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立体易FDM-90-8060超大尺寸工业级3D打印机
产品详细介绍
广州市网能产品设计有限公司 2021-08-23
立体易FDM-100-6060超大尺寸工业级3D打印机
产品详细介绍
广州市网能产品设计有限公司 2021-08-23
立体易FDM-46-3535 大尺寸工业级3D打印机
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广州市网能产品设计有限公司 2021-08-23
立体易FDM-35-2525大尺寸工业级3D打印机
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广州市网能产品设计有限公司 2021-08-23
立体易FDM-20-2525 大尺寸工业级3D打印机
产品详细介绍
广州市网能产品设计有限公司 2021-08-23
DVI转SDI转换器、DVI转HD/SD 广播级转换器
产品详细介绍DVI转SDI转换器、DVI转HD/SD 广播级数字视频转换器――Matrox Convert DVIMatrox Convert DVI将高分辨率的DVI源转换为高/标清视频,用于播放、显示和记录,可同时输出高质量的数字SDI和模拟分量,真正以低价位实现高性能。它允许你输出整个计算机屏幕,或以更高的分辨率输出你感兴趣的局部区域。它还带有定时偏移锁相控制、先进的下变换算法、防闪烁滤镜以及一对一像素映射功能,实现了最高的质量和最大的灵活性。     Matrox Convert DVI是一个多用途设备,它是创建广播级视频的理想解决方案,可以输出游戏视频、PowerPoint演示、YouTube视频、谷歌地球动画、Web浏览器会话以及软件培训教程等多种格式的视频。它也适用于礼堂,现场直播等大型活动现场的投影或大屏幕的显示。它的高清预览监视功能,给Avid Media Composer这样的视频编辑者带来了更好的解决方案。 Matrox Convert DVI可以脱离计算机独立运行。对于不是来自计算机的DVI信号,如摄像机或医疗影像设备,它也可以独立的将其转换为SDI和模拟视频。主要特点•  DVI输入达到1920 x 1200 •  数字视频输出: HD/SD SDI •  立体声声音输入可以通过SDI嵌入输出信号 •  模拟输出: HD/SD模拟分量, S-Video和复合 •  同时模拟和数字输出 •  标清模拟黑场(bi-level) 或高清三电平锁相 •  实时HD到SD硬件下变换(色彩空间转换和像素比例转换) •  支持感兴趣区域输出 •  Anti-flicker滤镜•  可以单独应用  输入输出输入输入DVI-D信号解析度可以达到1920x1200,支持第三方HDMI转DVI适配器。输出支持HD/SD SDI、HD/SD模拟分量、S端子、复合输出,支持模拟和数字SDI同时输出NTSCPALHD 1280x720p at 50 and 59.94 fpsHD 1920x1080i at 25 and 29.97 fps音频ConvetDVI支持立体声音频输入,环出监视音频输出,使SDI可以嵌入8路音频。锁相支持模拟黑场或高清三电平同步源硬件变换器支持高清1080i到720P或标清下变换感兴趣区域支持将感兴趣区域在最大解析度内输出任何尺寸,如果超出输出标准,自动下变换适合尺寸输出减少闪烁ConvetDVI提供抗闪烁过滤器,更稳定的输出视频独立模式PC用户使用USB接口控制和配置,配置后可以脱离计算机独立运行。这样就可以连接医疗设备、MAC计算机和其他PC计算机等DVI设备。规格概括 工作在具有DVI的计算机、摄像机和医疗设备视频标准 NTSC, PAL, NTSC-EIAJ, 1080i, 720p遵循规则 FCC Class A, CE Mark Class A, C-Tick Mark,VCCI RoHS规则 2002/95/EC尺寸 151mm(长) × 161mm(宽) × 46mm(高)外部AC/DC适配器 100-240 VAC 50-60 Hz输入: IEC320-C8 inlet输出: +5V DC, 3A max., 2.5mm barrel type尺寸: 95mm(长) × 54mm(宽) × 32mm(高)功耗 10瓦连接DVI输入和输出 DVI-I(单连接) 29针母口音频输入 1/8"立体声插孔同步锁相输入 标清模拟黑场或高清三电平BNC连接(75Ω), 终结提供定时偏移控制标清SDI 输出 标清SDI具有8路嵌入音频24-bit, 48 kHzBNC连接(75 Ω)兼容SMPTE 259M-C, SMPTE272M标清S-Video & composite视频输出 PAL, NTSC, NTSC-EIAJ频率响应: +/- 0.25 dB max to 5 MHz 2T pulse response: 0.5% max差分增益和差分相位: < 2%BNC连接 (75 Ω)标清模拟分量视频输出 Betacam, Betacam SP (NTSC & NTSC-EIAJ)SMPTE/EBU N10 (PAL)频率响应Y:+/- 0.25 dB max to 5 MHz频率响应Pb, Pr:+/-0.2 dB max to 2 MHz分量通道延迟: +/- 3 ns分量S/N (Y, Pb, Pr): > 54 dB,统一加权BNC连接(75 Ω)高清SDI输出 高清SDI具有8路嵌入音频24-bit, 48 kHz兼容SMPTE 292M, SMPTE 299MBNC连接(75 Ω)拟分量视频输出 支持视频格式:1080i 50, 1080i 59.94, 720p 59.94,720p 50兼容EIA-770.3频率响应 Y:+/- 0.3 dB max to 28 MHz频率响应 Pb, Pr:+/- 0.4 dB max to 14 MHz分量通道延迟: +/- 0.5 ns分量S/N (Y, Pb, Pr): > 57 dB,统一加权BNC连接(75 Ω)配件 线缆–1米DVI和系统音频环通线外部 AC-DC 适配器电源线Y/C视频线
北京麒麟视讯科技有限公司 2021-08-23
金属氧化物半导体基等离激元学研究取得突破性进展
在传统贵金属(金、银等)之外发掘出具有高性能等离激元效应的非金属新材料,是当前等离激元学基础研究及应用研发的一个热点与难点。金属氧化物半导体材料具有丰富可调的光、电、热、磁等性质,对其采取氢化处理可有效修饰其电子结构,从而获得丰富可调的等离激元效应;此处的一个关键性挑战在于如何显著提高金属氧化物半导体材料内禀的低自由载流子浓度。基于该研究团队新近发展的、理论模拟计算指导下的电子-质子协同掺氢策略,在本工作中研究人员采用简便易行的金属-酸溶液原位联合处理方法实现了金属氧化物MoO3半导体材料在温和条件下的可控加氢(即实现了“本征半导体→准金属”的可控相变),从而突破性地大幅提升了该材料中的自由载流子浓度。研究表明,氢化后的MoO3材料中自由电子浓度与贵金属相当(譬如H1.68MoO3:~1021cm-3;Au/Ag:~1022cm-3),这使得该材料的等离激元共振响应从近红外区移至可见光区,且兼具强增益及可调性。结合第一性原理模拟计算和以超快光谱为主的多种物性表征,研究人员进一步揭示出该协同掺氢所导致的准金属能带结构及相应的等离激元动力学性质。作为效果验证,研究人员在一系列表面增强拉曼光谱(SERS)实验中证实该材料表面等离激元局域强场可使吸附的罗丹明6G染料分子的SERS增强因子高达1.1×107(相较于一般半导体的104⁓5和贵金属的107⁓8),检测灵敏限低至纳摩量级(1×10-9mol L-1)。 这项工作创新性地发展出一种调控非金属半导体材料系统中自由载流子浓度的一般性策略,不仅低成本地实现了具有强且可调的等离激元效应的准金属相材料,而且显著地拓宽了半导体材料物化性质的可变范围,为新型金属氧化物功能材料的设计提供了崭新的思路和指导。
中国科学技术大学 2021-02-01
金属氧化物半导体基等离激元学研究取得突破性进展
项目成果/简介:在传统贵金属(金、银等)之外发掘出具有高性能等离激元效应的非金属新材料,是当前等离激元学基础研究及应用研发的一个热点与难点。金属氧化物半导体材料具有丰富可调的光、电、热、磁等性质,对其采取氢化处理可有效修饰其电子结构,从而获得丰富可调的等离激元效应;此处的一个关键性挑战在于如何显著提高金属氧化物半导体材料内禀的低自由载流子浓度。基于该研究团队新近发展的、理论模拟计算指导下的电子-质子协同掺氢策略,在本工作中研究人员采用简便易行的金属-酸溶液原位联合处理方法实现了金属氧化物MoO3半导体材料在温和条件下的可控加氢(即实现了“本征半导体→准金属”的可控相变),从而突破性地大幅提升了该材料中的自由载流子浓度。研究表明,氢化后的MoO3材料中自由电子浓度与贵金属相当(譬如H1.68MoO3:~1021cm-3;Au/Ag:~1022cm-3),这使得该材料的等离激元共振响应从近红外区移至可见光区,且兼具强增益及可调性。结合第一性原理模拟计算和以超快光谱为主的多种物性表征,研究人员进一步揭示出该协同掺氢所导致的准金属能带结构及相应的等离激元动力学性质。作为效果验证,研究人员在一系列表面增强拉曼光谱(SERS)实验中证实该材料表面等离激元局域强场可使吸附的罗丹明6G染料分子的SERS增强因子高达1.1×107(相较于一般半导体的104⁓5和贵金属的107⁓8),检测灵敏限低至纳摩量级(1×10-9mol L-1)。 这项工作创新性地发展出一种调控非金属半导体材料系统中自由载流子浓度的一般性策略,不仅低成本地实现了具有强且可调的等离激元效应的准金属相材料,而且显著地拓宽了半导体材料物化性质的可变范围,为新型金属氧化物功能材料的设计提供了崭新的思路和指导。
中国科学技术大学 2021-04-11
一种碳化硅/二氧化硅同轴纳米电缆的制备方法
本发明涉及一种同轴纳米电缆的制备方法领域,具体为碳化硅/二氧化硅(内芯/外 层)同轴纳米电缆的制备方法领域。本发明中碳化硅/二氧化硅(内芯/外层)同轴纳米 电缆的制备方法如下:将硅油、硅脂或硅氧烷置于刚玉坩埚或刚玉舟内,将刚玉坩埚或 刚玉舟放在耐高温板上面,然后把耐高温板推入高温炉,排出炉内氧气,并以 6-15sccm 的速率通入惰性气体保护,以 5-15℃/min 的速度将炉温升到 1000-1100℃,保温 1- 5 小时后自然降到室温。利用本发明所说的方法生成产物均为碳化硅/二氧化硅(内芯/ 外层)同轴纳米电缆,且长度比现有的方法制备的提高了 2 个量级,是迄今为止报道的 最长的纳米电缆,且制备方法简单,原料便宜易得,设备要求简化,成本低,产率高。
同济大学 2021-04-11
纳米二氧化硅/硼酚醛树脂纳米复合材料的制备方法
本发明属于无机/有机纳米复合材料技术领域,具体涉及一种纳米 SiO2/硼酚醛树 脂纳米复合材料及其制备方法。本发明采用了溶液共混法和超声波辅助分散法相结合, 确保纳米颗粒在复合材料中得到纳米级分散;纳米 SiO2表面经过处理,使纳米 SiO2与基 体树脂硼酚醛树脂之间形成了良好的界面,可以充分发挥出纳米 SiO2、硼酚醛树脂的优 点。本发明的目的在于通过合理的工艺控制,制备出纳米 SiO2含量不同的硼酚醛树脂纳 米复合材料。利用纳米 SiO2的刚性、耐磨性、热化学稳定性和硼改性酚醛树脂的良好的 力学性能、耐热性和耐烧蚀性等优点,制备出的纳米 SiO2/硼酚醛树脂纳米复合材料可 广泛用于高温制动摩擦材料、耐烧蚀材料、特种结构材料、防热材料等众多领域。 
同济大学 2021-04-11
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