高效、高可靠性永磁电机及其控制 项目简介 在课题组开发研制了一类新型永磁无刷电机及其相关容错控制方法。电机的转子上 没有永磁体、电刷以及绕组，这确保了电机的机械牢固性，并由此保证电机在高速运行 时的可靠性；定子永磁型电机与传统永磁无刷电机相似，电机内的气隙磁链主要由高性 能永磁体产生，确保了电机的高效率和高功率密度。电机的相间独立性较高，能够容错 运行，适合于高可靠性应用领域。 同时，还开发了永磁直线电机结构，具有成本低、效率高以及易于维护的优点，适 合于长行程传输领域。 

技术原理及用途 ：大型高温台车式电阻炉是一种大型热处理设备，主 要用于热处理加工行业的设备制造。 本成果主要由大型高温台车炉和计算机控制系统两大部分组成。 台车 炉温度 1100°C，全纤维节能电加热炉， 总安装功率 4500kw，装料 250 吨， 计算机控温系统采用工业 PC 机和 PLC 二级控制系统。它的创造性、先进 性首先是通过对纤维的二次加工和冷端固定方法减少了热短路， 创新了

钛酸锶环形压敏电阻器（STR）是以SrTiO3 为主要成分，添加微量稀土元素及金属氧化物，经球磨、喷雾造粒、成型、高温还原气氛下烧结，再经热处理，印制银电极，电性能测量分选而制得的，是国际上八十年代末九十年代初发展起来的一种新型多功能复合电子元件。该产品结构简单，制造工艺流程短，适应于自动化大生产，原材料（除银浆外）全部国产化，因此成本较低，从配方到工艺有

箱式电阻炉，又称马弗炉、高温炉，属于大专院校、科研院所、工矿企业等实验室基础加热设备；是材料烧结、熔融、热处理、挥发等实验室必备仪器。 性能特点 1、炉膛选用优质陶瓷纤维炉膛，升温速率快、应用范围广的特点，是目前国内应用最多的炉膛材料 2、采用现代一体式结构设计，双层机箱设计，美观大方，操作方便 3、全方位密闭炉门。确保炉内高温不外泄，达到改善工作环境、延长电炉使用寿命、节能目的 4、保温材料采用优质陶瓷纤维板、棉，重量轻、保温效果好 5、控温仪表选用7寸触摸屏。具有控温精度高、自整定、故障自诊断等功能 6、选用优质重型铰链，定制把手 7、具有炉门开启断电保护系统，可以有效保护操作人员安全 具有防供电线路停电恢复后电阻炉继续加热功能，避免无人执守来电加热造成其它事故 8、箱体采用优质冷轧钢板制造，经过酸洗磷化，精制而成，表面静电喷塑工艺 9、安装有散热风扇，冷风循环，可有效保护延长电炉使用寿命 二、技术指标 项目名称 PQSX2-4-7 PQSX2-5-12 工作室尺寸/ 容积 300*200*120mm （7.2L） 300*200*200m （12L） 设计温度 1200℃ 使用温度 1100℃ 控温精度 ±1℃ 升温速率 ≤40℃/min 温度控制仪 7寸触摸屏 程序升温 30阶段 存储 16组程序升温方案 热电偶分度号 K 工作电压 AC220V/50Hz 加热元件/材料 进口陶瓷纤维炉膛 加热功率 4KW 5KW 选配 USB接口

产品详细介绍 YHL-5004 回路电阻测试仪       仪器仪表 >> 电工及自动化仪表 >> 电阻测量仪表一、概述以前，电力系统中普遍采用常规的QJ44型双臂直流电桥测量变压器线圈的直流电阻、高压断路器的接触电阻，而这类电桥的测试电流仅为mA级，难以发现变压器线圈导电回路导体截面积减少的缺陷。在测量高压开关导电回路接触电阻时，由于受到油膜和动静触头间氧化层的影响，测量偏差大，掩盖了真实的接触电阻值。因此，电力部标准SD301-88《交流500KV电气设备交接和预防试验规程》和新版《电气设备预防性试验规程》对断路器、隔离开关接触电阻的测量电流作出不小于直流100A的规定，以保证准确度。本回路电阻测试仪采用微型单片机控制，人性化汉字界面显示，它是用于开关控制设备的接触电阻、回路电阻测量的专用设备；其测试电流采用国家标准GB763推荐的100A/200A/300A/600A直流，可在100A/200A/300/600A电流（测试选择挡位）的情况下直接测得回路电阻或者接触电阻，首创测试时间设置!!!, 首创测试大电流断线自动识别!!!采用液晶显示测试电流值及测试电阻值，可以打印输出，具有232接口。该仪器测量准确、性能稳定，操作方便。适合电力、供电部门现场高压开关维修和高压开关厂回路电阻测试的要求。二、技术性能及特点1、测量范围：1-2000μΩ 分辨率：1μΩ或0.1μΩ2、测量电流： 直流100A/200A/300A/600A（可转换）3、测量精度： 0.5%±5个字4、显示方式： 大屏幕汉字液晶5、电源： AC220V  50Hz6、最大输出电压： DC 10V7、标准输出电流： DC 100A/200A/300A/600A8、测试电流100A/200A（150A/300A）可现场转换（相应型号）。 9、本机电压/电流线不分方向，可任意接线。 10、测试时间设置范围：1―99S11、首创测试大电流断线自动识别!!！

描述 该实验装置以汞灯546.1nm谱线为对象，研究塞曼效应。汞灯发出的谱线经过聚光镜，将发散的光线适当地汇聚，透过偏振片，经过滤光片滤光后形成单色光，进入F-P标准具，形成干涉圆环，最后由镜头和CMOS相机成像。该装置包含一个可调恒流电源，通过调节电流控制磁场的大小。当磁场足够强时，能级开始分裂，产生不同的谱线，每一级干涉圆环分裂成多个干涉圆环，由专业的软件进行图像采集和数据分析，得到电子荷质比e/m的数值。当将电磁线圈旋转90度时，重新微调光路，则可以平行于磁场方向观测塞曼效应。   紧凑型设计 采用工业级高强度轨道，配合精巧的光机械设计，比传统的装置至少减少了1/3的空间。   电磁线圈为整套装置提供连续可调的0-1.2T的匀强磁场，并有0-120度可旋转结构，可以对横向及纵向塞曼效应现象进行观测。   高达1/100λ的法布里-帕罗标准具，可获得K级至K-2级的9条分裂谱线。 F-P标准具的性能保证了谱线分裂明显，线条清晰锐利。   CE安全认证 通过欧盟CE安全认证，严格按照CE标准进行品质控制。   典型实验内容及数据 1，垂直于磁场方向观测塞曼效应（Л线 ）   2，平行于磁场方向观测塞曼效应（σ线）   3，根据K级至K-2级的9条分裂谱线，可验证荷质比 e/m. 荷质比 e/m 测量结果的相对误差小于 5%。   部件列表 BEM-5008   摄像单元(含镜头、CMOS相机), f=50mm, 五百万像素 BEM-5402    法布里泊罗标准具, 546.1nm BEM-5403    干涉滤光器, 546.1nm BEM-5404    偏振器 BEM-5405    聚光镜, f=131.2mm BEM-5203   精密调节架, Φ45mm, 2D BEM-5213   水平可调精密调节架, Φ45mm, Travel=36mm , 3D BEM-5201-06    导轨，长 600mm BEM-5204-50    托板，宽 50mm （3） BEM-5205-25    升降调节架，可调范围 25mm　（3） BEM-5209-09    连接杆，长 90mm　（3） BEM-5009    笔形汞灯, 10A, 3W BEM-5010    电磁线圈, 5A, 1.2T BEM-5202    连接块 BEM-5012    可调直流恒流源, 6A   选配件 BEM-5032A    特斯拉计，0-2000mT, 精度0.1mT   包装清单 实验装置1套（详见部件清单），电源线1根，红黑导线各1根，USB线1根，软件光盘1张，手册1本。

产品详细介绍概述CLY-45型磁场线性霍尔传感器采用：高档豪华金属机箱、名牌镀金接插件、硅霍薄型探头等优质元器件，通过优化设计，抛弃了传统的琴键开关，而选用轻触薄膜开关，设计更专业，品质更高、操作更方便。CLY-45型磁场线性霍尔传感器具有：结构合理、整机性能稳定、性价比高、操作方便、外型美观等特点，是实验室、生产线上磁性测量的首选仪器。CLY-45型磁场线性霍尔传感器是一种高精度的磁性测量仪器，仪器带模拟端口输出，具有峰值测量、量程宽等特点，可作为二次仪表使用。CLY-45型磁场线性霍尔传感器主要用于测量磁场强度，如磁体表面磁场、永磁电机磁场、电磁铁产生的磁场、喇叭漏磁场等，以及一些特殊测量磁场的场合，如电磁铁磁场、磁体表面场的最大值等。CLY-45型磁场线性霍尔传感器能测0—2T范围内的直流（恒磁）及低频交变磁场的磁场强度。CLY-45 输出线性电压值的线性霍尔传感器的测量磁场大小在±1T, 线性电压（正比于磁场）输出。可测量磁场-2T---2T，线性电压输出，精度1%。测量磁场时带有正负指示方向，输出为带有信号为正负信号，表示磁场的正反向，供电电源AC220V,50Hz，三位半数字LED 显示。量程两档： -200 ～ 200mT,-2 ～ 2T ，线性电压输出-5-5V，最大分辨率0.1mV ，测量DC 磁场。分辨率高、性能稳定、可靠美观。 是测量磁场，测量磁体表面磁场、永磁电机磁瓦 、电磁铁磁场等的理想仪器。 订制配套霍尔传感器尺寸30CM及可夹持部分尺寸15CM，订制非磁性可调节探头支架。技术指标：型号CLY-45型磁场线性霍尔传感器供电电源AC 220V，50Hz显示方式三位半数字显示读数单位mT，T量程0～200mT，0～2T最大分辨率0.1mTDC-AC-FLUX测AC/DC磁场测量范围0～2T精度（直流）1%AC响应频率200HzAC测量值平均值特点采用豪华机箱，薄膜按键、性能稳定，设计更合理，测量精度高，操作简便。用途测量磁场，如脉冲磁场、测量磁体表面磁场、永磁电机磁瓦 、电磁铁磁场、喇叭漏磁、充磁机磁场等，适用场合广泛。

本发明公开了一种低导通电阻 VDMOS 器件及制备方法，在传统的 VDMOS 器件结构中引入一块与 源区掺杂杂质相同的掺杂区。该掺杂区位于栅氧层正下方且与基区和栅氧层紧密接触。相应地，新掺杂 区上方的栅极采用中空结构。本发明 VDMOS 器件可有效降低沟道导通电阻和颈区电阻，从而降低 VDMOS 器件的导通电阻；同时，采用中空结构的栅极既可避免新掺杂区对击穿电压的影响，也可降低 栅极与漏极间结电容，提高 VDMOS 的开关速度。本发明方法工艺简

ZnO 压敏陶瓷是以 ZnO 粉料为主体，添加微量的其他金属氧化物添加剂(如 Bi2O3,Sb2O3, Co2O3, MnO2, Cr2O3 等)，经过混合、成型后在高温下烧结而成的多晶半导体陶瓷元件。自 1968 年日本松下开发出 ZnO 压敏电阻以来， ZnO 压敏电阻就以其造价低廉、制造方便、非线性系数大、 响应时间快、残压低、电压温度系数小、漏电流小等优良性能，应用广泛于高压输电线路、城市地铁直流供电线路以及铁路电网系统。随着超高电压大功率输变电工程的发展，对输变电设备的安全性和可靠性要求越