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清华大学集成电路学院任天令团队在柔性声学器件领域取得重要进展
清华大学集成电路学院任天令教授团队报道了一种基于微结构衬底的MXene声学传感器，用于模仿人耳膜的功能来实现声音的探测与识别。
清华大学
2022-04-01
科技部关于发布国家重点研发计划“高性能制造技术与重大装备”等6个重点专项2023年度项目申报指南的通知
科技部近日发布了《科技部关于发布国家重点研发计划“高性能制造技术与重大装备”等6个重点专项2023年度项目申报指南的通知》（国科发资〔2023〕90号），涉及“高性能制造技术与重大装备”、“智能传感器”、“工业软件”、“增材制造与激光制造”、“智能机器人”和“网络空间安全治理”共6个专项，详见国家科技管理信息系统公共服务平台通知
科研部
2023-06-06
北京市科学技术委员会、中关村科技园区管理委员会关于印发 《北京市科学技术奖励办法实施细则》的通知
为做好本市科学技术奖励工作，进一步规范北京市科学技术奖（以下简称市科学技术奖）的提名、受理、评审、授予等各项活动，根据《北京市科学技术奖励办法》（以下简称《办法》），制定本细则。
北京市科学技术委员会、中关村科技园区管理委员会
2024-11-29
关于印发《江西省科学技术奖励办法实施细则》的通知
为了做好省科学技术奖励工作，进一步规范我省科学技术奖（以下称省科技奖）的提名、评审、授予等活动，保证省科技奖的授奖质量，根据《江西省科学技术奖励办法》（以下称奖励办法），制定本细则。
江西省科学技术厅
2024-11-19
全国高校区域技术转移转化中心建设工作会召开
12月26日，全国高校区域技术转移转化中心建设工作会在南京召开。教育部党组书记、部长怀进鹏，江苏省委副书记、省长许昆林出席会议并讲话。教育部党组成员、副部长吴岩主持会议。
微言教育
2024-12-27
焊接结构内外一体化智能检测装备与自主评估技术
焊接作为工程机械领域的关键技术，直接决定着国之重器的安全可靠性。目前，智能焊接与检测严重依赖国外进口设备，价格昂贵、售后服务难以保障。对于大型、复杂焊接结构，焊后焊缝质量智能检测在整条焊接产线上属于空白。本团队在国内首次开发了大型焊接结构内外一体化智能检测装备及软件，部分高端装备达到国际水平，建成了国内首条内外一体化焊接智能检测与评估生产线，在徐工挖掘机上获得应用，并在央视CCTV2制造中国节目中播出。
图片 内外一体化焊缝智能检测与评估生产线获央视CCTV2报道
吉林大学
2025-02-10
北京航天科恩实验室装备工程技术有限公司
北京航天科恩是一家实验室建设EPC总承包商，作为深耕实验室建设领域20年的行业先锋，我们始终以"科学设计·精准交付"为理念，为生物医药、环境监测、高校科研、医疗检测等领域的客户提供一站式实验室解决方案。我们的业务范围不限于实验室规划设计、实验室装修装饰、实验室改造翻新、实验室施工、实验室水电气/暖通系统设计、实验室废气废液处理、实验室家具定制安装销售、实验室相关配件供应等。
北京航天科恩实验室装备工程技术有限公司
2024-12-11
熔纺氨纶用的一种亚氨酯添加剂制造方法
氨纶熔融纺丝具有工艺流程简单，设备投资少、生产效率高、生产过程不使用溶剂、环境污染少等优点而成为最为经济和对环境最为友善的氨纶生产新技术。由于熔纺氨纶与干纺氨纶结构上的差异，使熔纺氨纶的耐热性与回弹性较差。为了克服上述缺点，国内外普遍采用添加预聚体的方法，然而预聚体的NCO基团十分活泼，在存放过程中易与空气中的水分发生副反应，使预聚体失效。 本项目是以带有活泼氢的酚、酸、醇、酯、胺等化合物作为封端剂，与预聚体中的NCO基团进行反应，使两端NCO基团得到暂时的保护，反应形成一种在常温下稳定的亚氨酯，从而改善了纤维的耐热性及回弹性，同时由于亚氨酯在常温下非常稳定，存放期可大大地延长，因此这种新颖的封闭型预聚体比常规预聚体法更有效。已获得国家发明专利。
东华大学
2021-02-01
用于校正农产品光学特性检测装置的固体仿体的制造模具
本实用新型公开了一种用于校正农产品光学特性检测装置的固体仿体的制造模具。包括三种针对不同使用需求的模具，分别是用于制作薄平板型固体仿体的模具、用于制作厚平板型固体仿体的模具和用于制作带半球厚板型固体仿体的模具，模具通过模块化组件搭建而成；模块化组件包括底座板、薄中间板、注射器、厚中间板、烧杯和半球板，薄中间板和厚中间板均为中部开有通槽的环形结构，环形结构的侧壁开有用于注入液体的径向通道，底座板为一块平板结构，半球板为一端中心带有凸台的平板结构，半球板非凸台端面中心开有半球形孔。本实用新型的模具模块化成本低，制作固体仿体时间短，制作的固定固体仿体能够长期保存，能够用于提高农产品光学特性的检测精度。
浙江大学
2021-04-13
先导中心8 寸平台上制造绝缘体上张应变锗（TSGOI）晶圆
已有样品/n实现了工艺过程中对Ge的诱导应变微调，使Ge的带隙改变为0.7eV。以此类Ge衬底制备的PMOS器件实现了506cm2V-1s-1的高空穴迁移率。
中国科学院大学
2021-01-12