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90度微型十字转向器
产品详细介绍NOSEN十字转向器规格:2M,4M,6M,7M,8M,10M,12M,16M,20M,25MNOSEN十字转向器描述:(一)任何机械简单装置于任何场所(二)方向由客户自行选择上、下、左、右24种变化。(三)齿轮传动效率可达95%,速比分为1:1,1:2两种。内部结构是采用合金钢SCM415,全面经渗碳硬化处理,硬度达到RC55°—60°足堪负荷重扭力.轴承使用重力负载用轴承,齿轮使用螺旋伞型齿轮与传统蜗轮比较,此转向机能提供更圆滑的运转能力及较大的扭力。                                                                                          电话:13549467987   康青地址:东莞市南城区元美路华凯广场B座1005销售部
东莞市罗升机电设备有限公司 2021-08-23
SC-217 锥入度测定仪
仪器概述 本仪器是根据国家标准 GB/T269《润滑脂和石油锥入度测定法》并参照国际标准ISO2137《润滑脂和石油锥入度测定法》要求设计制造,适用于测定各种润滑脂和石油脂的锥入度试验。可配置相关标准配件用于固体细粒、粉剂,粉末,各种膏体,胶类物质。本仪器也符合 GB1790-2012《医药凡士林》标准所规定的检测性能,广泛用于测量润滑脂、凡士林和医药软膏剂类产品或其他半固体物质的软硬度,在设计、质量控制、和鉴别产品的特性等过程中有重要作用。广泛应用于医学、电子、食品等领域。 技术参数 1、工作电源:AC220V±10% 50HZ 2、测量范围:0~600锥入单位 3、释放行程:62 mm以上 4、数显卡尺:0~100 mm 5、显示精度:0.01 mm 6、最小读数:0.1锥入单位 7、计时范围: 5秒或60秒 8、测量锥体符合GB/T269标准(出厂时用户可任选一种,默认标配为全尺寸)       ① 全尺寸锥体质量102.5±0.05g 锥杆质量47.5±0.05g       ② 1/2比例锥体和锥杆的总质量为:37.5±0.05g,锥体的质量为22.5±0.025g,锥杆的质量为15±0.025g       ③ 1/4比例锥体和锥杆总质量9.38±0.025g 9、润滑脂工作器符合GB/T269标准(选配)       ① 全尺寸工作器 行程71mm        ② 1/2比例工作器 行程35 mm       ③ 1/4比例工作器 行程14 mm 10、外形尺寸: 530×290×360(mm) 性能特点 1、测量机构由数显尺、锥体电动锁定、手动按钮及计时器组成。 2、设微调地脚螺丝,可通过调节地脚螺丝调节底座台面的水平。 3、上下调解机构由支撑杆、支撑臂及上下粗细调节旋钮组成。 4、先进的调节手轮分快慢两挡,便于测试操作时的尖针对准试样表面,快速移动手轮在仪器左面,微动手轮在仪        器的右面。 5、采用液晶数字清零的百分毫米标尺式深度测量机构,使用方便。 6、支架有随时自锁功能,任何位置都能自动稳固停住。 7、附有手动释放锥入件的机构,可确保在使用时,自行控制。 网址链接 http://www.csscyq.com/proshow.asp?id=716
长沙思辰仪器科技有限公司 2021-12-21
医药软膏自动锥入度测定仪
2020版《中国药典》 医药软膏自动锥入度测定仪 操作指南     一、用途及使用范围 SC-217Z型自动锥入度测定仪是按照国家GB1790《医药凡士林》标准和2020版《中国药典》中关于锥入度测定法的有关规定设计制造的。是一款先进的、智能化程度较高的检测分析仪器。广泛用于测量润滑脂、凡士林和医药软膏剂、眼膏剂及其常用基质材料(如凡士林、羊毛脂、蜂蜡)等半固体物质,以控制其软硬度和黏度等性质,避免影响药物的涂布延展性。在设计、质量控制、和鉴别产品的特性等过程中有重要作用。锥入度是衡量被测试样稠度及软硬程度的指标,它是指在规定的负荷、时间和温度条件下锥体落入试样的深度,其单位以0.1mm表示。锥入度值越大,表示被测试样越软,反之就越硬。广泛适用于石化、医学、药检、电子、食品等领域。 1.1锥入度测定法适用于软膏剂、眼膏剂及其常用基质材料(如凡士林、羊毛脂、蜂蜡)等半固体物质,以控制其软硬度和黏度等性质,避免影响药物的涂布延展性。 1.2锥入度系指利用自由落体运动,在25℃下,将一定质量的锥体由锥入度仪向下释放,测定锥体释放后5s内刺入供试品的深度。     二、仪器的组成 仪器装置:仪器应能自动释放锥体,即时测出锥体5秒所刺入深度;带有水平调节装置,保证锥杆垂直度;有中心定位装置,用以使锥尖与样品杯中心保持一致;带有升降调节机构能准确调节锥尖,使锥尖与待测样品表面恰好接触。当释放锥体时锥杆与连接处应无明显摩擦,仪器测量范围应大于65mm。 2.1试验工作台:由水平底座、支柱、水平升降台、释放装置、水平调节仪、锥入度值显示装置等组成。 2.2锥体及锥杆:锥体由适当材料制成的圆锥体和锥尖组成,表面光滑,共有三种锥体可供选择:I号锥体质量为102.5g±0.05g ,配套锥杆质量为47.5g±0.05g;II号锥体质量为22.5g±0.025g,配套锥杆质量为15g±0.025g;III号锥体及锥杆总质量为9.38g±0.025g。 2.3样品杯:为平底圆筒,不同型号的锥体配套使用不同型号的样品杯。   三、测定的方法 3.1测定前,应按照仪器说明书对仪器装置进行必要的调试,使锥尖恰好落于中心位置。 3.2除另有规定外,供试品按下述方法之一处理并在25℃±0.5℃放置24小时后测定。 3.2.1将供试品小心装满样品杯,并高出样品杯上沿约2mm ,避免产生气泡,在平坦的台面上震动样品杯约5分钟,以除去可能混入的气泡。 3.2.2按照标准规定将供试品熔融后,小心装满样品杯,并高出样品杯上沿约2mm,避免产生气泡。 3.3在25℃±0.5℃条件下测定。测定前刮平表面,将样品杯置锥人度仪的底座上,调节位置使其与供试品的表面刚好接触。迅速释放锥体(应在0.1秒内完成下落动作)并维持5秒后,读出锥入深度,以锥入度单位表示,1个锥入度单位等于0.1mm。为保证不同锥体测定结果的可比性,实际测定时应将II号锥体和III号椎体的测定值依据公式换算成I号锥体推测值。   四结果的判定   4.1使用I号锥体测定:同法测定3次,结果以3次测定结果的平均值表示。如单次测定值与平均值的相对偏差大于3.0% ,应重复试验,结果以6次测定结果的平均值表示,并计算相对标准偏差(RSD)。6次测定结果的相对标准偏差应小于5.0%。 4.2使用II号锥体测定:同法测3次,依据下述公式将测定值换算成使用I号锥体的推测值。 p=2r+5 式中:p为I号锥体的推测值; r为II号锥体的实测值。 结果以3次推测值的平均值表示。如单次推测值与平均值的相对偏差大于3.0% ,应重复试验,结果以6次推测值的平均值表示,并计算相对标准偏差(RSD)。6次推测值的相对标准偏差应小于5.0%。 对各论中规定采用I号锥体测定锥入度的品种,可采用II号锥体测定后,按上述公式将测定值换算成I号锥体的推测值。如经换算得到的推测值超出标准规定限度,则应采用I号锥体再次测定,并依据其实际测定值判断样品是否符合规定。 4.3使用III号锥体测定:同法测3次,按下述公式将测定值换算成使用I号锥体的推测值。 p=3.75s+24 式中:p为I号锥体推测值; s为III号锥体实测值。 结果以3次推测值的平均值表示。如单次推测值与平均值的相对偏差大于5.0% ,应重复试验,结果以6次推测值的平均值表示,并计算相对标准偏差(RSD)。6次推测值的相对标准偏差应小于10.0%。  本指南参考文献: 药品生产质量管理规范(2010年修订) 《中国药典》2020年版通则0983。  
长沙思辰仪器科技有限公司 2022-03-18
LiNbO3集成光波导电场传感器
主要应用领域:国防以及电力部门 特点: ? 体积小 ? 抗电磁干扰 (一)ns级电磁脉冲场测量系统 主要技术指标:能够对上升时间、半宽均为ns量级的电磁脉冲(如核电磁脉冲)进行时域波形测量;线性测量范围从100 V/m到超过100 kV/m,带宽范围从100 kHz到1 GHz。 (二)μs级电磁脉冲场测量系统 主要技术指标:能够对上升时间、半宽均为μs量级的电磁脉冲(如雷电电磁脉冲)进行时域波形测量;线性测量范围从100 kV/m到1000 kV/m。 (三)连续波电场测量系统 主要要技术指标:带宽范围从100 kHz到18 GHz,灵敏度达20 mV/m。
电子科技大学 2021-04-10
三维光电子集成研究上的重要进展
近几年,硅基集成电路的速度遭遇瓶颈、停滞不前,解决的办法之一是引入光子学器件,部分取代电子学集成电路中的信号处理和互联器件,这就要求光子学器件具有像电子学集成那样的小尺度和三维集成能力,同时具有和电子学集成兼容的制备工艺。这些要求使得光电混合集成面临巨大的挑战,是一个世界性的难题。 光学所张家森教授团队与信息科学学院彭练矛教授团队合作,提出了基于表面等离激元和碳纳米管的三维光电混合集成系统,该系统与现有的COMS制备工艺兼容,可以实现光子学和电子学的三维集成和互联,为解决集成电路的速度瓶颈提供了一种方法。他们演示了几种集成回路,包括在片光操控回路、波长和偏振复用回路和具有COMS信号处理电路的集成模块。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 这种三维集成系统的优点包括:1. 使用低温COMS兼容制备工艺,可以在单片集成回路中集成光子学模块、电子学信号处理系统和存储系统;2. 利用具有原子厚度的碳纳米管材料以及金属工艺,使得光子学集成和电子学集成在材料上兼容;3. 基于表面等离激元使得光子学器件尺度可以和电子学器件尺度相近,便于集成;4. 碳纳米管的工作波段可以覆盖整个通讯波段,这是硅材料无法做到的;5. 光电探测器工作于光伏模式,可以减小能耗。该工作是首次利用原子厚度材料实现三维光电混合集成,可以实现更小的尺寸、更快的速度和更多的功能,同时,有可能解决电子学集成回路在速度上的瓶颈。 上述实验结果近期发表于最新一期《自然 电子学》杂志。 相关文献:Yang Liu, Jiasen Zhang, and Lian-Mao Peng, Three-dimensional integration of plasmonics and electronics. Nature Electronics 1, 644-651 (2018).Yang Liu, Jiasen Zhang, Huaping Liu, Sheng Wang, and Lian-Mao Peng, Electrically-driven monolithic subwavelength plasmonic interconnect circuits. Science Advances 3, e1701456 (2017).
北京大学 2021-04-11
集成电路板(PCB)微型纳米晶硬质合金钻头
成果描述:针对微钻在使用过程中失效的主要形式和原因,纳米粉在烧结成微钻硬质合金的过程中,出现WC晶粒异常长大,带来性能的明显降低这个问题,研究了添加特种晶粒长大抑制剂的作用和烧结过程优化研究。现已能批量生产Ф3.75标准微钻生产用纳米晶硬质合金棒材,该棒材强度高、硬度高、寿命长、加工性能好、实物质量水平已达同类产品(三菱、东芝、SANDVICK)的先进水平。市场前景分析:硬质合金生产厂家生产纳米硬质合金制品,特别是为国内需求量巨大的高密度印制电路板钻孔用微钻的硬质合金棒材的生产。 2005年消耗量超过1000万只的PCB企业有16家,超过500万只的企业近40家。国内PCB行业2005年消耗微钻总量在4亿只以上,采购资金超过40亿元,微钻使用寿命短和钻机换刀频繁已成为制约整个PCB业提升利润空间和产出效率的瓶颈。市场迫切需要钻孔质量好、使用寿命高、价格适中的PCB微钻产品。目前国内PCB微钻生产用硬质合金棒材每年需求量约200万公斤,一半以上需要进口,需求量巨大。与同类成果相比的优势分析:横断面弯曲强度 /MPa≥3500 硬度/HRA≥92.5 WC晶粒度/μm﹤400nm 金相组织为A02B00C00 密度 /g/cm3≥14.4 国内领先。
四川大学 2021-04-11
农药悬浮剂(SC)稳定体系构建与集成应用技术
通过对悬浮剂制备、贮存过程中存在质量问题的研究,确定出 优化了的悬浮剂稳定配方,解决了悬浮剂贮存过程中分层、析水率不合格、奥 氏熟化、结块等问题,并通过系统研究悬浮剂稳定体系构建、探讨悬浮剂稳定 机理、加工工艺及影响因素,集成了悬浮剂的研发应用技术,为农药悬浮剂生 产企业的产品开发和推广应用提供指导,从而能够应用于农业的病虫草害防治 领域。研究成果在配方筛选方法、稳定体系构建、加工工艺以及药效研究等方 面取得了多项创新,为开发新型环保稳定的悬浮剂产品提供了先进的指导,必青岛农业大学科技成果介绍 2017 -58- 将推动农药悬浮剂的可持续发展。 本项目经专家鉴定达到国际先进水平。利用农药悬浮剂稳定体系构建与集 成应用技术开发相应悬浮剂产品,对农药制剂行业的发展以及绿色农业发展具 有重要指导意义。 
青岛农业大学 2021-04-11
面向精神科临床研究的业务过程与数据集成平台
该项目是精神病学与精神卫生学临床、软件工程和数据工程交叉方向,探讨临床研究业务过程与数据一体化集成平台的建设与实施,优化临床研究数据采集、存储、交换、可视化和分析决策,为临床研究提供更科学更高效的支撑方法与手段。
北京大学 2021-02-01
有关大规模硅基集成高维光量子芯片的工作
利用大规模集成硅基纳米光量子芯片技术,实现对高维度光量子纠缠体系的高精度和普适化量子调控和量子测量。 (图一)基于硅纳米光波导的大规模集成光量子芯片(可实现对高维量子纠缠体系的高精度、可编程、且任意通用量子操控和量子测量)       集成光学量子芯片技术,基于量子力学基本物理原理,使用半导体微纳加工工艺实现单片集成光波导量子器件(包括单光子源、量子操控和测量光路,以及单光子探测器等),可以实现对量子信息的载体单光子进行处理、计算、传输和存储等。集成光学量子芯片具有集成度高、稳定性高、性能好、体积小、制造成本低等诸多优点。因此,该技术被普遍认为是一种实现光量子信息应用的有效技术手段。      利用硅基纳米光波导技术实现的光量子芯片具有诸多独特优点,例如与传统微电子加工工艺兼容、可集成度高、非线性效用强、以及工作波长与光纤量子通信兼容等。然而,迄今为止光量子芯片的复杂度仅限于小规模的演示,如集成少数马赫-曾德干涉仪对光子态进行简单操控。因此,我们迫切需要扩大集成量子光路的复杂性和功能性,增强其量子信息处理技术的能力,从而推进量子信息技术的应用。       相干且精确地控制复杂量子器件和多维纠缠系统是量子信息科学和技术领域的一项难点。相对于目前普遍采用的二维体系量子技术,高维体系量子技术具有信息容量大、计算效率高、以及抗噪声性强等诸多优点。最近,多维度量子纠缠系统已分别在光子、超导、离子和量子点等物理体系中实现。利用光子的不同自由度,如轨道角动量模式、时域和频域模式等,可以有效编码和处理多维光量子态。然而,实现高保真度、可编程、及任意通用的高维度量子态操控和量子测量,依然面临很多困难和挑战。       针对上述问题,英国布里斯托尔大学、北京大学、丹麦技术大学、德国马普研究所、西班牙光学研究所和波兰科学院的科研人员密切合作,并取得了突破性进展。研究团队提出并实现了一种新型的多路径加载高维量子态方式,即每个光子以量子叠加态的形式同时存在于多条光波导路径,从而实现了一个高达15×15的高维量子纠缠系统。通过可控地激发16个参量四波混频单光子源阵列,可以制备具有任意复系数的高维度量子纠缠态。通过单片集成通用型线性光路,可对高维量子纠缠态进行任意操控和任意测量。因此,该多路径高维量子方案具有任意通用性。与此同时,团队充分利用集成光路的高稳定性和高可控性,实现了高保真度的高维量子纠缠态,如4、8和12维度纠缠态的量子态层析结果分别为96、87% 和 81%保真度,远超其他方式制备的高维量子纠缠态性能。       更重要的是,团队通过硅基纳米光子集成技术,实现了目前集成度最复杂的光量子芯片(图一所示),单片集成550多个光量子元器件,包括16个全同的参量四波混频单光子源阵列、93个光学移相器、122个光束分束器、256个波导交叉结构以及64个光栅耦合器,从而达到对高维量子纠缠体系的高精度、可编程、且任意通用量子操控和量子测量。       研究进一步利用该高维光量子芯片技术,验证高维度量子纠缠系统的强量子纠缠关联特性,包括普适化贝尔不等式和EPR导引不等式等,证明量子物理和经典物理定律的重要区别。例如,对4维度量子纠缠态,实验观察得到了2.867±0.014的贝尔参数,不仅成功违背经典物理定律61.9个标准差,而且超过普通二维纠缠体系的最大可到达值的2.8个标准差。研究还首次实现高维量子系统的贝尔自检测和量子随机放大等新功能,例如,对3维度最大纠缠态和部分纠缠态的自检测保真度约为76%,对14维以下纠缠态均实现了量子随机放大功能。
北京大学 2021-04-11
在片上微纳激光器精确集成领域的研究
北京大学“极端光学创新研究团队”发展了一种高精度的暗场光学成像定位技术(位置不确定度仅21 nm),并结合电子束套刻工艺,实现了片上量子点微盘激光器与银纳米线表面等离激元波导的精确、并行、无损集成。这种微盘-银纳米线复合结构同时具有介质激光器与表面等离激元波导的优势,因此不仅具有介质激光器的低阈值与窄线宽特性,而且具有表面等离激元波导的深亚波长场束缚特性。基于这种灵活、可控的制备方法,他们实现了片上微盘激光器与表面等离激元波导间多种形式的精确可控集成,包括切向集成、径向集成以及复杂集成,并且对量子点无任何加工损伤;进一步,通过同时集成多个片上微盘激光器与多个银纳米线表面等离激元波导,他们获得了多模、单色单模以及双色单模的深亚波长(0.008λ2)相干输出光源。这些高性能的深亚波长相干输出光源可以容易地耦合并分配至其它深亚波长表面等离激元光子器件和回路中。因此,这种灵活、可控的精确集成方法在高集成密度的光子-表面等离激元复合光子回路中具有重要应用,并且这种方法可以拓展到其它材料和其它功能的微纳光子器件集成中,为未来光子芯片的实现提供了一种可行的解决方案。  该工作于2018年5月发表在Advanced Materials上(Advanced Materials 2018, 30, 1706546),并以卷首插画(Frontispiece)的形式予以重点报道。文章的第一作者为北京大学物理学院博士研究生容科秀,陈建军研究员为通讯作者。该研究工作得到了国家自然科学基金委、科技部、人工微结构和介观物理国家重点实验室、量子物质科学协同创新中心和极端光学协同创新中心等的支持。 图1. 片上胶体量子点微盘激光器与银纳米线表面等离激元波导的精确、并行、无损集成。
北京大学 2021-04-11
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