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规模化微纳纤维在口罩滤芯材料生产中的应用及产业化
N95口罩的关键技术在于其致密、能有效隔离病毒的滤芯层,一般的N95口罩是5层滤芯层、普通口罩可能只有两层。南京工业大学陈苏教授课题组的新技术让N95口罩生产提质增效,做滤芯的新材料只需3层就可以生产N95了。他们的新技术全称叫“熔喷无纺布材料和微流体气喷纺丝技术”。“我们团队前期一直致力于新型纺丝技术和无纺布材料的开发,研究出了微流体气喷纺丝技术,可以实现超细纤维的制备,平均直径65纳米,是目前纺丝技术中生产纤维最细的,过滤隔离病毒的效果也就更好。”陈苏介绍,传统的纺丝技术生产出的纤维,一般直径在几百纳米,而气喷纺丝技术所制备的纤维直径仅几十纳米,可以更好地隔离病毒,将气喷纺丝的纤维膜负载在传统的无纺布上,就实现了更优效果的N95口罩滤芯层的制备。“也就是说,N95一般是5层滤芯层,普通口罩可能只有两层,那么,用我们的材料(做成滤芯层)只要3层就相当于N95了。”陈苏团队近年来一直致力于微流体纺丝和微流体气喷纺丝工作的研究,前期通过纺丝参数的优化、纺丝体系的探索制备了一系列功能纤维材料,其成果日前在国际材料重要期刊《Advanced Materials》(先进材料)上发表。基于前期的研究基础,陈苏教授掌握了纺丝关键技术、纺丝设备开发技术和功能纤维原理,为其产业化奠定了基础。点击查看原文
南京工业大学 2021-04-10
一种多壳层核壳微纳结构Cu2O的制备方法
“一种多壳层核壳微纳结构Cu2O的制备方法”属于半导体领域。现有方法对设备要求较高,过程复杂,难以控制成本,严重影响Cu2O样品的应用范围。本发明特征在于:按照硫酸铜与柠檬酸三钠的摩尔浓度比范围12∶4~12∶18,硫酸铜与葡萄糖的摩尔浓度比范围12∶2~12∶22,将柠檬酸三钠溶液加入硫酸铜溶液中,充分络合后加入葡萄糖溶液;调节溶液pH值至12.3~14.0;于50°C~95°C反应1.5h~6.0h;反应结束后冲洗、烘干,即得所需产物。该方法(采用葡萄糖作还原剂的化学浴沉积法)与其它液相制备核壳
安徽建筑大学 2021-01-12
一种基于金属微纳结构天线阵列的反射式离轴透镜
本发明提供一种基于金属微纳结构天线阵列的反射式离轴透镜,包括衬底层、反射层、光学薄膜匹 配层和金属微纳结构天线层。每一个金属微纳结构天线的朝向均不同,通过特定排布,可实现将平行入 射的激光反射汇聚在与入射光束同侧的任意方向上,可应用于激光离轴光学系统中。由金属微纳结构天 线阵列构造的反射式离轴透镜,不仅可连续调制入射光的位相,且仅需简单的一次光刻工艺步骤即可制 造完成,因此具有设计灵活、加工简单、结构紧凑等突出优点。
武汉大学 2021-04-13
一种基于金属基平面纳尖簇电极的电调透光率薄膜
本发明公开了一种基于金属基平面纳尖簇电极的电调透光率薄膜,其包括:由金属平面纳尖簇线密集排布构成的一层图案化阳极和一层平面金属纳膜阴极/阳极,它们被分别制作在透光的纳米厚度的基膜/光学介质层的两个外表面上;在加电态下,图案化阳极中的金属平面纳尖与金属纳膜阴极/阳极间形成局域弯曲的锐化电场阵,阴极/阳极上可自由移动的电子被阴阳电极间所激励的阵列化纳电场驱控,向各纳电场中电场强度最强部位聚集。本发明基于金属基平面纳尖簇电
华中科技大学 2021-04-14
一种基于金属平面微纳线尖电极的电调透光率薄膜
本发明公开了一种基于金属平面微纳线尖簇电极的电调透光率薄膜,其包括:由金属平面微纳线尖有序密集排布构成的一层图案化阴极和一层平面阳极,它们被分别制作在一层纳米厚度的透光基膜/电绝缘膜的上下表面;在加电态下,阴极上可自由移动的电子被阴阳电极间所激励的电场驱控,向金属平面微纳线尖簇其各纳线尖顶聚集,纳线尖金属电连接线上的自由电子分布密度因部分甚至绝大多数电子被纳线尖顶抽走而减少甚至急剧降低。本发明基于金属平面微纳线尖
华中科技大学 2021-04-14
一种精确控制微纳尺寸相变材料非晶化率连续变化的方法
本发明公开了一种通过施加低电平脉冲实现微纳尺寸 GST 相变 材料非晶化率连续变化的控制方法,包括控制非晶化率连续单调增大 和连续单调减小的操作,通过利用两个或两个以上的连续脉冲的幅值、 宽度和间隔等三个参量综合自适应变化精确控制焦耳热产生,继而实 现 GST 相变材料晶化率的连续变化,具体包括步骤:对相变存储单元 施加具有一定参量的两个或两个以上的连续脉冲;在连续脉冲的作用 下,相变材料获得一定的热量,使部分相变材
华中科技大学 2021-04-14
掺铁硒化锌可饱和吸收镜及其构成的锁模光纤激光器
本实用新型公开了一种掺铁硒化锌可饱和吸收镜及其构成的锁模光纤激光器,该掺铁硒化锌可饱和吸收镜包括基底、镀在所述基底上的高反射膜以及镀在所述高反射膜上的掺铁硒化锌薄膜,由于该掺铁硒化锌可饱和吸收镜以掺铁硒化锌薄膜为可饱和吸收体,同时掺铁硒化锌薄膜本身具有较高的损伤阈值,能够用于高功率激光器的研制,弥补了本领域缺少高损伤阈值可饱和吸收镜或可饱和吸收体的空缺;基于上述掺铁硒化锌可饱和吸收镜构成的锁模光纤激光器,利用双包层增益光纤获得激光,并通过掺铁硒化锌可饱和吸收镜对激光进行调制实现锁模,获得超短脉冲激光。
四川大学 2017-12-28
基于拉曼光谱技术的等鞭金藻中胡萝卜素分布的检测方法
本发明公开了一种基于拉曼光谱技术的等鞭金藻中胡萝卜素分布的检测方法,采用拉曼光谱仪,获取活体等鞭金藻藻液样本的拉曼光谱原始信息;以色素中的胡萝卜素为例,结合曼光谱仪获取胡萝卜素标准品的谱线;将获得的等鞭金藻藻液样本的原始拉曼数据进行预处理,结合胡萝卜素的标准品谱线,指认等鞭金藻藻液样本的拉曼谱峰对应的谱峰位置;选取一定区域的藻液样本进行面扫描,将胡萝卜素对应的特征谱峰处的拉曼强度值进行积分,即可得到等鞭金藻藻液中胡萝卜素分布的化学图像。本发明解决了现有检测方法需要对样本进行染色或复杂的化学处理,操作相对繁琐、耗时、耗力的问题。
浙江大学 2021-04-11
弹簧试验机|螺旋弹簧试验机|弹簧拉压试验机|弹簧机
产品详细介绍螺旋弹簧试验机|弹簧试验机|弹簧拉压试验机|弹簧疲劳试验机 一、螺旋弹簧试验机是依据弹簧试验机标准规定的技术要求制成,主要用于测试各种螺旋弹簧的拉力、压力、位移、刚度等强度试验和分析。 二、螺旋弹簧试验机的主要型号:TL-1000螺旋弹簧试验机;TL-2000螺旋弹簧试验机;TL-5000螺旋弹簧试验机。 三、螺旋弹簧试验机功能特点: ①试验力显示方式:度盘显示并且有上下限指示,具有分选功能。 ②位移显示方式:标尺与游标尺指示,具备微调功能。  ③加荷方式:采用手柄加荷,机械定位,检测速度快。 ④控制方式:接近开关控制加载点并具有刹车系统,能准确停车。 ⑤安全保护:上下极限位置停车保护与过载保护。 四、螺旋弹簧试验机技术参数: ⑴指标:TL-1000 TL-2000 TL-5000 ⑵最大试验力(N):1000;2000;5000 ⑶度盘每格刻度值(N):0~1000吋1.0/0~200吋0.2;0~2000吋2.0/0~400吋0.4    ;5 ⑷位移标尺最小分辨值(mm):0.05 ⑸拉伸试验两挂钩间最大距离(mm):270;700 ⑹压缩试验两压盘间最大距离(mm):250;650 ⑺上下压盘直径(mm):Ø110;Ø150 ⑻拉伸及压缩试验最大行程(mm):115;600 ⑼上压盘下降上升速度(mm/min):手动;600 ⑽试验机级别:1级;0.146 ⑾外形尺寸(长×宽×高):810×585×950;1020×850×1300 ⑿净重(kg):105;260 ⒀位移示值误差:≤±(50+0.15L)μm ⒁电源:(须有可靠的接地)220V±10%50Hz ⒂工作环境: 室温10~35℃,湿度20%~80% 五、系统配置: ①试验机主机 ②主机:1台 ③技术资料:使用说明书与维修手册、合格证、装箱单。 弹簧试验机 全自动、微机控制弹簧试验机/手动弹簧拉压试验机: ㈠主要用途:本机依据国家弹簧拉压试验机标准规定的技术要求,拉簧、压簧、碟簧、塔簧、板簧、卡簧、片弹簧、复合弹簧、气弹簧、模具弹簧、异性弹簧等精密弹簧的拉力、压力、位移、刚度等强度试验和分析。 ㈡功能特点: ①能够测量弹簧的拉力、压力、刚度、位移及显示日期、编号等内容 ②采用大规模继承电路,提高了测试精度,人机对话直观明了 ③依据国家标准设计的弹簧检测专用程序,效率高、功能全、操作方便 ④从寄希望原理和程序软件两方面考虑提高了量程的精确测量范围 ⑤即适合生产线上弹簧的批量检测、分选,也适合试验室的精密抽检 ⑥数据与曲线随试验过程动态显示 ⑦可对曲线进行再分析,可放大、缩小和点击察看曲线上各点对应的数据。 ⑧可将力值、位移、刚度、曲线等数据形成标准的试验报告进行打印 ⑨具有程控和机械两级限位保护 ㈢技术参数 ①型号:WDT ②最多试验机:100N~100KN ③拉伸试验的最大距:600mm ④压缩试验的最大距:600mm ⑤上亚盘下降上升速度:1~300mm/min或者0.01~500mm/min ⑥主机形式:单臂式,门式 『具体技术参数请查看济南思达测试技术有限公司的产品信息』 ㈣、试验机软件界面如下: ①主界面 主界面主要包括四部分:①菜单栏②示值显示区③试验曲线④试验操作 ②曲线显示界面 (力——时间曲线) ③数据查询界面 包括:①试验日期②试验批号③实验员④删除该批号⑤删除该编号 ④试验机结果界面      包括:①试验试样信息②试样编号列表③面积计算④试验结果 公司名称:济南思达测试技术有限公司 包装:木箱  价格:电议 电话:0531-85981092
济南思达测试技术有限公司 2021-08-23
一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺
本发明公开了一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺,包括步骤:1)在洁净硅片上热生长一层 SiO<sub>2</sub>薄膜、2)在有 SiO<sub>2</sub>层的硅片表面光刻出圆孔阵列图形、3)刻蚀暴露的 SiO<sub>2</sub>,将光刻的图形转移到 SiO<sub>2</sub>层、4)镀Cu 膜、5)去除表面的光刻胶及光刻胶表面的 Cu、6)生长 Si 微米线阵列、7)在 Si 微
华中科技大学 2021-04-14
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