一种锥形的非晶SiO2纳米线及其制备方法
本发明属于纳米材料领域,特别涉及一种锥形的非晶的SiO2纳米线及其制备方法。本发明提供的锥形SiO2纳米线如图1所示,形貌上纳米线根部直径300nm~600nm,高度2~4um,对于一根纳米线,随高度增加,直径逐渐减小,成圆锥形,圆锥角4~15°且可以通过调控原料的量使得纳米线直径,高度以及锥角发生变化。成分上Si和O,不含催化剂。所述方法的工艺步骤为:(1)生长基底及载物盘的清洗;(2)半封闭势井形气流装置的组合(3)锥形SiO2纳米线的生长。在通流动载流气体条件下将高温区管式炉升温至1250°,炉内压强保持在0.04~0.06Mpa,然后在上述温度和压强保温2~5h,保温时间届满后,所述生长基底上即生长出锥形SiO2纳米线;所述载流气体为H2和Ar组成的混合气体,H2的体积百分数为3~7%,Ar的体积百分数为93~97%。
四川大学
2016-10-21