一种电场辅助写入型磁隧道结单元及其写入方法
本发明公开了一种电场辅助写入型磁隧道结单元及其写入方法; 电场辅助磁隧道结单元具有双势垒结构,包括第一电极层,以及依次 形成在第一电极层上的第一磁性层、第一绝缘隧穿层、第二磁性层、 第一金属层、第二绝缘层和第二电极层。第一磁性层为参照层 RL,第 一绝缘层为隧穿层 I,第二磁性层为自由层 FL,第一金属层为非磁金 属层 NM,第二绝缘层为介电层 I*;当在磁隧道结单元的两端施加电 压时,电场通过两个绝缘层引入到 I/FL 和 FL/NM 界面,从而调控 I/FL 的界面磁各向异性,并控制 FL/NM
华中科技大学
2021-04-14