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高性能铝合金技术—含铒铝合金
北京工业大学在国家 973、863 计划等支持下，发现添加铒元素（Er）可增加铝合金的强韧性和耐热性，提高耐腐蚀性能和焊接性能；含铒铝合金应用意义：良好的耐蚀性、可焊性、成型性等工艺 应用性能，在此基础上发展静载荷强度（拉伸性能）、抗冲击、抗疲劳及高损伤容限等综合力学性能； 满足轻质高效、安全性、长寿命和低成本等应用需求。
北京工业大学
2021-04-13
高性能铝合金技术—含铒铝合金
北京工业大学
2021-04-14
Au的传统fcc晶相与4H晶相之间的转变
采用了原位透射电镜（in situ TEM）来表征相转化过程，因其可在原子尺度下直接观察样品在外界作用下（力、热、电、磁等）或化学反应过程中的微结构变化。动画1展示了fcc晶相向4H晶相的动态转变过程：首先fcc-Au纳米粒子中的金原子被高能电子束激活，在CO气体中扩散到界面区域，金原子扩散导致金颗粒烧结形成紧密接触的界面，然后从两相界面开始发生fcc-4H相变。此外，我们发现当fcc金纳米颗粒位于纳米棒的4H和fcc交界处时，位于4H区域的金转变
南方科技大学
2021-04-14
高温镁合金
技术背景： 针对镁合金耐热性低的问题，在JDM2基础上，利用高热稳定 性的“LPSO+析出相”核心单元+晶界弥散相的复合强化 ， 发明 了高温强度、疲劳强度、抗蠕变、耐磨性优良的JDM3合金。 技术水平：工作温度首次达到300 ℃以上（>0.5Tm），抗拉强度保持 300MPa；综合性能超过AC8A铝合金。获发明专利3项，获2007年上海市技术发明一等奖应用领域： 航空、航天关键装备
上海交通大学
2021-04-13
阻燃镁合金
技术背景： 通过添加稀土与钙等表面活性元素，改变表面氧化层的生长动 力学和化学组成，在镁合金表面形成复合致密氧化膜结构，提 高熔体燃点。发明的JDZM镁合金，实现了镁合金无保护熔炼 与生产。 技术水平：创新的镁合金燃点测试、氧化热力学和动力学计算、氧化膜结 构分析等方法以及建立的阻燃镁合金氧化模型被国内外学者在 随后的研究中广泛借鉴，单篇论文引用次数超过100次； 实现镁合金熔炼、加工无需保护，阻燃温度达935℃； 研究成果获2003年国家科技进步二等奖。 应用领域：3C产品构件 • 汽车方向盘骨架 • 汽车变速箱等轻质压铸件
上海交通大学
2021-04-13
高温镁合金
针对镁合金耐热性低的问题，在JDM2基础上，利用高热稳定性的“LPSO+析出相”核心单元+晶界弥散相的复合强化，发明了高温强度、疲劳强度、抗蠕变、耐磨性优良的JDM3合金。工作温度首次达到300℃以上（＞0.5Tm）抗拉强度保持300Mpa；综合性能超过AC8A铝合金。
上海交通大学
2023-05-09
稀土镁合金
镁合金是迄今为止在工程中应用的最轻的金属结构材料。它除了具有低密度、高比刚度和比强度之外，还具有优良的阻尼减震性能，高的热导率，优良的电磁屏蔽和机械加工性能，被誉为“ 21 世纪绿色轻质结构材料”。目前，镁合金产品的成型方式主要是铸造，尤其是以压铸件为主导。但因铸造产品存在难以克服的疏松及缩孔等缺陷，使得镁合金的应用受到限制。而变形镁合金则具有很大的技术优势，具有制造薄壁轻质结构件的巨大潜力。如何开发出高附加值的镁合金变形型材已成为镁合金领域的重要发展方向之一。然而，阻碍变形镁合金大规
江苏大学
2021-04-14
高清非编系统
北极环影提供广播级非线性编辑系统，为编辑提供更多创意选项，支持通用的SD、HD甚至4K和HDR格式的实时编辑，无需渲染；可实现全高清视频编辑和处理，全面兼容格式多样的媒体文件，实现超强度的编辑操作，比如画面叠加、3D、多机位以及多轨道4K编辑，满足用户复杂节目包装及图文字幕发布需求。
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高清非线性编辑系统产品优势：
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关键技术：
1、智能调色
2、化编辑
3、全信号兼容
24小时服务热线：010-60530980
北京北极环影科技有限公司
北京市通州区保利·大都汇写字楼7号楼9层
北京北极环影科技有限公司
2021-08-23
一种非均匀材料连续分布力学参数场间接获取方法
本发明公开了一种非均匀材料连续分布力学参数场间接获取方法。本发明的方法包括步骤：
Ｓ１．非均匀材料梁的制作与固定；
Ｓ２．梁的模态试验与试验频响函数获取；
Ｓ３．力学参数正交多项式展开与计算频响函数获取；
Ｓ４．基于灵敏度分析的正交多项式系数识别；
Ｓ５．非均匀材料力学参数分布场重构。本发明能够解决非均匀材料的力学参数获取问题，为使用该类非均匀材料的结构力学建模与分析提供准确的参数。
东南大学
2021-04-11
基于二维材料的超短沟道非易失闪存器件及其制备方法
本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于二维材料的超短沟道非易失闪存器件及其制备方法。本发明通过原子级薄层沟道和栅叠层设计降低特征长度，从而促进器件尺寸微缩；该器件通过能带设计和范德华堆叠高质量界面降低隧穿势垒，实现十纳秒级编程/擦除速度和非易失特性；器件的短沟道通过垂直沉积和倾斜沉积两步法工艺实现，且沟道长度能够通过改变电极厚度和沉积角度来调控。本发明能在不使用先进光刻技术前提下，实现亚10nm沟道长度，突破硅基闪存器件的沟道长度微缩瓶颈，为新型高速非易失存储器的高密度集成提供新解决方案。
复旦大学
2021-01-12