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技术需求：超高分子量聚乙烯纤维生产技术。
超高分子量聚乙烯纤维生产技术。
青岛维尔新材料科技有限公司
2021-08-30
一种钙依赖型蛋白激酶CPK32及其编码基因和应用
本发明公开了一种钙依赖型蛋白激酶CPK32及其编码基因和应用。本发明的钙依赖型蛋白激酶CPK32，其氨基酸序列如SEQ ID NO.1所示，其编码基因的CDS序列如SEQ ID NO.2所示。本发明发现CPK32基因导入目的植物中后能够调节目的植物的开花时间、调节抽薹时的叶片数目或调节目的植物中FLC的表达量。本发明的钙依赖型蛋白激酶CPK32对于改良作物的开花时间具有重要调节作用，在作物的种质资源改良中具有较大应用价值。
中国农业大学
2021-04-11
一种生物活性仿生磷酸钙纳米材料及其制备方法和用途
本发明公开的生物活性仿生磷酸钙纳米材料，是含硅、锶、锌和镁中至少两种元素的纳米磷酸钙颗粒，其组分以氧化物形式表示的质量百分数含量为：CaO？40～55％；P2O538～44％；SiO20～0.3％；SrO？0～5.5％；ZnO？0～3.5％；MgO0～4.5％；H2O？3～8％，上述组分之和为100％，且SiO2、ZnO、MgO和SrO至少两种物质不同时为0。其制备方法是向模拟体液中添加含侧链羧基的链式聚合物溶液，并加入含硅、锶、锌和镁中至少两种离子的无机盐溶液，反应陈化，析出微量元素协同掺杂的仿生磷酸钙纳米粒，过滤、洗涤、干燥而成。这种纳米材料在骨组织中能持续降解并同步释放钙、磷酸根离子和微量元素，适宜于人体骨齿损伤修复应用。本发明具有制备工艺简单、纳米粒形貌和尺寸容易控制、微量元素复合比例易于操控等特点。
浙江大学
2021-04-11
可生物降解的生物活性掺锶硫酸钙材料、制备方法及应用
本发明公开了一种可生物降解的生物活性掺锶硫酸钙材料、制备方法及应用。其制备方法是将含Ca2+和Sr2+的溶液与十二烷基磺酸钠溶液混合，再将该混合溶液滴加到持续超声和搅拌处理的含SO42-的无机盐溶液中，析出掺锶二水硫酸钙微粒，经过滤、洗涤、干燥后，在150~170oC热处理后转化为掺锶α-半水硫酸钙微粒，再按固/液比0.5~2.0的比例将掺锶α-半水硫酸钙微粒与生理盐水调和形成糊状物，经水化反应并固化形成的材料。这种材料在骨损伤中持续降解并释放钙、锶和硫酸根离子，适宜于各种人体骨齿损伤修复、药物缓释等应用。本发明具有制备工艺简单、微粒形貌和尺寸容易控制、锶摻杂比例易于操控等特点。
浙江大学
2021-04-11
紫外光照射提高冬虫夏草钙强化剂中维生素D含量的方法
研发阶段/n本发明公开了一种紫外光照射提高冬虫夏草钙强化剂中维生素D含量的方法，a、配制培养基：以碳源、氮源、矿质元素等制备液体培养基，将配制好的培养基灭菌；b、向上述培养基中接种冬虫夏草菌，摇瓶培养，获得液体冬虫夏草菌种；c、向上述培养基中接种冬虫夏草菌种，在一定条件下摇瓶培养，取出发酵液；d、选用UV-B紫外光源，功率14-60W，波长为280～325nm，将冬虫夏草菌发酵液倒在大培养皿中，将紫外光源安放在距离培养皿的正上方，对得到的发酵液进行照射，照射完毕将发酵液经浓缩、干燥，破壁粉碎成粉末状
湖北工业大学
2021-01-12
紫外光照射提高灵芝钙强化剂中维生素Ｄ含量的方法
研发阶段/n紫外光照射提高灵芝钙强化剂中维生素Ｄ含量的方法 本发明公开了一种紫外光照射提高灵芝钙强化剂中维生素Ｄ含量的方法，其步骤是：ａ、配制培养基：以碳源、氮源、矿质元素等制备液体培养基，将配制好的培养基灭菌，冷却；ｂ、向上述培养基中接种灵芝菌株，在一定条件下摇瓶培养，获得液体冬虫夏草菌种；ｃ、向上述培养基中加入一定的液体灵芝菌种，通气搅拌培养，取出发酵液；ｄ、选用ＵＶ－Ｂ紫外光源，功率１４－６０Ｗ，波长为２８０～３２５ｎｍ，将灵芝菌发酵液倒在大培养皿中，将紫外光源安放在距离培养皿的正上方，得到
湖北工业大学
2021-01-12
一种提高微型光谱仪紫外响应和分辨率的滤光片
本实用新型提供一种提高微型光谱仪紫外响应和分辨率的滤光片，包括基板、镀膜层和镀膜保护层， 所述镀膜层分为三个区域，在不同区域分别镀有紫外转换膜，紫外截止滤光膜，可见光截止滤光膜。本 实用新型同时解决了紫外效率低、可见光、红外光波段存在高次衍射光的问题，并且可以根据光谱仪的 光谱范围选择镀膜的层数、类型、区间长度，具有安装拆卸方便，结构简单，使用灵活的特点，且镀膜 之间不会相互产生干涉。
武汉大学
2021-04-13
一种时间分辨率自适应调整的流场状态测量方法
本发明公开了一种时间分辨率自适应调整的流场状态测量方法，该方法包括如下步骤：首先，根据第 k+1 时刻图像与第 k 时刻图像之间的时间间隔Δt<sub>k</sub>，采集第 k+1 时刻图像，并对第 k 时刻和第k+1 时刻的图像进行降噪处理；然后，据 k 时刻图像和第 k+1 时刻的图像，采用粒子图像测速方法，计算第 k+1 时刻的流场状态 X(k+1)，包括：位移场 x(k+1)、速度场 x′(k+1)、加速度场 a(k+1)，并输出显示；最后，更新第 k+2 时刻与第
华中科技大学
2021-04-14
可变温霍尔效应测试仪高低温磁场型0.1GS分辨率
霍尔效应测试仪—高低温磁场型本仪器系统由：电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源高精度电压表、高斯计、霍尔效应样品支架、标准样品、高低温杜瓦，控温仪，系统软件。为本仪器系统专门研制的JH10 效应仪将恒流源，六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体，大大减化了实验的连线与操作。
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产品概述：
本仪器系统由：电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源高精度电压表、高斯计、霍尔效应样品支架、标准样品、高低温杜瓦，控温仪，系统软件。为本仪器系统专门研制的JH10 效应仪将恒流源，六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体，大大减化了实验的连线与操作。JH10 可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必*的工具。 实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier oncentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)等。
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可测试材料: Ø
半导体材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料等；
低阻抗材料：石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料等；
高阻抗材料：半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等。
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北京锦正茂科技有限公司
2022-05-10
锦正茂低温控温仪TESK301低温温度仪 0.01K分辨率
TESK301型低温控温仪的前面板有高亮黄色数码管和红色指示灯显示，保*各个角度温度示数清晰可见。按键位置设置规范，按键图标清晰明了。同时TESK301具有三个输出功率范围，充分保*了各个控温区间控温的稳定性，减小温度过冲。安装有标准的RS232 接口，可以通过控制软件利用上位机控制，用户也可开发自己的应用软件。
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低温控温仪TESK301低温温度仪 0.01K分辨率 TESK301内置了一个标准恒流电源向电阻温度计供电,通过四线法测量温度传感器电压信号，经16位A/D转换，自校准，数字滤波，查分度表，修正计算后显示实测温度，经与设定温度比较后，实时PID运算给出控制信号，通过机内固态继电器周期控制加热电压来实现温度的控制。
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低温控温仪TESK301低温温度仪 0.01K分辨率
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作为北京高科技企业，锦正茂科技以现代高科技产业和传统产业为核心业务，对内承接科研生产任务，对外以商务平台方式实现军民两用技术成果转换，形成了科学管理的现代化经营模式，专门从事物理、化学和材料等领域的科学仪器研发、销售各类型超低温测试设备（液氮 液氦）制冷机系统集成 ，定制 ，高低温真空磁场发生系统，Helmholtz线圈（全套解决方案），电磁铁（全系列支持定制），螺线管，电子枪（高稳定性双极性磁铁恒流电源1ppm），高低温磁场真空探针台，霍尔测试系统，电输运测量解决方案，磁光克尔效应测量系统等产品种类齐全，性能可靠，至今已有近10余年的历史，是国内（较早）生产探针台，电输运，电磁铁的厂家之一。
北京锦正茂科技有限公司
2022-08-26