本发明公开了一种基于刚性折纸单元的组合式可展开结构，纵向由全等重复单元组成，即多榀相同的折纸单元组合连续拼接起来达到所需要的空间纵向尺寸，宽度和高度由基本折纸单元的尺寸决定。每榀折纸单元平面图为矩形，折纸单元的中央位置由两个同底等高的梯形板块组成，外侧边缘由八块和中间板块具有相同的宽度和折痕夹角的刚性板块组成，其中四块刚性板块尺寸相同，中间夹有一块短刚性板块。每块刚性板块的几何尺寸决定了结构的整体形状。 本发明所展示的组合式可展开结构产生一个可调节纵向尺寸的矩形庇护空间，具有很好的适应性和伸缩性，结构简单，造型美观，易于移动、组装和可扩展，尤其适用于由折纸技术启发的移动模块化收容所等特定项目。

本发明公开了一种带有诱导结构和刚度梯度的锥形缓冲吸能装置，属于缓冲吸能技术领域，锥形缓冲吸能装置包括：外层薄壁管、内层薄壁管，所述的外层薄壁管与内层薄壁管同轴，且外层薄壁管比内层薄壁管在轴向方向高15mm；所述的外层薄壁管为圆锥管，内层薄壁管为六边形方锥管；外层薄壁管、内层薄壁管之间由六个连接隔板连接，连接隔板前端为三角形结构，用来设置刚度梯度，以增加碰撞初始阶段，吸能结构的稳定性。本发明设计的锥形管相较于直管在压缩过程中不易发生整体屈曲，同时具备更高强度的抗斜载荷能力。

开发出了FCST(负离子超疏水防护涂层)、SGNF(SiO2高耐沾污耐腐蚀涂层)、FFT(防辐射涂层)等材料的应用技术。进一步优化了UHPDC材料体系和工艺技术路线，同步提升材料强度和韧性。开发出了建筑信息模型(BIM)信息系统，实现装配式建筑设计、生产、施工等全过程信息的融合，打造UHPDC产品先进设计及柔性化、智能化制造生产线。抗压强度120-150 MPa；抗折强度10-20 MPa；抗弯极限强度≥30 MPa；50次冻融表面无破坏；热阻≥0.9(m2 K)/W(厚度30-50mm)；燃烧等级A级；水接触角<15°，表面亚甲基蓝降解率≥90%。本研究开发成果集科技、绿色、艺术于一身，融结构与功能于一体，通过项目实施，能够推动建筑材料、建筑、环保、文化等产业的融合升级和产业链的延伸。 项目已完成中试，产品进入小批量生产及销售阶段，填补国内空白。经国家化学建筑材料测试中心、江苏省建材建工检测中心和中国科学院理化技术研究所测试，各项性能指标均达到设计要求；产品在南京青奥中心、上海迪斯尼、武汉辛亥革命纪念馆、上海钱学森图书馆、唐山第三空间工程、卡塔尔图书馆、阿尔及利亚嘉玛大清真寺等中应用，获得好评。

XM-650神经元突触及神经纤维结构模型   XM-650神经元突触及神经纤维结构模型由4部件组成，放大12000倍，展示神经元突触小泡、突触裂隙、突触前膜、突触后膜及线粒体等结构，并示有髓及无髓神经纤维的超微结构以及髓鞘板层的形成过程。 尺寸：31×16×28cm 材质：玻璃钢材料

XM-650神经元突触及神经纤维结构模型   XM-650神经元突触及神经纤维结构模型由4部件组成，放大12000倍，展示神经元突触小泡、突触裂隙、突触前膜、突触后膜及线粒体等结构，并示有髓及无髓神经纤维的超微结构以及髓鞘板层的形成过程。 尺寸：31×16×28cm 材质：玻璃钢材料

产品详细介绍  1、台面板： 台面板采用实芯理化板 2、柜体： 柜体采用18mm厚国家一级三聚氰胺双贴面中密度成型板制作。柜门及抽屉面采用2mm厚PVC封边条封边，所有封边连接处均做圆弧过渡处理。 3、连接件： 连接件采用尼龙制预埋母，优质锌合金连接杆，锌合金偏心轮三合一连接件连接，既保证牢固耐用又便于组装搬运。 4、铰链： 采用锌合金铰链，二段力，开门角度110度。 5、抽屉滑道： 抽屉滑道采用自滑式静音滑道，滑道钢板厚度为1.2mm，滑轮使用纯尼龙料。也可根据用户需要采用450mm黑色二节式钢制滑道。 6、柜门、抽屉拉手： 可根据用户要求选用锌合金U型亚光拉手、内嵌式拉手或封边拉手。 7、电源： 每组单位长度实验台或边台配有国产优质电源插座。  

主要作了以下几方面探索： 在低维纳米结构的合成、纳米光电器件制造与性能分析方面有良好的研究基础。在纳米光电器件方面，长期从事纳米光电器件的研究与开发，已经成功地合成了一系列纳米结构以及它们异质和复合纳米结构，如TiO2、ZnO、ZnS、ZnS/ZnO 等，并在此基础上制造了基于单个纳米结构的光电器件，测试了其性能。其中发表在国际顶尖一区期刊《Advanced Materials》上的论文被美国加州大学、中科院重点实验室、澳大利亚昆士兰大学等相关课题组报道，被《Nature Communications》、 《Advanced Materials》、《Advanced Function Materials》、《Scientific Reports》等国际著名刊物引用达 123 次；发表在国际顶尖一区期刊《Advanced FunctionMaterials》上的论文被北京大学、清华大学、香港理工大学、台湾国立大学、新加坡南洋理工大学、日本东北大学、美国华盛顿大学等国际名校相关课题组报道，被《Advanced Materials》、《Advanced FunctionMaterials》、《Scientific Reports》、《Energy & Environmental Science》等国际著名刊物引用达 62 次。 在YBa2Cu3O7-δ/ La1-xCaxMnO3氧化物超导与铁磁双层结构中，观察到磁相关的近邻和耦合效应。证明了超导层中的迈斯纳电流与磁层耦合提供的磁场之间存在的相互作用，并明确了来自于超导层的空穴电荷传输到反铁磁层内，使得在靠近超导层的反铁磁薄层内电荷的重新分布，进而发生了铁磁性转变的物理机制。在锰氧化物和铜氧化物组成的铁磁/超导/铁磁/反铁磁异质结中观察到大的负磁阻峰，这是在接近超导转变温度附近的混合态所具有的独特现象，是自旋相关的界面散射的实验证据；另外，我们还发现该类氧化物铁磁/超导异质结中系统发现磁阻峰即随温度变化，其磁阻峰发生正、负性逆转的奇特效应，这是YBa2Cu3O7-δ正磁阻和La0.7Sr0.3MnO3负磁阻相互竞争的结果。其次，利用飞秒激光泵浦探测技术对YBCO/LCMO 异质结进行了泵浦探测，观测了低温下铁磁序和超导序的竞争情况，为进一步研究 YBCO/LCMO 的近邻效应打下了基础。 在 具 有 不 同YSZ(yttria-stabilized zirconia) 掺 杂 量 的YBCO/YSZ 准多层膜中观察到 YSZ 掺杂薄膜发生了化学反应，导致了具有纳米数量级钙钛矿异质相BaZrO3粒子的形成。BaZrO3粒子的形成促使了晶格的不匹配以致沉积中形成了c-轴关联的缺陷。角度相关的J c (H,T)在 H//c区域附近出现的二次峰揭示了c-轴关联缺陷的存在。基于各向异性磁通钉扎理论，我们分离了各向同性钉扎和各向异性钉扎对临界电流密度的贡献。分析表明所研究的准多层膜中产生了各向异性的缺陷，由此形成强钉扎中心，使得准多层膜在高场下仍具有较高的临界电流密度。 应用唯象含时Ginzburg-Landau 理论并使用有限元方法研究了二维、三维介观超导体的涡旋态性质。对于具有不同形状和不同方向外场作用下的介观超导体中观察到了涡旋管交叉缠绕现象。其次，通过对电流驱使下的含弱连接的介观超导带的分析，观察到了介观超导带磁化强度随时间的周期性变化。另外,在我们所研究的小超导环中出现了稳定多涡旋态。随着内半径的增长,我们发现了稳定基态的(l:L)和(2:L)多涡旋态现象。 该项目已获上海市自然基金项目立项支持。

本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼

本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼