发明能够对
华中科技大学
2021-04-14
一种双轴同步作业的搅拌摩擦增材制造装置及方法
本申请公开了一种双轴同步作业的搅拌摩擦增材制造装置，其包括两个搅拌头，两个搅拌头的排列方向垂直于搅拌摩擦增材制造装置的移动方向；搅拌轴的轴肩呈星形并具有沿径向向外突出、且呈辐射状均匀间隔设置的突出部，在突出部内具有向上凹陷并连通搅拌头内下料孔的布料腔；两个相邻突出部之间形成槽区，每个搅拌头的突出部均插入到另一搅拌头的槽区内，两个搅拌轴的轴肩的下端面共面，在轴肩的下端面上设置有向下突出的搅拌针。本申请还公开了一种搅拌摩擦增材制造方法。本申请利用两个搅拌头能够一次性形成较单一搅拌头更宽的单层热沉层，由于两个搅拌头的突出部相互交错设置，使得两个搅拌头内的塑化物料能够相互融合，保证了产品质量。
南京工业大学
2021-01-12
纳米级氧化铟锡粉体和高密度ITO靶材的制备
氧化铟锡（indium-tin-oxide）简称ITO，ITO靶材是一种功能陶瓷材料，主要用于制造ITO透明导电膜玻璃。以金属铟、锡为原料采用共沉淀法制备出纳米级ITO复合粉体。粉体造粒成型后分别采用加压和常压烧结法制备出相对理论密度大于99.5%、氧化铟单一相的ITO靶材。 粉体纯度大于99.99%、颗粒分散性好，粒径10nm—80nm之间可控，BET比表面积30~60m2/g ，In2O3:90.0±0.5%，SnO2: 10.0±0.5%；ITO靶材相对理论密度99.5%。 威海市蓝狐特种材料有限公司已采用该技术建设年产20吨纳米级氧化铟锡复合粉体生产线，采用该粉体烧制的ITO靶材相对理论密度达到99%以上。国内相对理论密度大于99%的ITO靶材主采用进口产品。 金属铟、锡是我国的优势资源，生产设备都是定型通用设备，年产20吨纳米级氧化铟锡粉体和高密度ITO靶材的生产厂需要人员50名。纳米级氧化铟锡粉体制备已建设年产20吨生产线。高密度ITO靶材的制备已完成实验室小试。
北京化工大学
2021-02-01
半导体辅材用多晶硅中碳、氮杂质的分离去除技术
伴随着我国半导体行业的迅速崛起，硅电极作为光刻设备上承载硅基圆的重要辅材，其需求日趋增加。同时，基圆尺寸的不断增加使得硅电极逐渐由单晶硅电极转变为多晶硅电极，然而多晶硅制备过程中不可避免存在C、N杂质的污染，导致其基体中存在大量弥散分布的SiC、Si3N4硬质颗粒夹杂，严重影响了多晶硅电极的使用性能。
传统制备技术下，设备热场结构单一，熔体流动性差，导致SiC、Si3N4杂质循环溶解—析出，难以有效分离。本项目团队前期利用电子束精炼技术去除硅中的蒸发性杂质（P、 O、N）；利用电子束诱导实现多晶硅的定向凝固，进而分离硅中的金属杂质；基于电子束冷床效应分离硅中的SiC、Si3N4硬质颗粒，并揭示硬质颗粒与硅基体间的位相关系；基于上述研究开发出了多晶硅电极的制备工艺，可应用于刻蚀等半导体制造等领域。
本项目预期可以为半导体行业中硅电极生产制造企业提供稳定的技术支持，具有很好的生产示范性，实现高新技术产业化。该技术能够有效地降低生产过程中的能耗，是一种低成本、环境友好的生产方法，属于节能、环保的绿色制造技术。该技术的大规模应用和推广，可大幅增加就业岗位，提高企业的市场竞争力，保护环境。
大连理工大学
2021-05-10
单畴超导块材Gd-Ba-Cu-O 的制备与其超导性能的研究
直径为25 mm的YBa2Cu3O7-δ(Y123)单畴超导块材在温度为77K时，捕捉磁场高达4 T；而在29 K时，捕捉磁场甚至达17 T，优越的性能促进了该类超导材料在电机、发电机、工业污水处理、医学核磁共振等方面的应用研究。
本课题以通过熔融织构方法生长高性能的单畴超导块材作为研究对象，选择合适的单相氧化物作为第二相生长GdBa2Cu3O7-δ超导块材。在制备的高质量系列样品的基础上，通过低温磁性测量分析临界电流密度随温度及掺杂量的变化曲线；分析微观结构，揭示第二相、缺陷等对超导性能影响的原因。以期找出提高超导块材性能的合理生长方法，对其微观机制给出尽量圆满的解释。这也为澄清与当前超导材料前沿课题紧密相关的一些基本问题的理解提供基础研究资料。
该项目已获国家自然基金项目立项支持。
上海电力大学
2021-04-29
一种基于陶瓷材料的增材制造成形装置及方法
本发明公开了一种基于陶瓷材料的增材制造成形装置，其特征 在于，该装置包括：光固化机构、传动机构以及挤出回抽机构，所述 光固化机构设于所述挤出回抽机构的一端，所述传动机构设于所述挤 出回抽机构的另一端；其中，所述光固化机构包括调光器(15)、紫外线 灯固定盘(16)和紫外固化灯(17)；所述挤出回抽机构包括喷嘴(1)、喷嘴 连接件(2)、螺杆(3)、料筒(4)及料斗(6)；所述传动机构包括电机(12)和 联轴器(11)
华中科技大学
2021-04-14