|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
技术需求：机电液控制技术
1、机电液控制技术；2、流体传动及控制工程技术；3、极端环境测试技术；4、成套装备技术。
太重集团榆次液压工业（济南）有限公司
2021-06-15
一种高居里温度、高压电性能的钛钪铌酸铅铋锂系压电陶瓷
本发明公开了一种属于功能陶瓷制备技术领域的具有高Tc、高压电性能的钛钪铌酸 铅铋锂系压电陶瓷。提出由以用通式(1-x)BiScO3-xPb(1-y)LiyTi(1-y)NbyO3表示的压电陶瓷 材料，其中x、y表示复合离子中相应元素材料在各组元中所占的原子数，即原子百分比， 0.50≤x≤0.90，0≤y≤0.10。该压电陶瓷可采用传统压电陶瓷制备技术和工业用原材 料、在1150℃或更低温度下烧结而获得，其工艺稳定。本发明压电陶瓷具有良好的压电 性能、实用的平面机电耦合系数，其kp大于40％，d33达300pC/N以上，Tc大于400℃，在 高温电子设备中具有实际应用的价值。
四川大学
2021-04-11
超高压同塔四回交流/双回双极直流线路零序参数测量法
本发明涉及一种超高压同塔四回交流/双回双极直流线路零序参数测量法，通过建立基于分布参数的 超高压同塔四回/双回双极输电线路模型，利用全球卫星定位系统技术(GPS)，同时测量四回/四极输电 线路首末两端的零序电压和零序电流，实现对零序电压和零序电流的同步采样;再通过本专利给出的测 量与计算方法得到超高压同塔四回/双回双极输电线路的零序电阻、零序电感、零序电容参数。本发明方 法基于分布参数模型和传输线方程，极大提高了测量精度，可满足实际工程测量的需要。
武汉大学
2021-04-14
【中国日报网】第63届高博会：吉林动画学院原创 IP 以“技术 + 艺术” 点燃数字创意
5月23日至25日，吉林动画学院携“技术 + 艺术” 融合成果亮相第63届中国高等教育博览会，以《疯狂电脑城》赛博朋克美学与裸眼 3D、虚拟角色互动等形式，打造穿越次元的数字创意盛宴，诠释产教融合创新实践。
中国日报网
2025-05-25
液压无级转向技术和液压复合无级转向技术（技术）
成果简介：从履带车辆的无级转向技术的发展来看，液压无级及液压复合无级转向是上世纪70至80年代发展的具有代表性的新技术。世界各国发展的新型和改进型军用履带车辆的传动装置上，几乎全部采用了这类新型的无级转向机构。在民用工程车辆上也逐渐开始采用。可实现履带车辆无级转向功能。主要技术指标是：车辆吨位：10～50t；可匹配的发动机功率范围：50～600kW；输入转速范围：2000～3000r/min；传动效率：90%～93%。 项目来源：自行开发 技术领域：先进制造
北京理工大学
2021-04-14
技术需求：数控技术、机电一体化技术、机械制图技术
数控技术、机电一体化、机械制图
山东台稳精密机械有限公司
2021-06-15
广西壮族自治区人民政府关于印发《广西科学技术奖励办法》的通知
为了奖励在本自治区科学技术进步活动中作出突出贡献的个人、组织，充分调动科学技术工作者的积极性和创造性，加快建设高水平创新型广西，根据《国家科学技术奖励条例》和《广西壮族自治区科技创新条例》等规定，结合本自治区实际，制定本办法。
广西壮族自治区人民政府
2025-02-24
[5月23日·长春]第五届智慧校园新技术创新学术论坛启动报名
为深入贯彻习近平总书记关于教育的重要论述和全国教育大会精神，贯彻落实《教育强国建设规划纲要（2024—2035年）》和三年行动计划，研讨高等教育强国建设新路径新范式，宣传高等教育强国研究成果，聚焦高等教育领域借助人工智能实现数字化转型议题，展示 AI 技术在高校校园场景应用中的创新性实践，中国高等教育培训中心决定举办“第五届智慧校园新技术创新学术论坛”。
中国高等教育学会
2025-04-30
一种基于开槽结构的四分之一模基片集成波导滤波器
本发明公开了一种基于开槽结构的四分之一模基片集成波导滤波器，包括四分之一模基片集成波导弧形腔，四分之一模基片集成波导弧形腔通过基片集成波导圆形腔沿任意两条相互垂直的磁壁分割得到，四分之一模基片集成波导弧形腔包括介质基片，介质基片的上表面设有上金属层，介质基片的下表面设有下金属层，介质基片中沿四分之一模基片集成波导弧形腔的周向均匀分布有贯穿上金属层和下金属层的金属通孔。本发明相对于传统的基片集成波导圆形腔有效实现了小型化。并且，相对于传统的多层结构，本发明结构简单，加工方便。此外，相对于传统的微带结构，本发明的滤波器品质因数高，损耗小。
东南大学
2021-04-11
大规模集成电路用引线框架Cu-Ni-Si系、Cu-Fe-P系合金
集成电路是微电子技术的核心，与国防和国民经济现代化, 乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成, 其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路, 是芯片的散热通道, 又是连结电路板的桥梁, 因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位，目前，由于集成电路向高密度, 高集成化方向发展, 芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进，对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求，过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料, 利用铜合金优良的传热性能, 加入少量强化元素, 通过固溶强化和弥散强化提高其强度, 同时仅稍微损失导热性能。目前，铜合金框架已成为主体，形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前，由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距，我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前，本课题组通过一系列研究，开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金，并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。 一、Cu-Ni-Si系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.导电率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.导电率：60～80%IACS。
上海理工大学
2021-04-11