超导高场核磁共振成像系统是利用超高场超导磁体（7.0T，9.4T，11.7T）和核磁共振成像技术对小动物、生物样品、有机材料、石油岩心等样品实现高分辨率的成像，它采用零液氦消耗、超高场磁体、软件无线电控制、高灵敏射频接收等技术大幅度提高核磁共振成像效果，项目将打破国外公司垄断，具有广阔的市场前景。

全空间光散射场测量仪包括小型激光器、转盘、半抛物面反射镜、分 束棱镜、可调光阑、透镜和CCD相机等，可对金属、建材和纸张等物体表 面的反射和散射光场分布进行全场实时测量。整个装置集电源、光源、 测试光路、调节、存储和控制单元于一体，方便实时在线测量及野外操 作，在需要对物体表面的光反射和散射特性进行工业化检测等领域有广 阔的应用前景。 该项技术成熟，达到国际领先水平，获发明专利和实用新

全空间光辐射场测量仪包括小型激光器、带阵列小孔半球壳、带准直 透镜端的光纤束、带阵列小孔圆盘、可调光阑、成像透镜和CCD相机等， 可对LED光源、节能灯以及电脑电视显示屏的辐射场分布进行全场实时测 量，整个装置集电源、光源、测试光路、调节、存储和控制单元于一体， 方便实时在线测量及野外测量。 该项技术成熟，达到国际先进水平，获发明专利1项、实用新型专利2 项。

项目 参数 灯具系列 星奥TL30系列 星奥TL80系列 星奥TL128系列 对应体育场馆 足球场 篮球馆排球馆手球馆冰球馆羽毛球馆游泳馆跳水馆   单个模组灯珠数 28pcs 76pcs 128pcs 输入电压 AC90～245V 频率范围 50/60Hz 功率因数 ≥0.95 认证符合 CCC 电路保护 短路保护，过流保护，过电压保护，抗浪涌，防雷及过温保护 光源 Osram/cree/philips等 功率 80-800W 240-1000W 300-1500W 配光曲线 Refer to "light distribution curve" 光斑 对称、非对称配光 相关色温 3000-6500K 灯具光效（lm/W） ≥100lm/W 显色指数 ≥70 外形尺寸 详见尺寸图 净重 祥见重量图 防护等级 IP 65 工作湿度 10%～95%R.H. 工作温度 -30℃～+50℃ 储存温度 -40℃～50℃ 外壳温 ＜60°(Ta=25℃) 寿命Ta=25℃ 50000H

产品概述： 超高性价比的工业光场相机，可同时捕捉目标场景的二维图像和三维深度信息。 具备三维重建/先拍照后聚焦/视角变换等功能，适合用于大学生“计算成像”专题演示实验中。 附带C#、C++、Java、Python等编程工具包，便于进行二次开发。 可适配多种接口的常规工业镜头，支持用户自行安装和更换镜头。 支持用户深度定制光场相机的核心参数。

利用等强度的偏振正交的双色飞秒光场（800nm + 400nm），深入研究遂穿电子干涉的干涉动力学，提出了利用新型的“时空电子干涉仪”，探测电子在遂穿过程中获得势垒下相位，揭示电子隧穿的动力学信息。该工作利用先进的冷靶反冲离子电子动量成像谱仪（所谓COLTRIMS），清晰地测量了正交双色光场下的光子周期内干涉图案。通过与理论模拟的对比 [强场近似（SFA）,库仑修正的强场近似(CCSFA)和数值求解含时薛定谔方程（TDSE）]，揭示出了光电子势垒下相位的对干涉图案的贡献。研究结果表明势垒下相位蕴藏着的电子隧穿动力学信息，对光电子干涉和光电子全息起着不可或缺的作用。

中试阶段/n主要用途：用于盾构掘进机盾尾密封，取代进口材料。主要特点：1、成本只有进口的一半；2、可按照地质状况定做配方；3、生产安全无毒；无三废产生。主要技术指标：1、外观带纤维的黄色膏状物，无结块。 2、密度(25oC),g/cm31.10～1.60。3、密封性(3.5Mpa)无漏水。 4、下垂度（30 oC,5h）,mm≤15、挥发度（80 oC,5h）,%≤2.5。 6、稠度,0.1mm≥2407、水冲损失率（38 oC,1h）,%≤6。 8、泵送性（0

盾构法是利用盾构机具在地面以下暗挖隧道的一种施工方法。目前已经成为在软土 与软岩中施工隧道的一种主要手段。盾构隧道壁后注浆是控制隧道施工质量的关键技术， 但由于壁后注浆属于隐蔽工程，目前还没有有效的探测手段可以准确地测量注浆体的厚 度和分布情况。这种不确定的情况导致盾构隧道的施工以及维护都存在不确定的影响因 素。本发明的主要目的就是为了适应盾构隧道开挖施工的快速发展，满足隧道施工的检 测技术向精确、快速、无损伤的要求。 

本新技术成果提供了一种适用于城市轨道交通建设中采用盾构法修建地下区间隧道时使用的预制钢筋混凝土衬砌管片，采用榫槽式预制和拼装技术，具有施工速度快、成本低和效率高的特点。该成果获得国家发明专利授权。

本发明公开了一种磁隧道结及其制备方法。磁隧道结包括第一 电极层，以及依次形成在第一电极层上的第一磁性层、绝缘隧穿层、 第二磁性层和第二电极层；第一磁性层和第二磁性层至少其中之一为 CoFe(R)/FePt 结构；CoFe(R)/FePt 结构由 CoFe(R)层和 FePt 层叠加而 成，CoFe(R)层较 FePt 层靠近所述绝缘隧穿层；CoFe(R)层的材料为掺 入 R 的 CoFe，R 为 B、Al 和 Ni 至少其中之一。