本发明公开了一种红冲机械手冲压高度补偿装置，现有的冲压加工中，都要求夹持装置始终稳固夹持工件，防止冲压过程对工件的位置和姿态造成影响，这样不可避免的会造成冲压过程前后，机械臂的末端会随着工件的形变而向下位移，当机械臂与其安装面之间是刚性连接时，这样程度的位移会对机械臂整体或机械臂部分部件造成形变，最终会对机械臂的稳定性和机械寿命造成极大的影响。本发明包括冲压高度补偿机械装置和电气控制系统；所述高度补偿机械装置，包括框架、滑动块、电磁铁、固定柱、固定螺丝、弹簧、指型气缸；本发明实现冲压过程中的高度补偿，降低冲压过程对机械臂的影响，可以提高夹持机构以及整个红冲加工系统的稳定性和使用寿命。

成果介绍本发明公开了一种基于因子综合评价的城市整体高度控制分区方法，该方法基于因子综合评价的城市整体高度控制分区方法，首先从城市总体规划等相关法定规划成果中提取所需数据资料，结合研究构筑的高度控制数学模型，将数据资料导入数字技术平台转化为影响因子控制参数，得到各街区单元的高度控制值，然后进一步利用Saaty法进行标准化修正，转化得到最终的高度控制分区结果。本发明客观的理性分析为基础，较为综合全面的评价方式，且数据资料易于获得，从而有效地从宏观层面对城市高度进行控制。技术创新点及参数本发明提供了一种基于因子综合评价的城市整体高度控制分区方法，该方法客观的理性分析为基础，较为综合全面的评价方式，且数据资料易于获得，从而有效地从宏观层面对城市高度进行控制。

本发明公开了一种红冲机械手冲压高度补偿装置，现有的冲压加工中，都要求夹持装置始终稳固夹持工件，防止冲压过程对工件的位置和姿态造成影响，这样不可避免的会造成冲压过程前后，机械臂的末端会随着工件的形变而向下位移，当机械臂与其安装面之间是刚性连接时，这样程度的位移会对机械臂整体或机械臂部分部件造成形变，最终会对机械臂的稳定性和机械寿命造成极大的影响。本发明包括冲压高度补偿机械装置和电气控制系统；所述高度补偿机械装置，包括框架、滑动块、电磁铁、固定柱、固定螺丝、弹簧、指型气缸；本发明实现冲压过程中的高度补偿，降低冲压过程对机械臂的影响，可以提高夹持机构以及整个红冲加工系统的稳定性和使用寿命。

本实用新型提供了一种便携式苜蓿刈割高度定位尺，包括竖直设置的测量杆，所述测量杆的外表面设置有刻度槽，所述测量杆的底端设置有支撑机构，所述测量杆的外部套设有活动套管，所述活动套管上插设有限位螺栓，所述活动套管的左右两侧均竖直设置有插管，且测量杆的两侧均分别设置有水平放置的标杆，且标杆靠近测量杆一侧的底部竖直设置有与插管配合连接的插杆，所述标杆靠近测量杆的一端设置有第一插块。本实用新型具有结构简单、使用方便的优点，测量杆底部的支撑机构、活动套管以及用于指示的标杆均可在使用后进行拆卸，方便收纳整理，也便于使用者携带。

成果简介：车身高度的调整是根据路况自动控制的，也可以通过中央表板上控制键，实施手动控制。高度可调油气悬架的控制程包含ESP电子稳定程序，可加强转弯行车的稳定性，保持车身良好姿态。悬架系统刚度、阻尼均程控可调。主要控制工况如下：1)在越野行驶情况下，调整前后悬架高度，增加悬架的动行程和汽车最小离地间隙，可减少悬架击穿的概率与托底失效现象，提高汽车行驶速度，改善汽车的通过性；2)在高速行驶情况下，调整前后悬架高度，降低车身与重心的高度，提高车辆高速行驶时的操纵稳定性；3)在车辆起步、加速和制动的情况下，

        技术成熟度：技术突破         目前的潮流能发电机组以直驱液压变桨及带变速箱的液压变桨为主，其发电机和变速箱均采取机械动密封方式进行密封防水处理，海洋环境下，机械动密封的可靠性和运行效率往往冲突，密封层级多运行阻力大，效率低，密封层级少，密封可靠性差，机组的运行可靠性大大降低。光伏、波浪、海流一体化集成发电，波浪能与海流能水轮机对转并通过磁力耦合驱动发电机增速，具有多能互补、高效获能、转换效率高、结构简单、运行可靠等特点，为规模化海洋能开发提供创新型设计。         意向开展成果转化的前提条件：中试放大及产业化工艺开发资金支持

本成果是一种高度和角度可调节的双滑块式斜坡实验台，包括平板、斜板、底板、支架、垂直滑块、水平滑块、电机、滚珠丝杠、冗余连杆机构和从动同步轮。本发明能够方便的自动进行高度和角度调节，减少了动物训练过程中器械的拆装工作，提高训练效率。 图1.本成果的原理结构图

本成果包括系列基于硅基或SOI基材料的高压集成技术，可用于700V AC-DC电源管理IC、600V/1200V高压栅驱动IC、不同电压需求的高压开关IC、D类功率放大器、电机驱动IC等的研制，满足照明、工业控制、汽车电子、电机驱动、消费电子等领域的需求。具体包括： 硅基：（1）超低比导通电阻700V单晶型BCD工艺；（2）600V外延型BCD工艺；（3）1200V外延型BCD工艺；（4）48V高功率BCD工艺；（5）40V高压双极型工艺。 SOI基：（1）600V 厚层SOI BCD工艺；（2）650V薄层SOI高压CDMOS工艺；（3）300V薄层SOI高压CDMOS工艺；（4）200V薄层SOI高压CDMOS工艺；（5）100V薄层SOI高压CDMOS工艺；（6）40V薄层SOI高压CDMOS工艺；（7）-200V SOI高压CDMOS工艺；（8）-100V SOI高压CDMOS工艺。

本成果包括系列基于硅基或SOI基材料的高压集成技术，可用于700V AC-DC电源管理IC、600V/1200V高压栅驱动IC、不同电压需求的高压开关IC、D类功率放大器、电机驱动IC等的研制，满足照明、工业控制、汽车电子、电机驱动、消费电子等领域的需求。

北京大学物理学院现代光学所王剑威研究员与意大利罗马大学Fabio Sciarrino教授、英国布里斯托尔大学Anthony Laing和Mark Thompson教授，受邀在国际著名刊物《自然-光子学》（Nature Photonics）上撰写综述文章，介绍“集成光量子技术”这一新兴领域的基本科学原理和前沿进展。 量子技术利用量子物理基本原理，通过操控光或物质的量子叠加和量子纠缠等内禀属性，其信息处理能力有望从根本上超越经典范畴的信息技术。集成光量子芯片技术是一门结合了量子物理、量子信息、集成光子学和微纳制造等学科的前沿交叉技术，通过半导体微纳加工制造，有望实现高性能且大规模集成的光量子器件和系统，达到对作为量子信息载体的单光子进行高效处理、计算和传输等功能。 国内外对集成光量子芯片技术的研究取得许多重要进展 2008年，国际上首次实现了基于二氧化硅平面光波导体系的量子受控纠缠门和量子干涉，开创了集成光量子芯片领域的先河。在过去十年间，国内外对集成光量子芯片技术的研究,取得了许多重要进展，目前已实现了片上光量子态的制备、量子操控以及单光子探测等核心功能，并且器件集成度和功能复杂度也都得到了大幅度提高。综述总结了集成光量子芯片的主流材料体系、核心量子光学元器件，及其量子信息的前沿应用，包括量子密钥分发和通信、物理和化学系统的量子模拟、量子玻色取样、光量子信息处理和计算等。 集成光量子芯片的材料体系目前主要采用硅基绝缘体上、铌酸锂、激光直写二氧化硅、氮化硅、氮化嫁、磷化铟等光波导材料。核心器件主要包括集成单光子源与纠缠光子源、可编程大规模集成光路、集成单光子探测器等，其中量子光源主要有非线性参量型量子光源和固态量子点型量子光源，而单光子探测主要通过超导纳米线探测和过度边缘感应传感来实现。这些核心光量子集成器件的性能均取得了很大程度的提升。与此同时，集成光芯片平台上也已经逐渐发展出一套可以将量子信息精确加载在单光子的路径、偏振、时间、空间、频率等不同自由度的方法，为该技术的发展提供了广阔的便利性和多样化。 集成光电子器件在经典通信系统中一直起着举足轻重的作用，可以预期其也将在量子密钥分发和量子通信中起到重要作用，特别是微小型、低成本、高性能的量子通信收发芯片的发展，将有助于进一步降低成本、提高可靠性，推进其实用化进程。目前，量子通信的几种主要协议，包括制备-测量类的通信协议以及基于纠缠分布和量子隐形传态类的协议等，已先后在硅基、磷化铟、氮化硅等光子芯片上得到实验验证。另外，全集成型量子真随机数发生器也有很多实验实现，并有望在不远的将来提供微小型、高速和低成本的真随机数发生器。 量子线路模型和基于测量的单向量子计算模型是实现通用量子计算的主流模型。光学量子计算的线路模型实现方案存在扩展性困难，但基于测量的光量子计算可以大大降低需要的物理资源，并可实现通用量子计算。在可编程的光量子芯片平台上，目前已成功实验验证了Shor因数分解算法、Grover搜寻算法、优化算法等重要算法，并可在单一芯片实现多种复杂量子信息处理功能。近年来，片上制备并操控复杂量子态，包括高维量子态、多光子纠缠态、图纠缠态等，均已在硅基和二氧化硅等平台实现。值得一提的是，集成光量子芯片的高可编程性、高稳定性、高保真度，为通用量子计算的实现提供了基础。 量子玻色取样和量子模拟被认为是量子计算的短期实现目标和重要应用方向。触发型玻色取样和基于量子点光源的玻色取样，被认为是实现具备“量子优势”的玻色取样量子计算的有效技术方案，有望超越经典计算机计算能力，其中前者已实现芯片上量子光源和线性网络的全集成，而后者最近在中科大发布的一个论文预印本中报道了20光子60模式玻色取样的重要突破。集成光量子芯片体系已实验验证了离散型和连续型的量子漫步功能，并可用于模拟复杂的物理和生物过程。同时，集成光量子模拟器也成功验证了多种典型的量子模拟算法，有望有效地模拟化学分子动力学过程。