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高阶拓扑奇宇称超导体
体-边对应关系是拓扑物态的一个基本特征。近期新发现的高阶拓扑物态由于呈现出新型的体-边对应关系而受到广泛关注。特别地,由于高阶拓扑超导体允许马约拉纳零模直接出现在二维和三维系统的边界上,这为寻找马约拉纳零模和实现拓扑量子计算提供了新的思路。近两年来,虽然已提出一系列实现高阶拓扑超导体的理论方案,但这些方案或要求超导转变前的正常态具有拓扑非平凡的性质,比如,拓扑绝缘体,或要求混合宇称的超导配对。如果正常态只是普通的金属,而超导配对只有奇宇称或偶宇称型的配对,是否能实现高阶拓扑超导体仍是一个重要的开放问题。
中山大学 2021-04-13
一种超导可控电抗器
本发明公开了一种超导可控电抗器,超导控制线圈、工作线圈、 低温杜瓦和磁屏蔽铁芯均为空心圆筒状;高导磁铁芯由圆柱状的上、 下导磁铁芯构成,分别固定在低温杜瓦的上、下盖板上;两块铁芯之 间通过环氧树脂材料进行填充和支撑;环氧树脂的填充高度为工作线 圈高度的 1/2 到 1/3 之间;各超导控制线圈位于低温杜瓦内,且从里到 外同轴或近似于同轴布置;工作线圈套在低温杜瓦外,且均位于磁屏 蔽铁芯内。高导磁铁芯优选由铁粉芯或磁粉芯制成。本发明可以减少 超导线材的用量以及降低低温杜瓦制作的技术复杂度,并且还可以有
华中科技大学 2021-04-14
体育场塑胶跑道七
产品详细介绍首都师范大学
保定市超达体育设施有限公司 2021-08-23
体育场塑胶跑道八
产品详细介绍珠海体育中心
保定市超达体育设施有限公司 2021-08-23
基于单光场相机的微尺度流动三维速度场测量装置和方法
本发明公开了一种基于单光场相机的微尺度流动三维速度场的测量装置及方法,其中测量装置包括双脉冲激光器、荧光显微镜、相机系统、同步控制器和计算机,其中计算机用于存储CCD相机获得的光场图片;选择两帧时间间隔为Δt光场照片,利用计算的点扩散函数,反卷积重建出示踪粒子的三维位置信息;通过三维互相关算法得出微流场的三维速度场信息。本发明采用单相机系统与传统荧光显微镜结合,实现微尺度流场的三维速度场测量,系统无需深度扫描,可以对非定常流动或非周期性流动的流场测量。
东南大学 2021-04-11
良田S920A3广角高拍仪PDF文档转换功能
深圳市新良田科技股份有限公司 2021-08-23
良田PB1000AF多媒体教学高清视频高拍仪
深圳市新良田科技股份有限公司 2021-08-23
柴油机排气管分支流场测试和三维流场计算分析项目
项目简介 “柴油机排气管分支流场测试和三维流场计算分析”项目由中国船舶重工集团公司 地七一一研究所委托开展。对柴油机排气管分支进行流场进行 PIV(Particle Image Velocimetry)测试,并通过结合数值模拟技术分析排气管分支内的流场结构以及进行优 化改进工作。项目主要解决难点为高速流场的实验台搭建、精确计算以及光学测量。 产品性能、指标 提供柴油机排气管分支在各个工况下
江苏大学 2021-04-14
耐高温超导热绝缘减震材料的研究
随着集成技术和微封装技术的发展,电子元器件和电子设备向小型化和微型化方向发展。电子设备所产生的热量迅速积累、增加。为保证电子元器件在使用环境温度下仍能高可靠性地正常工作。需要开发导热绝缘高分子复合材料替代传统高分子材料,作为热界面和封装材料,迅速将发热元件热量传递给散热设备,保障电子设备正常运行。高分子材料本身的热传导系数比较小,所以填充型高分子复合材料导热性能主要依赖于填充物的导热系数、填充物在基体中的分布以及与基体的相互作用。填料用量较小时,填料虽均匀分散于树脂中,但彼此间未能形成相互接触和相互作用,导热性提高不大;填料用量提高到某一临界值时,填料间形成接触和相互作用,体系内形成了类似网状或链状结构形态,即形成导热网链。当导热网链的取向与热流方向一致时,材料导热性能提高很快;体系中在热流方向上未形成导热网链时,会造成热流方向上热阻很大。项目采用导热填料添加的同时,以耐高温的硅橡胶或者氟橡胶为基体,硅橡胶是由环状有机硅氧烷开环聚合或以不同硅氧烷进行共聚而制得的弹性共聚物。在有机硅产品的结构中既含有“有机基团”,又含有“无机结构”,这种特殊的组成和分子结构使它集有机物的特性与无机物的功能于一身。硅橡胶有耐热,耐寒,有很宽温度使用范围,高电绝缘性,良好耐候性,耐臭氧性,并且无味无毒等性能。其最显著的特点是其优异的耐热性,可在?O0℃左右的温度下长期使用,因此被广泛用作高温场合的弹性材料。具有耐高温性的硅橡胶在印刷业、电子、电器、汽车、航空航天等工业部门和高新技术领域的应用是其它材料所不能替代的。
华东理工大学 2021-04-11
关于超薄单晶铅膜界面超导的研究
通过使用铅的条状非公度相作为铅膜和硅衬底的界面,用超高真空分子束外延技术成功制备出一种宏观面积的、塞曼保护的新型二维超导体。系统的低温强磁场实验表明,该体系的超导电性可存在于超过40特斯拉的平行强磁场中,这一数值远超过体系的泡利极限,是塞曼保护超导电性的直接证据。第一性原理计算结果也表明,条状非公度相中特殊的晶格畸变会延伸至铅膜中,从而在该体系中引入很强的塞曼自旋轨道耦合。同时,新的微观理论也给出了强杂质情形下各种自旋轨道耦合及散射效应对二维超导临界场的影响并定量地解释了塞曼保护超导电性的物理机制。该工作表明,可以通过界面工程在中心反演对称性保护的二维超导中引入面内中心反演对称性破缺,也即在二维晶体超导体系中人工引入塞曼保护的超导电性机制。这一结果预示出人们有望在二维超导体系中,通过界面调制发现新的非常规超导特性。这种宏观尺度强自旋轨道耦合下的二维超导,也为拓扑超导的探索提供了新的平台,并为未来无耗散或低耗散量子器件的设计与集成奠定了基础。图 (a) 脉冲强磁场实验表明6个原子层厚铅膜的超导电性在高达40 T的水平强场下仍不被破坏。(b) 临界场随温度的关系与理论高度重合,有力地证明了超薄铅膜中的塞曼自旋轨道耦合保护的超导电性。 (c) 对外延生长于条状非公度相(SIC)界面上的超薄铅膜进行磁阻测量的示意图。
北京大学 2021-04-11
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