系列高压集成技术
本成果包括系列基于硅基或SOI基材料的高压集成技术,可用于700V AC-DC电源管理IC、600V/1200V高压栅驱动IC、不同电压需求的高压开关IC、D类功率放大器、电机驱动IC等的研制,满足照明、工业控制、汽车电子、电机驱动、消费电子等领域的需求。具体包括: 硅基:(1)超低比导通电阻700V单晶型BCD工艺;(2)600V外延型BCD工艺;(3)1200V外延型BCD工艺;(4)48V高功率BCD工艺;(5)40V高压双极型工艺。 SOI基:(1)600V 厚层SOI BCD工艺;(2)650V薄层SOI高压CDMOS工艺;(3)300V薄层SOI高压CDMOS工艺;(4)200V薄层SOI高压CDMOS工艺;(5)100V薄层SOI高压CDMOS工艺;(6)40V薄层SOI高压CDMOS工艺;(7)-200V SOI高压CDMOS工艺;(8)-100V SOI高压CDMOS工艺。
电子科技大学
2021-04-10