RGT-50-RT儿童秤身高坐高计附有身长计，测量体重的同时又可以测量儿童的身高及其坐高。产品符合国际法制计量组织建议第三号（OIML International Recommendation NO.3）和中华人民共和国行业标准QB2065《人体秤》。 一、技术参数 型号：RGT-50-RT 最大秤量：50kg 分度值（d）：50g 身高测量范围：60－160cm 坐高测量范围：38－100cm 身高计分度值：0.5cm 承重板面积：37.5×27.5cm 外形尺寸：58×51×78cm 净重：22kg 二、儿童秤身高坐高计组装 1、打开包装，去除包装物； 2、将立柱组件通过螺钉和垫圈与底座联接，拧紧； 3、把计量杠杆小心地穿入视准器内； 4、将立柱组件中的传力杆钩在计量杠杆上的重点环上； 5、将计量杠杆的支点刀移至支点刀承中； 6、将挂钩套在力点刀上； 7、座椅组装：将两块靠板两侧的圆柱压入座椅框相应的凹槽内； 8、座椅安装：通过4-M4x16、压板将座椅安装在底座上； 三、儿童秤身高坐高计的操作 秤必须定期检查，尤其当移动后，根据以下要求进行操作：将平放在水平、平坦、坚实的地面上，站上，走下秤台数次，使秤的各个活动零部件处于自然状态。 零位调整：将秤的游砣置于零位，挂上砣挂，秤的标尺指示器必须自然地上升、下降，不能碰到上下边框。如果碰到边框，则要通过旋转调整砣杆调整砣的位置，使得指示器满足上述要求。 秤重操作： 1、根据你的大约重量，将适当数量及重量的增砣挂在砣挂上； 2、站在秤上，调整游砣位置，直到指示器在框内上下均匀地摆动（如果指示器在框内上下均匀地摆动，就没有必要等到指示器停止摆动再去读重量）； 3、游砣所指示的及增砣指示的重量之和，就是你的体重。 秤重方式：秤重方式分为站立、坐式、卧式三种。 四、儿童秤身高坐高计身高测量的操作 1、将测量板置于水平位置，将座板向后掀起，站在台面上； 2、将身高计的内管拉起，中管不能拉起，然后将内管往下压，直到测量板接触你的头顶；这时小螺帽上边圈右边刻度指示的高度就是你的高度，如果你低于 106cm；如果你高于106cm，那么继续向上拉动内管，带动中管上升，使测量板超过你的头顶，然后将中管往下压，使测量板接触你的头顶，那么大螺母上 边圈的右边的读数就是你的身高。 五、坐高测量的操作 1、将测量板置于水平位置，将座板向前放平，坐在凳面上； 2、将身高计的内管拉起，中管不能拉起，然后将内管往下压，直到测量板接触你的头顶，这时小螺帽上边圈左边刻度指示的高度就是你的坐高，如果你的坐高低于 84cm；如果你高于84cm，那么继续向上拉动内管，带动中管上升，使测量板超过你的头顶，然后将中管往下压，使测量板接触你的头顶，那么大螺母上边圈 的左边的读数就是你的坐高。 相关产品： 儿童电子秤-电子儿童秤 电子儿童秤-儿童电子秤 儿童秤身高坐高计 本文中所有关于儿童秤身高坐高计http://www.xinman8.com/331.html的文字、参数、图片等如有产品更新换代、参数变动请联系我们的销售、技术工程师。

本发明公开了一种带有多孔泡沫金属换热结构的太阳能光伏光热集热器，该集热器采用上下双冷却通道结构，并结合多孔泡沫金属层(6)进行换热强化，降低了太阳能光伏元件的温度，提高光伏元件发电效率，同时将太阳能光伏元件所产生的大量热量及时传递给冷却气体，冷却气体从集热器出气口(11)排出后可以用于预热、干燥或者室内供暖等用途。本发明所使用的泡沫金属具有高热导率及高比表面积，可以有效地改善传统太阳能光伏光热集热器的冷却效率，并且采用下进上出的流式，使得换热过程接近逆流换热，换热效率达到最高。

主要作了以下几方面探索： 在低维纳米结构的合成、纳米光电器件制造与性能分析方面有良好的研究基础。在纳米光电器件方面，长期从事纳米光电器件的研究与开发，已经成功地合成了一系列纳米结构以及它们异质和复合纳米结构，如TiO2、ZnO、ZnS、ZnS/ZnO 等，并在此基础上制造了基于单个纳米结构的光电器件，测试了其性能。其中发表在国际顶尖一区期刊《Advanced Materials》上的论文被美国加州大学、中科院重点实验室、澳大利亚昆士兰大学等相关课题组报道，被《Nature Communications》、 《Advanced Materials》、《Advanced Function Materials》、《Scientific Reports》等国际著名刊物引用达 123 次；发表在国际顶尖一区期刊《Advanced FunctionMaterials》上的论文被北京大学、清华大学、香港理工大学、台湾国立大学、新加坡南洋理工大学、日本东北大学、美国华盛顿大学等国际名校相关课题组报道，被《Advanced Materials》、《Advanced FunctionMaterials》、《Scientific Reports》、《Energy & Environmental Science》等国际著名刊物引用达 62 次。 在YBa2Cu3O7-δ/ La1-xCaxMnO3氧化物超导与铁磁双层结构中，观察到磁相关的近邻和耦合效应。证明了超导层中的迈斯纳电流与磁层耦合提供的磁场之间存在的相互作用，并明确了来自于超导层的空穴电荷传输到反铁磁层内，使得在靠近超导层的反铁磁薄层内电荷的重新分布，进而发生了铁磁性转变的物理机制。在锰氧化物和铜氧化物组成的铁磁/超导/铁磁/反铁磁异质结中观察到大的负磁阻峰，这是在接近超导转变温度附近的混合态所具有的独特现象，是自旋相关的界面散射的实验证据；另外，我们还发现该类氧化物铁磁/超导异质结中系统发现磁阻峰即随温度变化，其磁阻峰发生正、负性逆转的奇特效应，这是YBa2Cu3O7-δ正磁阻和La0.7Sr0.3MnO3负磁阻相互竞争的结果。其次，利用飞秒激光泵浦探测技术对YBCO/LCMO 异质结进行了泵浦探测，观测了低温下铁磁序和超导序的竞争情况，为进一步研究 YBCO/LCMO 的近邻效应打下了基础。 在 具 有 不 同YSZ(yttria-stabilized zirconia) 掺 杂 量 的YBCO/YSZ 准多层膜中观察到 YSZ 掺杂薄膜发生了化学反应，导致了具有纳米数量级钙钛矿异质相BaZrO3粒子的形成。BaZrO3粒子的形成促使了晶格的不匹配以致沉积中形成了c-轴关联的缺陷。角度相关的J c (H,T)在 H//c区域附近出现的二次峰揭示了c-轴关联缺陷的存在。基于各向异性磁通钉扎理论，我们分离了各向同性钉扎和各向异性钉扎对临界电流密度的贡献。分析表明所研究的准多层膜中产生了各向异性的缺陷，由此形成强钉扎中心，使得准多层膜在高场下仍具有较高的临界电流密度。 应用唯象含时Ginzburg-Landau 理论并使用有限元方法研究了二维、三维介观超导体的涡旋态性质。对于具有不同形状和不同方向外场作用下的介观超导体中观察到了涡旋管交叉缠绕现象。其次，通过对电流驱使下的含弱连接的介观超导带的分析，观察到了介观超导带磁化强度随时间的周期性变化。另外,在我们所研究的小超导环中出现了稳定多涡旋态。随着内半径的增长,我们发现了稳定基态的(l:L)和(2:L)多涡旋态现象。 该项目已获上海市自然基金项目立项支持。

本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼

本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼

在规范采样及针对性测试条件下，释光测年技术应用在埋藏陶器、烧土类考古受热材料的年代学研究中具有高准确度的优势，并有望确定最后一次考古受热事件（如祭祀、焚烧、烹煮等）的高精度年代。