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一种基于超构透镜阵列的大视场集成显微成像装置
发明(设计)人：李涛, 徐贝贝, 祝世宁。本发明涉及一种基于超构透镜阵列的大视场集成显微成像装置。该装置包括：光源、超构透镜阵列、线偏振片和图像传感器；所述线偏振片固定于所述光源的后方，且所述线偏振片位于所述光源的出射光路上；所述超构透镜阵列固定于所述线偏振片的后方，且所述超构透镜阵列位于所述线偏振片的出射光路上；待成像物体位于所述线偏振片和所述超构透镜阵列之间；所述图像传感器位于所述超构透镜阵列的后方；所述超构透镜阵列中包括周期性排布的多个超构透镜。本发明可以实现在不牺牲分辨率不增加工作距离的条件下，扩大成像视场。
南京大学
2021-04-10
基于物联网技术的草产品DNA条形码溯源技术集成
党的十八大提出“建设五位一体”的总布局，其中生态文明建设是基础；我国正深入实施“一带一路”战略，推动互联网与经济社会各领域的深度融合。本项目在已经获得自主知识产权的基础上，整合兰州大学在DNA条形码和深圳市中光远科技有限公司在物联网智能系统方面的技术储备，创制草产品DNA条形码数据库，构建草产品种植生产、检验、加工包装和流通等溯源数据中心平台，利用互联网整合条形码序列及生产加工信息构建草产品的溯源集成系统。迅速、快捷的追溯草品质及质量，提高草产品优质生产和消费安全，最终实现草产品从生产到销售的全
兰州大学
2021-04-14
基于新型氢转换材料的便携式氢动力集成装备的开发
新型氢转换材料实现了简单、高效、即时即地制氢，结合氢氧燃料电池，可为国民经济和军事领域提供便携式电源的解决方案。关键产品技术已达国际先进水平，增强了我国在氢能制取和应用技术上的核心竞争力。
哈尔滨工业大学
2021-04-14
基于硅衬底氮化物材料集成制备微机电可调谐振光栅
南京邮电大学
2021-04-14
一种基于忆阻器的非易失性 SR 触发器电路
本发明公开了一种基于忆阻器的非易失性 SR 触发器电路；包括忆阻器 ME、定值电阻 Rd、第一 MOS 管、第二 MOS 管、第三 MOS管、第四 MOS 管、第五 MOS 管、第一反相器 N1、第二反相器 N2、第三反相器 N3 以及第四反相器 N4，以及将忆阻器与定值电阻串联构·721·成的分压电路读取模块。主要是利用了忆阻的非易失和阻值随流经本身的电荷大小改变的特性，实现了 SR 触发器的锁存以及置位和复位功
华中科技大学
2021-04-14
一种基于给定阈值的数控成品电路板性能退化测评方法
本发明公开了一种基于给定阈值的数控成品电路板性能退化测评方法，包括：(a)选取测评样板执行加速性能退化试验，并测量表面绝缘电阻值；(b)执行试验数据拟合，建立测试样板的加速性能退化模型；(c)基于失效阈值并结合加速性能退化模型，计算得出测评样板的伪失效寿命；(d)选取测评样板的寿命分布模型，并利用伪失效寿命拟合检验来计算寿命分布模型的参数；(e)确定测试样板的寿命分布概率密度函数，计算其平均寿命，由此完成对电路板的性能退化测评过程。通过本发明，能够克服现有可靠性测评技术中失效数据的不足，同时节约可靠
华中科技大学
2021-04-14
一种基于忆阻器的带宽可调的滤波电路及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器的带宽可调的低通滤波电路及其 操作方法，该电路由包含忆阻器的一阶有源低通滤波电路以及忆阻器 的编程电路构成。本发明利用忆阻器的阈值电压特性，将忆阻器的工 作模式划分为模拟工作模式和编程工作模式，通过改变忆阻器的阻值 改变滤波电路的带宽。编程电路由忆阻器、四个 NMOS 管以及四个 PMOS 管构成，一阶有源滤波电路则由忆阻器、电容以及运算放大器 构成。本发明还公开了一种基于忆阻器的带宽可调的
华中科技大学
2021-04-14
一种基于忆阻器的情景记忆电路及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器的情景记忆电路及其操作方法， 电路包括编码电路和检索电路；编码电路可以根据事件本身及其相关 特征对事件进行编码并存储于电路中，通过擦除信号对已存信息进行 擦除，并将产生的记忆痕迹信号作为下级电路的输入信号；检索电路 能够将记忆痕迹信号和检索信号相互匹配进而产生相应的情景记忆行 为；本发明可以根据施加的相关脉冲操作，模拟生物的情景记忆行为。 完成人：缪向水、许磊、李祎、段念
华中科技大学
2021-04-14
一种基于忆阻器的可编程模拟电路及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器的可编程模拟电路及其操作方法， 可编程模拟电路包括：阻变元件、第一电阻、第二电阻、N 型 MOS 管 和 P 型 MOS 管；第一电阻的一端作为可编程模拟电路的第一端口，阻 变元件的一端与第一电阻的另一端连接，阻变元件的另一端作为可编 程模拟电路的第二端口；N 型 MOS 管的漏极和 P 型 MOS 管的漏极均 连接至阻变元件的另一端，N 型 MOS 管的源极和 P 型 MOS 管的源极 均
华中科技大学
2021-04-14
系列高压集成技术
本成果包括系列基于硅基或SOI基材料的高压集成技术，可用于700V AC-DC电源管理IC、600V/1200V高压栅驱动IC、不同电压需求的高压开关IC、D类功率放大器、电机驱动IC等的研制，满足照明、工业控制、汽车电子、电机驱动、消费电子等领域的需求。具体包括： 硅基：（1）超低比导通电阻700V单晶型BCD工艺；（2）600V外延型BCD工艺；（3）1200V外延型BCD工艺；（4）48V高功率BCD工艺；（5）40V高压双极型工艺。 SOI基：（1）600V 厚层SOI BCD工艺；（2）650V薄层SOI高压CDMOS工艺；（3）300V薄层SOI高压CDMOS工艺；（4）200V薄层SOI高压CDMOS工艺；（5）100V薄层SOI高压CDMOS工艺；（6）40V薄层SOI高压CDMOS工艺；（7）-200V SOI高压CDMOS工艺；（8）-100V SOI高压CDMOS工艺。
电子科技大学
2021-04-10