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高性能的铈锆固溶体材料及其合成工艺
铈锆固溶体(CeO2-ZrO2)是汽油车尾气催化剂的核心催化材料,为使催化剂快速起燃,目前催化剂被越来越多地安装在紧靠发动机排气口(密耦或歧管)位置,这就使催化剂床层温度可达1000 oC以上,这对催化材料的BET比表面积等耐高温性能提出了更高的要求。 本项目开发了具备高温稳定性的高性能铈锆储氧材料及其制备工艺。该工艺易于放大,非常适合于储氧材料的工业化生产。我们采用分步的沉积-沉淀法
南京大学 2021-04-14
高性能全光纤微型传感器/激光器
直径为几个微米到几十纳米的微纳光纤具有大的消逝场,高的非线性,低的损耗,易于操作,成本低廉等一系列特点。利用微纳光纤可以制备成具有多种功能的尺寸在1mm以内的微小器件,并且具有与普通光纤一样的输入输出端,插入损耗极低。本项目有两种代表性的器件:1.微型流/气体传感器,体积小,所需被检测物的量也极小,十分适合用于检测有毒有害气体液体,另外该种传感器也可以用于检测振动等;2.全光纤的微型分布反馈式激光器,器件成本极其低,效率高,体积小于100umX1mm
南京大学 2021-04-14
生物医药高性能并行计算及创新应用平台
生物医药的发展遇到计算性能达不到规模要求的瓶颈,该项目选择以生物医药学相关算法的高性能并行计算为目标,利用高性能并行计算系统,对生物医药进行了深入的研究。利用现代生物及化学信息学手段开展了抗病毒药物的设计工作,其中包括SARS,HIV以及广谱药物的研究。拥有自主开发的于模代数理论的快速大规模多重比对算法SMA。在计算机药物设计方面,开发了DDS—SIM模块中具有自主知识产权的算法,并拥有一套小分子和已有药物化合物的结构和生物特性的化学数据库。 创新点: 1.利用高性能并
南开大学 2021-04-14
基于国密标准的高性能IPSec VPN 服务器
“基于国密标准的高性能IPSec VPN 服务器”依据国家密码管理局制定的《IPSec VPN 技术规范》,在网关之间进行IKE协商,从而建立起使用国密密码套件保护的VPN安全通道。 用网络带宽,构建高速传输的VPN安全网络系统。 达到的技术指标: 1.支持国家密码标准的加密算法SM1、SM2、SM3和SM4;2.千兆网络环境下最高加密传输速率可达450Mbps;
西安电子科技大学 2021-04-14
高性能钒液流电池隔膜及其制备技术与应用
利用辐射技术研制电池的离子交换隔膜,最早从日本原子能研究所开始,出发点是代替Nafion的工艺,制备性价比更高的膜材料。电离辐射技术,特别是基于电子加速器的电子束辐射加工技术,不使用催化剂/引发剂,室温操作,高效快速, 适合大量生产。目前辐射加工技术已广泛应用于各种工业材料的生产,如电线、电缆、轮胎、发泡材料、热收缩材料等行业。本项目是在早期辐射接枝技术制备离子交换膜的基础上,在工艺体系中使用功能化离子液体代替含有阴阳离子一般离子交换功能基团,成功制备出具有更高耐热、化学稳定性、良好导电性、极为优异抗钒离子渗漏的两性离子交换膜(HUST-IL膜),并且在钒液流电池中的实际电池测试实验中电池效率优于Nafion系列膜。需要特别指出的是,本项目在制备工艺方面取得了重要突破,不需要一般阳离子交换膜中的磺化工艺,非常环保,并且在工艺上成功发展出替代传统固液接枝反应的工艺体系,避免了接枝反应的复杂工艺和质量控制问题;本项目的工艺技术,使电池隔膜的辐射制备工艺从传统的辐射接枝转变为辐射交联工艺,通过铺膜和固体膜辐照即可完成制备,与现有电线电缆片材的辐射交联工艺通用,工艺简单,极易量产和推广。 【技术优势】 (1) 本项目所得到的HUST-IL隔膜产品,其钒离子渗透率比Nafion膜(Nafion115,117)降低约1200倍,导电率提高3倍以上,电池效率实现了对Nafion膜的超越; (2) 在制备工艺方面的重要突破:不需要一般阳离子交换膜中的磺化工艺,非常环保,并且在工艺上成功发展出替代传统固液接枝反应的工艺体系,避免了接枝反应的复杂工艺和质量控制问题; (3) 本项目电池隔膜的辐射制备工艺从传统的辐射接枝转变为辐射交联工艺,通过铺膜和固体膜辐照即可完成制备,与现有电线电缆片材的辐射交联工艺通用,工艺简单,极易量产和推广。 【技术指标】 HUST-IL隔膜产品:钒离子渗透率比Nafion膜(Nafion115,117)降低约1200倍,导电率提高3倍以上,电池效率实现了对Nafion膜的超越。
华中科技大学 2023-07-19
高性能脉冲压缩光栅和合束光栅研发及应用
光栅尺寸在国际上居于领先地位,最大达到了 1400mm, 远超对手的 940mm;研制了一系列国内首台(套)具有自主知识产权的米量级光栅研制工艺关键设备;在国际上首创了曝光拼接方法,实现了利用小口径曝光系统,制作出了远 大于曝光系统口径的光栅;掌握了脉冲压缩光栅设计、工 艺容差分析和工艺过程控制技术,通过对曝光监测、显影监测和刻蚀监测来保证光栅制作工艺的稳定性,保证了光栅制作质量;首次对大口径高阈值光栅采用了综合清洗技术处理,提高了光栅的衍射效率和抗激光损伤阈值。 
中国科学技术大学 2023-05-25
西安交大等研发出高性能合金设计机制与材料
当金属材料内部的晶粒尺寸减小至纳米尺度,材料的强度将依Hall-Petch关系大幅度提高。但当纳米晶金属塑性变形时,位错变得极难在如此小的晶粒内部保留下来,导致材料丧失应变硬化能力,很容易发生塑性变形局域化而失稳。
西安交通大学 2022-05-27
高性能Al2O3弥散强化铜合金
根据强化手段的不同,高强化铜合金可分为两类: 沉淀强化铜合金和弥散强化铜合金。沉淀强化铜合金是利用过饱和固溶体的脱溶沉淀,通过时效热处理,达到强化效果。但沉淀析出相在高温下会聚集长大或重新固溶于基体中,随着强化相的消失,沉淀强化作用也随之消失,从而限制了这类铜合金的使用温度和应用范围。目前被大量使用的铬锆铜合金就属于这一类,其表现为导电、导热性损失较大,软化温度低(仅为500℃) 等。因此,铬锆铜合金在做点焊电极材料使用时经常出现变形、粘附、使用寿命不长及熔敷现象,频繁的整修和更换电极严重影响了工作效率的提高。弥散强化铜合金则是通过在金属基体中引入高度分散的热稳定性强的第二相质点,阻碍位错运动,以达到提高强度的目的。而Al2O3粒子硬度高,热力学和化学稳定性高,熔点高,在接近铜基体熔点的温度下也不会明显粗化,可以有效提高合金的高温强度和硬度。因此,Al2O3弥散强化铜合金可以用在电阻焊电极、集成电路引线框架、微波管结构导电材料、高速列车架空导线、热核实验反应堆、连铸结晶器等方面。本研究开发的Al2O3弥散强化铜合金在保证传统工艺内氧化、还原彻底性和烧结致密性的前提下简化了工艺过程降低了生产成本。
上海理工大学 2021-04-13
超临界流体发泡制备高性能聚合物泡沫材料
相较于传统聚合物发泡所用化学发泡剂和氟利昂类、烷烃类等物理发泡剂,采用超临界CO 2 或N 2 作为发泡剂,不仅气体原料来源丰富,价格便宜和环境友好,符合日益严格的环保要求,而且所得到的泡孔尺寸更小,孔密度更大且泡孔形态更容易控制,生产过程安全性也大大提高。 自主研发了超临界CO 2 挤出和模压发泡技术,包括超临界流体恒流进气系统和装备,以及适于超临界CO 2 发泡过程的双阶、单阶挤出发泡和模压发泡系统和装备,并可基于CO2 和聚合物的相互作用快速确定优化的发泡工艺。采用超临界CO2 挤出发泡技术制备了泡孔尺寸0.5~1 mm,发泡倍率5~20倍的聚酯PET、聚苯乙烯PS、聚丙烯PP、聚乳酸PLA和聚乙烯PE等发泡棒材。采用超临界CO 2 模压发泡技术制备了泡孔尺寸1~50 μm,发泡倍率5~20倍的发泡片材。另外采用Mucell超临界流体注塑成型制备了泡孔尺寸1~100 μm、较实体材料减重5~30%而力学性能不损失的多种聚合物的微孔发泡材料,包括聚丙烯PP、聚苯乙烯PS、聚酯PET、聚醚砜PES、聚砜PSF以及复合材料等。
华东理工大学 2021-04-13
高性能大动态范围 CMOS 图像传感器的研发
成果与项目的背景及主要用途:该项目是天津市科技发展计划项目,通过了科委组织的专家验收。项目组采用自顶向下的设计方法,完成了 CMOS 图像传感器 1024×768 像素阵列的版图设计,通过了仿真验证,结果达到了设计要求。在 Chartered 公司0.35um 工艺线上成功试制了关键模块和小规模完整的 CMOS 图像传感器样片。样片工作正常,能够正确的拍摄运动物体,各项指标均满足设计要求。 背景:CMOS 图像传感器是当前已广泛用于民用、工业、科技和国防领域的各类图像摄取系统,近年来民用电子产品领域发展迅猛,如照相手机、PC 机、像机等。该成果主要用于图像摄取系统的核心部件—CMOS 图像传感器设计中。 技术原理与工艺流程简介:CMOS 图像传感器利用成熟的 CMOS 工艺制作光敏像素单元,因此可以把光电接收器和信号处理电路集成在单个芯片上。 主要设计内容包括:像素阵列、消噪放大电路、模数转换器、时序控制电路和测试系统设计。采用自顶向下的设计方法,首先根据功能要求对系统进行架构设计,将系统分为时序控制电路部分(数字电路实现)和从像素阵列到 AD 转换的信号处理部分(模拟电路实现)。版图设计完成后,导出 GDSII 文件,在新加坡 Chartered 公司 0.35um 工艺线进行流片,然后进行封装。根据芯片工作对外界的要求设计 PCB电路板,搭建测试系统,对芯片功能和各项电学指标进行测试分析。  技术水平及专利与获奖情况:技术水平属国内先进。 应用前景分析及效益预测:该项目取得了 CMOS 图像传感器的核心设计技术,可用于各种CMOS图像传感器设计中,中国CMOS图像传感器市场需求庞大,年复合成长率达到 60%,因此有着广阔的应用前景。目前国外同类产品的销售价格远远高于芯片的开发成本,因此存在很大的利润空间,将产生很好的经济效益。功能上可完全兼容、并替代进,通过合作根据市场需求,随时调整产品种类和指标,使经济效益最大化。 应用领域:CMOS 图像传感器广泛应用于消费类、工业和科技等各个领域。 民用领域:拍照手机、数码相机、可视门镜、摄像机、汽车防盗等;工业领域:生产监控、安全监控等。
天津大学 2021-04-11
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