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一种软开关逆变电路及其控制方法
目前，大多数桥式逆变器采用硬开关脉冲宽度调制（PWM）技术，在PWM逆变器中，输出变压器、滤波电感和散热器的体积和重量占主要部分，为了减小电力电子装置的体积与重量，提高逆变器的功率密度，必须提高逆变器功率开关器件的开关频率。但是高频化后，功率开关器件的开关损耗急剧增大，导致功率开关器件的结温急剧上升，阻止了功率变换电路的高频化；而且高频化后功率开关器件很大的电压、电流变化率将产生较大的电磁干扰，影响电路的正常运行。 本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种附加成本低、易于工程实现，提高逆变器的工作效率和功率密度，降低电磁干扰，简化控制方法的软开关逆变电路。
西安科技大学
2021-04-11
低端MOSFET/IGBT负压箝位驱动电路及其控制方法
简介：本发明公开了一种新型低端MOSFET/IGBT负压箝位驱动电路及其控制方法，属于电力电子驱动领域。它包括电路连接的负压箝位驱动单元与BOOST升压单元；控制方法的步骤为：（1）控制S1与S4处于导通状态，S2与S3处于关断状态；（2）控制S1、S2、S3和S4处于关断状态，Q栅源极上的电压始终维持在U3上不变；（3）控制S2与S3处于导通状态，S1与S4处于关断状态，Q上的栅源电压将会被箝位在电压U4上，Q瞬间被关断；（4）控制S1、S2、S3和S4都处于不导通状态，Q栅源极上的电压维持在U4上。其中S1、S2、S3、S4和Q均代表不同的MOSFET开关管。本发明提高了驱动电路的抗干扰能力，可有效防止开关器件的误导通。
安徽工业大学
2021-04-13
一种脉冲功率开关电路封装结构
本发明公开了一种脉冲功率开关电路封装结构。包括第一铜箔、 半导体脉冲功率开关芯片、电容、第二铜箔、铜柱、磁开关和第三铜 箔；电容的一端焊接第三铜箔，另一端焊接铜柱的一端，铜柱与电容 的中心轴垂直，铜柱的另一端穿过磁开关的中心焊接至第二铜箔的一 端，第二铜箔与电容的中心轴平行，其另一端靠近电容的一面焊接半 导体脉冲功率开关芯片的阳极，半导体脉冲功率开关芯片的阴极焊接 第一铜箔。本发明将多个外围器件与半导体脉冲功率开关封
华中科技大学
2021-04-14
一种 CMOS 基准电流和基准电压产生电路
本发明公开了一种 CMOS 基准电流和基准电压产生电路。构建 了两个工作于饱和区的 MOS 管，使流过这两个 MOS 管的电流相等且 由其栅源电压的绝对值之差得到，并利用该电流产生基准电流或基准 电压。在这两个 MOS 管的导电类型相同时，通过调整其尺寸，将其栅 源电压的绝对值之差转化为其阈值电压的绝对值之差；在这两个 MOS 管的导电类型相反时，通过调整其尺寸，使输出的基准电压对温度的 导数为 0。本发明能有效消除
华中科技大学
2021-04-14
一种三维网格多翅膀混沌电路
本发明公开了一种三维网格多翅膀混沌电路，该电路主要由 wL和 vL-1 函数电路、h2 和-h2 函数电路、-h3 函数电路、反相积分求和电路、反相器电路、乘法器构成。反相积分求和电路、反相器电路和乘法器可以控制电路生成翅膀吸引子，wL 和 vL-1 函数电路可以控制电路在 x 轴上产生不同数量的翅膀吸引子，h2 和-h2 函数电路可以控制电路在 y 轴上产生不同数量的翅膀吸引子，-h3 函数电路可以控制电路在 z
华中科技大学
2021-04-14
一种 LED 驱动中的新型软启动电路
本发明涉及一种软启动电路，特别涉及一种 LED 驱动中的新型软启动电路。在本发明实施中：开 关控制模块控制电阻分压模块，通过改变总电阻的大小使输出电压逐渐上升到需要的数值；延时控制模 块控制开关控制模块的关断和开启时间；电流偏置模块为整个软启动电路提供偏置电流；在软启动电路 工作时，使能控制模块使能电流偏置模块和延时控制模块，反之，关闭电流偏置模块和延时控制模块。 该新型软启动电路具有结构简单，可靠性强，功耗低等优点。
武汉大学
2021-04-14
人才需求、高分子应用化学、汽车电路
1、高分子应用化学专业1人
2、工程设计人员2人
3、汽车电路设计应用专业2人
山东新祯电子科技有限公司
2021-06-16
Si基GaN功率半导体及其集成技术
随着便携式电子设备的快速发展，将微型电子设备运用到可穿戴设备或者作为生物植入物的可行性越来越大。用柔性电子器件来替代传统的硬质电子器件的重要性也愈加凸显，如何解决柔性电子设备的储能问题，是实现这些可能性的重要因素之一。 本成果设计并制备了一种新型柔性微型超级电容器，其具有制备工艺简单，成本较低，适用于各种粉末状电极材料等特点。
电子科技大学
2021-04-10
垃圾焚烧飞灰填埋成套技术集成
垃圾焚烧飞灰处理达标后在卫生填埋场分区处置是今后我国发达地区飞灰处置的主流途径，这类填埋场的污染形成途径、强度与控制方法均与传统原生垃圾填埋场不同，现有填埋场污染控制技术从环境和经济角度均不适用，亟需高效的控制技术。本项目依据处理后焚烧飞灰填埋的污染衍生途径，发展控制处理飞灰填埋作业中黏附作业机械、风吹飘散的飞灰颗粒化技术；同步集成飞灰溶解性盐分缓释技术；发展雨水近零渗入的处理飞灰填埋作业技术。依据所集成的飞灰填埋前处理和作业技术，进行现场运行验证及条件优化试验。项目旨在发展既能够提高填埋场污染控制的效果，也能改善污染控制的经济条件的集成技术；而且同步开展现场应用验证试验，使成果具备推广应用的条件。通过推广应用可以为焚烧飞灰填埋场的运行提供支撑条件。 同济大学固体废物处理与资源化研究所，近5年来已主持承担和完成国家973计划课题、863计划课题、国家自然科学基金面上/青年项目、国家863和科技支撑计划、国家重大科技专项子课题项目等20余项；相关成果分别获国家级科技奖励二等奖和省部级科技奖励一等奖、二等奖和三等奖多项；拥有授权中国发明专利40项。在长期的固体废物处理与资源化利用技术研究发展中，已积累了扎实的研究基础，特别是在生活垃圾填埋和焚烧方向，分别承担了国家973计划课题（可燃固体废弃物热转化过程中重金属的排放控制及关键污染物的协同脱除（编号2011CB201504），城市固废物-化-生相变及污染物产生（编号2012CB719801）），完成了国家863计划：城市生活垃圾生态填埋成套技术与设备（编号2001AA644010）、城市生活垃圾生态填埋成套技术及示范（编号2003AA644020），国家科技支撑计划：低成本可控制生活垃圾填埋关键技术（编号2006BAJ04A06-05）等10余项课题（子课题）的研究。 常州市生活废弃物处理中心是国内较早开展处理后达标焚烧飞灰在卫生填埋场处置的单位；在数年的实际运行中，面临了渗滤液收集管道阻塞等问题，也通过与同济大学的合作，探索了解决问题的方法，积累了一系列实用技术。目前，该中心二期续建工程已施工完毕，即将投入运行，正是集成各项新技术，开展试验研究的有利时机。为利用有利条件，发展行业共性技术，同济大学将联合该中心开展项目研究。
同济大学
2021-04-11
Si基GaN功率半导体及其集成技术
电子科技大学功率集成技术实验室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器，国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器
电子科技大学
2021-04-10