产品详细介绍KY-DRX-RX型材料导热系数测试仪 (热线法)   该导热系数仪主要测试定形隔热耐火制品，粉状料等材料的导热系数。非金属固体材料导热系数，仪器参考标准：GB5990-86《定形隔热耐火制品导热系数试验方法(热线法)》。GB/T 10297-1998《非金属固体材料导热系数的测定(热线法)》，GB/T 17106-1997《热耐材料导热系数试验方法(平行热线法)》。该仪器集交叉热线和平行热线于一体，合理的设计，由计算机实现全自动测试。 1、导热系数测试范围：交叉热线0.015～1.7w/m·k  平行热线：0.015～20 w/m·k 2、准确度±5% 3、最高温度1000℃，1400℃，1600℃。 4、试样尺寸要求：最大尺寸为：230×114×65(mm) 最小尺寸为：200×100×50（mm） 5、计量加热功率可调节，也可有计算机控制。 6、同时实现交叉热线和平行热线法测试。 7、由计算机实现全自动测试。（计算机选配）  

产品详细介绍产品详细介绍 性能特点1 继电保护测试仪YJB-6003采用大屏幕液晶汉字显示，实时显示继电器触点状态。2、显示界面人性化，显示内容易读易懂。3、继电保护测试仪YJB-6003独立三路输出。4、采用独立按键转换测量档位，现场操作简单、便捷。5、具有两路独立时钟（且一个时钟模块外置）。6、具有无源的开出量输出，可灵活用于测试过程的辅助控制。7、具有软件校正功能，不用打开机箱即可校正全部档位。8. 继电保护测试仪可测试带电继电器。9. 具有电脑232接口(*)。10.继电保护测试仪可一次完成继电保护成套控制系统工作时间。性能参数1.主回路测试电源：交流电流（两组）：0~200A/3V、0~100A/9V、0~50A/24V交流电压：0~250V直流电流：0~5A直流电压：0~300V2.辅助回路测试电源：直流（交流）电压：0~300（250）V交流电流：0~5A3．保护装置直流电源：110V/220V（±10%）4．测量精度：全部档位：±1％±5个字（所有测量均为真有效值）毫秒表：±0.05％±5个字5、带电触点电压：36—300DCV。。。36--250ACV6．使用条件重量：19.6Kg体积：400mmX300mmX160mm工作电源：AC220V士10%,继电保护测试仪其他型号YJB-6001继电保护测试仪(不含带电测试，不兼容232) YJB-6002继电保护测试仪（不兼容232）YJB-6006继电保护测试仪（兼容USB）

产品详细介绍 YHL-5004 回路电阻测试仪       仪器仪表 >> 电工及自动化仪表 >> 电阻测量仪表一、概述以前，电力系统中普遍采用常规的QJ44型双臂直流电桥测量变压器线圈的直流电阻、高压断路器的接触电阻，而这类电桥的测试电流仅为mA级，难以发现变压器线圈导电回路导体截面积减少的缺陷。在测量高压开关导电回路接触电阻时，由于受到油膜和动静触头间氧化层的影响，测量偏差大，掩盖了真实的接触电阻值。因此，电力部标准SD301-88《交流500KV电气设备交接和预防试验规程》和新版《电气设备预防性试验规程》对断路器、隔离开关接触电阻的测量电流作出不小于直流100A的规定，以保证准确度。本回路电阻测试仪采用微型单片机控制，人性化汉字界面显示，它是用于开关控制设备的接触电阻、回路电阻测量的专用设备；其测试电流采用国家标准GB763推荐的100A/200A/300A/600A直流，可在100A/200A/300/600A电流（测试选择挡位）的情况下直接测得回路电阻或者接触电阻，首创测试时间设置!!!, 首创测试大电流断线自动识别!!!采用液晶显示测试电流值及测试电阻值，可以打印输出，具有232接口。该仪器测量准确、性能稳定，操作方便。适合电力、供电部门现场高压开关维修和高压开关厂回路电阻测试的要求。二、技术性能及特点1、测量范围：1-2000μΩ 分辨率：1μΩ或0.1μΩ2、测量电流： 直流100A/200A/300A/600A（可转换）3、测量精度： 0.5%±5个字4、显示方式： 大屏幕汉字液晶5、电源： AC220V  50Hz6、最大输出电压： DC 10V7、标准输出电流： DC 100A/200A/300A/600A8、测试电流100A/200A（150A/300A）可现场转换（相应型号）。 9、本机电压/电流线不分方向，可任意接线。 10、测试时间设置范围：1―99S11、首创测试大电流断线自动识别!!！

产品详细介绍YJB-6003 继电保护测试仪      仪器仪表 > 专用仪器仪表 > 电气检测仪表  性能特点  1、本产品采用大屏幕液晶汉字显示。  2、显示界面人性化，显示内容易读易懂。  3、可实时显示继电器触点状态。  4、采用独立按键转换测量档位，现场操作简单、便捷。  5、本产品具有两路独立时钟（且一个时钟模块外置）。  6、具有无源的开出量输出，可灵活用于测试过程的辅助控制。  7、本仪器具有软件校正功能，不用打开机箱即可校正全部档位。  8. 本产品可测试带电继电器。  9. 具有电脑232接口(*)。  10.可一次完成继电保护成套控制系统工作时间。  性能参数  1.主回路测试电源：  交流电流（两组）：0~200A/3V、0~100A/9V、0~50A/24V  交流电压：0~250V  直流电流：0~5A  直流电压：0~300V  2.辅助回路测试电源：  直流（交流）电压：0~300（250）V  交流电流：0~5A  3．保护装置直流电源：110V/220V（±10%）  4．测量精度：  全部档位：±1％±5个字（所有测量均为真有效值）  毫秒表：±0.05％±5个字  5、带电触点电压：36—300DCV。。。36--250ACV  6．使用条件  环境温度：-15－40℃  相对湿度：75%  重量：18.6Kg  体积：400mmX300mmX160mm  工作电源：AC220V士10%  

LCR1000A是成都玖锦自主研发的国内首台基于射频I-V测量法的射频阻抗测试仪，其拥有卓越的测量精度和较宽的频率范围､极快的测量速度､丰富的功能､现代化的用户界面与接口､全面的兼容性､多种可选择附件等特性，同时为测量射频器件的高频特性提供1MHz~3GHz的频率范围，可全面对标业界同类领先产品｡无论是新型元器件研发认证和失效分析､质检来料筛选还是大规模生产线自动化测试，LCR1000A都能为您出色的完成测量任务。 功能特点 国内首台基于射频 I-V 法的 LCR 表，全面对标业界同类领先产品 测试频率高达3 GHz 阻抗测量范围140 mΩ～4.8 kΩ 基本测量精度高达0.45% 测量速度高达2.2 ms/点 全面兼容业界主流LCR表SCPI指令集，且内置业界主流夹具的修正参数 应用领域 大规模元器件生产线自动化测试 元器件的质检和来料筛选 新型元器件研发、认证和失效分析等

由东南大学信息科学与工程学院尤肖虎教授、赵涤燹教授牵头，联合成都天锐星通科技有限公司、网络通信与安全紫金山实验室等单位完成的“Ka频段CMOS相控阵芯片与大规模集成阵列天线技术”项目成果通过了中国电子学会组织的现场鉴定。 由中国工程院邬贺铨院士、陈左宁院士、李国杰院士、吕跃广院士、丁文华院士以及来自中国移动、信通院、华为、中兴、大唐电信和国内5所高校的共15位专家组成的鉴定委员会对该项成果进行了现场鉴定并给予了高度评价，一致认为：该项目解决了硅基CMOS毫米波Ka频段相控阵芯片和天线走向大规模推广应用的核心技术瓶颈问题，成功研制了Ka频段CMOS相控阵芯片，并探索出了一套有效的毫米波大规模集成阵列天线低成本解决方案，多项关键技术属首创；在硅基CMOS毫米波技术路线取得重大突破，在大规模相控阵天线集成度方面国际领先；成果在5G/6G毫米波和宽带卫星通信等领域具有广阔的应用前景，在该领域“卡脖子”技术上取得关键突破，已在相关应用部门得以成功推广应用。 目前，用于射频芯片的40nm和28nm CMOS工艺特征频率已经超过250GHz，在理论上完全可以满足毫米波应用需求。毫米波硅基CMOS集成电路技术的突破，将带来无线通信行业的一次变革，解决相控阵系统“不是不想用，只是用不起”的问题，把毫米波芯片及大规模相控阵变成来一种极低成本的易耗品。相比锗硅工艺和化合物半导体工艺，CMOS工艺在成本、集成度和成品率上具有巨大优势，但其输出功率相对较低，器件本身寄生效应较大。项目组经过长达6年的技术探索与创新，克服了毫米波CMOS芯片技术的固有瓶颈问题，所研制的芯片噪声系数为3dB，发射通道效率达到15%，无需校准便可实现精确幅相调控；基于大规模相控阵的波束成形能力，克服了毫米波CMOS芯片输出功率受限的问题。

本项目重点研究面向物联网极低功耗微控制器关键技术，包括宽电压标准单元和片上存储器设计技术、工艺-电压-温度（PVT）偏差检测技术与自适应动态电压和频率调节技术、快速响应的宽负载高效率电源转换技术、低功耗高精度模数转换电路设计技术、极低功耗快速启动晶体振荡器技术；面向工业控制微控制器关键技术，包括高可靠处理器架构、低延时访问存储策略、纳秒级中断响应处理技术、容错型自纠错SRAM 设计技术、高精度时钟基准电路设计技术。

本技术成果涉及集成电路测试技术领 域，公开了一种RFID读写器芯片中测系 统及方法

随着集成电路的发展，功耗问题越来越成为制约的瓶颈问题。特别是在即将到来的万物互联智能时代，物联网、生物医疗、可穿戴设备和人工智能等新兴领域更加追求极低功耗，尤其是极低静态功耗。面向未来庞大的物联网节点应用的需求，极低功耗器件及其电路芯片受到越来越多的关注。受玻尔兹曼限制，传统晶体管的亚阈摆幅存在理论极限，这一限制是阻碍器件功耗降低的关键因素，基于传统CMOS晶体管的集成电路已经无法满足物联网节点等对极低功耗的需求。 本项目基于标准CMOS工艺研制新型超陡摆幅隧穿器件，并进一步研发具有极低功耗的物联网节点芯片。新型超陡摆幅隧穿器件采用有别于传统晶体管的量子带带隧穿机制，可突破亚阈摆幅极限，同时获得比传统晶体管低2个量级以上的关态电流性能，具备极其优越的低静态功耗性能。通过超陡亚阈摆幅器件及电路技术的研究和突破，可促进我国物联网芯片产业的发展，显著提高物联网节点的工作时间，具有重要的应用价值。

利用大规模集成硅基纳米光量子芯片技术，实现对高维度光量子纠缠体系的高精度和普适化量子调控和量子测量。 （图一）基于硅纳米光波导的大规模集成光量子芯片(可实现对高维量子纠缠体系的高精度、可编程、且任意通用量子操控和量子测量)       集成光学量子芯片技术，基于量子力学基本物理原理，使用半导体微纳加工工艺实现单片集成光波导量子器件（包括单光子源、量子操控和测量光路，以及单光子探测器等），可以实现对量子信息的载体单光子进行处理、计算、传输和存储等。集成光学量子芯片具有集成度高、稳定性高、性能好、体积小、制造成本低等诸多优点。因此，该技术被普遍认为是一种实现光量子信息应用的有效技术手段。      利用硅基纳米光波导技术实现的光量子芯片具有诸多独特优点，例如与传统微电子加工工艺兼容、可集成度高、非线性效用强、以及工作波长与光纤量子通信兼容等。然而，迄今为止光量子芯片的复杂度仅限于小规模的演示，如集成少数马赫-曾德干涉仪对光子态进行简单操控。因此，我们迫切需要扩大集成量子光路的复杂性和功能性，增强其量子信息处理技术的能力，从而推进量子信息技术的应用。       相干且精确地控制复杂量子器件和多维纠缠系统是量子信息科学和技术领域的一项难点。相对于目前普遍采用的二维体系量子技术，高维体系量子技术具有信息容量大、计算效率高、以及抗噪声性强等诸多优点。最近，多维度量子纠缠系统已分别在光子、超导、离子和量子点等物理体系中实现。利用光子的不同自由度，如轨道角动量模式、时域和频域模式等，可以有效编码和处理多维光量子态。然而，实现高保真度、可编程、及任意通用的高维度量子态操控和量子测量，依然面临很多困难和挑战。       针对上述问题，英国布里斯托尔大学、北京大学、丹麦技术大学、德国马普研究所、西班牙光学研究所和波兰科学院的科研人员密切合作，并取得了突破性进展。研究团队提出并实现了一种新型的多路径加载高维量子态方式，即每个光子以量子叠加态的形式同时存在于多条光波导路径，从而实现了一个高达15×15的高维量子纠缠系统。通过可控地激发16个参量四波混频单光子源阵列，可以制备具有任意复系数的高维度量子纠缠态。通过单片集成通用型线性光路，可对高维量子纠缠态进行任意操控和任意测量。因此，该多路径高维量子方案具有任意通用性。与此同时，团队充分利用集成光路的高稳定性和高可控性，实现了高保真度的高维量子纠缠态，如4、8和12维度纠缠态的量子态层析结果分别为96、87% 和 81%保真度，远超其他方式制备的高维量子纠缠态性能。       更重要的是，团队通过硅基纳米光子集成技术，实现了目前集成度最复杂的光量子芯片（图一所示），单片集成550多个光量子元器件，包括16个全同的参量四波混频单光子源阵列、93个光学移相器、122个光束分束器、256个波导交叉结构以及64个光栅耦合器，从而达到对高维量子纠缠体系的高精度、可编程、且任意通用量子操控和量子测量。       研究进一步利用该高维光量子芯片技术，验证高维度量子纠缠系统的强量子纠缠关联特性，包括普适化贝尔不等式和EPR导引不等式等，证明量子物理和经典物理定律的重要区别。例如，对4维度量子纠缠态，实验观察得到了2.867±0.014的贝尔参数，不仅成功违背经典物理定律61.9个标准差，而且超过普通二维纠缠体系的最大可到达值的2.8个标准差。研究还首次实现高维量子系统的贝尔自检测和量子随机放大等新功能，例如，对3维度最大纠缠态和部分纠缠态的自检测保真度约为76%，对14维以下纠缠态均实现了量子随机放大功能。