产品详细介绍压电偏转镜压电偏转镜，电话：0451-86268790  芯明天科技——压电纳米定位行业领导者！产品定制服务我们更专业！每年参加展会：LASER World of PHOTONICS CHINA慕尼黑上海光博会、北京光电周ILOPE、深圳光博会CIOE。哈尔滨芯明天科技有限公司专业致力于压电纳米定位系统的研发生产与销售。十余年的行业经验、专业的研发团队、雄厚的研发实力、完善的管理体系、可靠的品质保障为您提供最佳压电纳米定位技术解决方案！主营产品包括压电陶瓷材料、压电陶瓷片、叠堆压电陶瓷、精密压电促动器、压电马达、压电直线电机、纳米定位台、压电纳米定位台、微米纳米定位台、压电平移台、压电运动台、压电位移台、压电平移台、1-3维纳米精度偏转台/旋转台、压电偏转镜、压电物镜定位器、六自由度并联机构、压电陶瓷驱动电源、压电陶瓷驱动器、压电陶瓷驱动电源、电感/电容/激光测微仪等产品，同时提供压电点胶阀维修服务等。 压电偏转镜是以压电陶瓷作为驱动元件，内部采用无回差柔性铰链并联导向结构设计，外部机械结构通过内部多支压电陶瓷的伸缩来实现单轴角度偏转运动，补偿量小，确保偏转具有极佳的运动精度和超高的稳定性，通过内置高精度传感器进行闭环控制，实现亚微弧度分辨率及微弧度定位精度。P33压电偏转镜为两轴θx、θy运动压电偏转镜，4个压电陶瓷结构设计而成，每轴采用两个压电陶瓷，以推拉模式形成偏转运动，采用桥式连接电路控制，四个执行机构以90°角平分放置，是成堆的差异控制分布形式。最大偏转角度13.5mrad, 分辨率可达0.02urad。特点：θx、θy二维偏转镜最大偏转角度13.5mrad分辨率可达0.02urad差分式并联结构、柔性铰链导向系统、超高的导向精度毫秒级响应时间应用：激光通信技术•光束偏摆/稳定•图像处理/稳定•主动自适应光学•隔行扫描、抖动突出贡献目前“海洋二号”与“实践13号”卫星均已实现卫星星地激光链路通信，该激光通信系统是由哈工大研制，芯明天为其提供压电偏转镜及低功耗、小体积板卡式控制系统。哈尔滨芯明天科技有限公司致力于压电纳米定位产品的研发、生产与销售，主要服务于制造高端精密设备的的客户。自2004年起，经过十多年的快速发展，公司已获得高新企业认定，获得产品相关专利以及软件著作权、全部产品拥有自主知识产权、公司产品已覆盖全国各地知名高校、科研院所以及高端精密设备制造企业，并远销欧、美、日、韩等地。公司与中国高科技企业、国家重点实验室建立了合作伙伴关系，已经成为中国最专业的精密定位产品生产商。更多信息，请访问芯明天官网  www.coremorrow.com 或拨打电话：0451-86268790/17051647888 哈尔滨芯明天科技有限公司产品已广泛应用于半导体技术、光电子、通信与集成光学、光学仪器设备、医疗生物显微设备、生命科学、精密加工设备、新药设计与医疗技术、数据存储技术、纳米技术、纳米制造与纳米自动化、航空航天、图像处理等领域。芯明天正在为中国的工业自动化、国防、航天事业的发展贡献着自己的力量。

产品详细介绍压电扫描台电话：0451-86268790  芯明天科技——压电纳米定位行业领导者！产品定制服务我们更专业！每年参加展会：LASER World of PHOTONICS CHINA慕尼黑上海光博会、北京光电周ILOPE、深圳光博会CIOE。哈尔滨芯明天科技有限公司专业致力于压电纳米定位系统的研发生产与销售。十余年的行业经验、专业的研发团队、雄厚的研发实力、完善的管理体系、可靠的品质保障为您提供最佳压电纳米定位技术解决方案！主营产品包括压电陶瓷材料、压电陶瓷片、叠堆压电陶瓷、精密压电促动器、压电马达、压电直线电机、纳米定位台、压电纳米定位台、微米纳米定位台、压电平移台、压电运动台、压电位移台、压电平移台、1-3维纳米精度偏转台/旋转台、压电偏转镜、压电物镜定位器、六自由度并联机构、压电陶瓷驱动电源、压电陶瓷驱动器、压电陶瓷驱动电源、电感/电容/激光测微仪等产品，同时提供压电点胶阀维修服务等。压电扫描台中心具有通孔，台体集成高精度传感器，采用柔性铰链设计、无机械摩擦、分辨率高。产品主要应用于透光精密光学器件的定位，生物显微与显微成像系统。压电扫描台包括一维、二维、三维三种运动形式，最大运动范围可达370μm。P-78压电扫描台，采用一体式设计，柔性铰链机构， XYZ三维运动无耦合，无机械摩擦，响应速度快，满足不同应用的需求。特点：1-3维运动最大运动范围370μm一体式结构设计，多维运动无耦合最大透光孔径35mm闭环精度可达0.15%F.S.应用：原子力显微镜•高分辨率CCD•三维共焦显微•激光平面干涉•纳米光刻•红外热成像扫描•光纤对接•纳米光刻哈尔滨芯明天科技有限公司致力于压电纳米定位产品的研发、生产与销售，主要服务于制造高端精密设备的的客户。自2004年起，经过十多年的快速发展，公司已获得高新企业认定，获得产品相关专利以及软件著作权、全部产品拥有自主知识产权、公司产品已覆盖全国各地知名高校、科研院所以及高端精密设备制造企业，并远销欧、美、日、韩等地。公司与中国高科技企业、国家重点实验室建立了合作伙伴关系，已经成为中国最专业的精密定位产品生产商。更多信息，请访问芯明天官网  www.coremorrow.com 或拨打电话：0451-86268790/17051647888 哈尔滨芯明天科技有限公司产品已广泛应用于半导体技术、光电子、通信与集成光学、光学仪器设备、医疗生物显微设备、生命科学、精密加工设备、新药设计与医疗技术、数据存储技术、纳米技术、纳米制造与纳米自动化、航空航天、图像处理等领域。芯明天正在为中国的工业自动化、国防、航天事业的发展贡献着自己的力量。

产品详细介绍压电双晶片的工作原理压电双晶片由两片单晶片及一片玻璃纤维或碳纤维夹层所构成。由于压电陶瓷片的逆压电效应，当双晶片上施加正向的电压时，由于两片压电陶瓷具有相反的极化方向，两个面上一边的电场方向和极化方向相同，则同时另一面上的电场方向和极化方向相反，即一方做扩张振动，则另一方侧则做收缩弯曲振动，使双晶片的振幅发生很大的变化。产生位移。当施加负向电压时,上下面上的陶瓷片振动情况均与上次相反。使用条件环境温度：-10℃～+70℃(包含其它装配过程及使用过程)；相对湿度：≤80%；工作电压：45VDC至55VDC；最高频率：不高于70Hz。注：该驱动片加载0/50VDC驱动电压，双向位移量H≥.80mm。

半导体纳米线是一种独特的准一维纳米材料。它不仅是电荷的最小载体，也是构建新的复杂体系和新概念纳米器件的基元。在该领域中，新现象和新概念层出不穷，推动着材料、物理、化学等交叉学科的发展，并将对未来电子、光电子、通讯等产业产生重大影响。在这一当今最前沿的研究领域中，国际上尤其是发达国家集中了最精锐的研发力量，以期望在纳米器件的实用化方面有所突破，在未来高科技争夺战中，保持领先并居于主导地位。在纳米研究领域，美国政府仅在2005年就投入10亿美元，而日本在同一年的投入约12亿美元。 我国的《国家中长期科技发展规划纲要》中也已经把纳米科技作为基础研究重大研究计划，列入重点支持范围。其中一维功能纳米材料的控制合成、性能调控及应用研究是目前纳米材料研究的世界热点。 张跃教授承担了973、863、重大国际合作、自然科学基金杰出青年基金和面上项目等各类纳米研究方向的课题，通过创新合成方法、优化合成工艺，实现了多种形貌的一维功能纳米材料的可控制备，利用等多种手段对纳米材料的形貌、结构进行了表征，并对其生长机理、力学性能以及光致发光、场发射、导电性等物理性能进行了系统和深入的研究，特别是在碳纳米管及ZnO纳米阵列的实际应用领域取得了重要突破，其代表性成果包括： 1.改进了ZnO和掺杂ZnO一维纳米材料的制备方法。采用化学气相沉积法，在较低温条件下，通过不同工艺成功制备了纯ZnO及In、Mn、Sn等掺杂ZnO纳米棒、纳米线、纳米带、纳米电缆、纳米阵列、四针状纳米棒、纳米梳、纳米盘等多种形貌结构的纳米材料，实现了一维ZnO纳米材料较低温度条件下形态和尺度控制生长，产物品质纯净、产率高、质量好，易于工业化生产。制备方法受到国际同行的高度评价，认为是半导体制造领域中氧化物纳米结构集成方法的重大进步，不仅对从事纳米材料研究的科学家，而且对半导体产业意义重大。有关双晶ZnO纳米带的论文发表在国际知名期刊Chemical Physics Letters (2003，375：96-101)上，论文被引用60余次，位列该期刊2003至2007年被引用前50名之内。 2.提出了一维氧化锌纳米材料新的生长机理。首次合成四针状纳米氧化锌材料并揭示了该结构的八面体孪晶核生长的理论模型，该研究结果的论文发表在Chemical Physics Letters (2002,358:83-86)上，被他引更是达到了130 余次。首次发现和论证了一维氧化锌纳米结构中的螺旋位错诱导晶体生长机理，观察到了一维氧化锌纳米材料存在的大量螺旋位错、周期性的位错及生长台阶，发现生长是沿着位错进行，且与其伯格斯矢量的方向一致。 3.原位研究单根ZnO和In-ZnO纳米线的力学行为。利用TEM对单根纳米线加载交变电压使其发生共振，原位测量其本征共振频率，通过计算得出氧化锌纳米线的弯曲模量。氧化锌纳米线可以构建纳米悬臂梁和纳米谐振器，通过氧化锌纳米线构建的纳米秤，测量了黏附在纳米线自由端的纳米颗粒质量。该研究论文发表在英国物理协会的期刊J. Phys.: Condens. Matter( 2006, 18 (15), L179-L184)上，被评为该期刊2006年度的顶级论文(Top paper)，位列其中第九名，是该年度该期刊22篇Top papers研究论文中唯一由中国研究人员完成的成果。 4.合成了多种ZnS准一维纳米材料，并提出了四针状ZnS纳米结构的生长机理，指出其生长过程由立方相形核和六方相孪晶生长机制共同控制。同时率先报道了ZnS四针状纳米材料的光致发光性能，发光波长相对其它ZnS 纳米材料发生蓝移4.8~32.8nm。该研究论文发表在国际著名期刊Nanotechnology (18 (2007) 475603)上，在发表后的第一个季度内，下载量就超过250次，成为该期刊排名前10％的热点文章。 5.碳纳米管及ZnO纳米阵列的实际应用取得了重要突破。采用涂敷和CVD两种方法成功制备了多种大面积碳纳米管阴极，采用水热合成法制备了大面积一维纳米ZnO阵列阴极。首次研究了纳米阴极的强流脉冲发射性能，其中碳纳米管阴极的发射电流密度高达344 A/cm2，ZnO阴极的发射电流密度达到123A/cm2。系列研究成果发表在Carbon、Appl. Phys. Lett.等国际著名期刊上。研制的多种纳米阴极在线性感应加速器上已经得到成功应用，阴极的发射电流强度及发射电子的均匀性远远高于现有的阴极性能指标。 张跃教授有关纳米材料的研究成果获教育部高等学校科学技术奖（自然科学奖）二等奖1项（2006-052），完成专著1部，另合作出版专著1部，发表论文80 余篇（其中SCI 40余篇、EI 近20 篇），重要成果发表在Appl. Phys. Lett.、Carbon、Advan. Funct. Mater.、 J. Physical Chemistry C、Chemical Physics Letters、J. Phys.: Condens. Matter、J. Physics D: Applied Physics、J. Nanosci. Nanotech.等国际知名期刊上，申报12项发明专利（已授权5项）。发表研究论文中的4 篇代表性论文，已被引用300余次，单篇他引超过130次。

利用具有自主知识产权的专利氧化锌晶须（简写为ZnOw）技术，进行军民纳米隐身功能复合材料的开发，研制一种吸收频带宽、重量轻、厚度薄、吸收率高、物理和化学性能好、室外施工、常温固化、使用维修简便、采购和维修费用低等实用性较强的陷身材料，并在适当装备上实测验证其隐身效果。根据国防部门要求，参照国防标准本项目的主要技术经济术指标为：1）隐身值：3mm波段，优于—10dB(隐身值90%以上        8mm波段，优于—5dB(隐身值75%)以上8cm波段，优于—5dB(隐身值75%)以上2）附着力： ≥ 7Mpa3)冲出强度≥50kg.cm4)面密度：≤1.7kg/m2

小试阶段/n自19世纪碱性转炉炼钢法问世以来，碱性耐火材料由于具有优良的高温使用性能及净化钢液的特性而备受关注。与此同时，碱性耐火材料固有的水化特性也直接制约了其工业化生产与使用。受温度、湿度等气候条件影响，目前国内外对碱性耐火材料抗水化性能的评价方法各国/地区均有差异。如何精确、全面地评价碱性耐火材料的抗水化性能则成为衡量碱性耐火材料综合性能的重要参数，也是推动碱性耐火材料发展的关键问题。本发明采用电化学手段，以水化溶液离子浓度为桥梁，建立了碱性耐火材料抗水化性能的新型评价方法，该技术方法简单、周

成果简介： 对于各种颗粒、纤维增强复合材料，目前主要采用大规模的宏观力学实验寻找力学性能变化规律，进而为提高材料力学性能提供支持，实验繁杂，周期长，投入大。采用显微镜原位力学性能测试方法，对复合材料在各种外力作用下的破 坏过程进行细观观测，有助于对填料、纤维的增强效果及其对复合材料力学性能的影响进行研究，进而探寻影响材料力学性能的主要因素，可大大节约开发成本， 提高开发效率。但目前国内所具有的细观力学性能观测条件主要利用带有原位加 载台的扫描电镜技术，该实验系统成本昂贵，国内仅有少数几家科研院所拥

成果以最新ASTM/ISO高分子刮擦测试标准为基础，掌握全套核心技术，通过集成观测手段，形成了一套加载（位移、荷载、速度等）灵活可控、即时在线获取数据（深度、形貌、温度变化、破坏过程等）的高分子材料刮擦仪器和技术。该技术打破了欧美日对该类仪器的垄断地位，开创性地提升高分子刮擦实验的科学性，系统开展高分子材料表面刮擦性能测试、研究，揭示高分子材料表面刮擦破坏规律，为高分子材料表面耐刮擦性能的提高提供技术手段。

本发明公开了一种材料的制备方法及应用该方法提高镁合金抗蠕变性能的方法。将第一基体与第二基体相结合使第一凸起嵌入对应的第二凹槽、第二凸起嵌入对应的第一凹槽,确保在第一凸起与第二凹槽之间形成的空腔以及第二凸起与第一凹槽之间形成的空腔内填充改性粉末；对相结合的第一基体与第二基体进行搅拌摩擦加工，使第一基体、第二基体以及位于空腔中的改性粉末融合为一体并转化为最终材料。该方法生产效率高且所得材料中各物相分布均匀。应用时，所述第一基体和第二基体为镁合金基体，改性粉末与镁合金基体融为一体并且转化为均匀分散于融合后的镁合金基体中的强化相，从而显著提升镁合金的抗蠕变性能。

传统的空穴传输材料——以Spiro-OMeTAD为代表的芳胺类化合物由于其结构多样性、易于调节的前线轨道能级、较好的成膜能力和高的热稳定性与形态稳定性，在多个技术领域也受到了极大的关注。 氮原子的易氧化和有效传输正电荷的能力，使芳胺基团成为强电子给体。然而，由于芳胺的非平面构象及核心氮与芳基之间的扭曲，芳胺化合物大部分是无定形的。这降低了芳胺化合物的电荷载流子迁移率，并导致芳胺化合物需