|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
高性能耐热镁合金材料
通过在 Mg-Zn 合金中添加 Er 等元素，调控获得了耐热性能优于 AE42 的高性能镁合金；新型含稀土耐热镁合金在 175℃ /70 MPa 条件下，合金 100 小时总蠕变量小于 0.12％，稳态蠕变速率不高于3×10-9 s-1 。同时，Mg-Zn-Er 合金还具有优良的铸造性能和阻燃性能。
北京工业大学
2021-04-13
高性能锂氟电池生产技术
和传统电池相比，锂氟电池以电压稳定、适应温度广和体积轻等优点被运用在极端工作条件下，如植入式医疗器械供电设备、汽车报警器、轮胎测试器、工业控制主板，智能电子标签和紧急疏散设备电源系统等。氟化碳纳米管作为锂氟电池的阴极材料，以良好的机械、光电、热稳定以及生物兼容性受到电池材料行业的广泛关注，它的可控制备是锂氟电池制造中的关键技术所在。这项技术作为高能电池储备项目，技术附加值极高，具有良好的应用前景和投资价值。 目前，氟化纳米碳管的合成技术可以满足大规模工业化生产的需求，相关生产技术难点均已得到有效解决。该项技术已经成功运用在美国Contour Energy System能源公司，使它成为世界上首家可以批量生产用于高性能锂氟电池电极材料的公司。此项技术成熟度高，投资风险小，可持续性强。
北京航空航天大学
2021-04-13
高性能n-型有机半导体
在梯形双噻吩酰亚胺小分子的基础上，设计并成功合成了一系列具有半梯形结构的全受体类型均聚物PBTIn（n = 1-5），并深入研究了这些材料的构性关系。实验表明，均聚物的聚合方法选择至关重要，通过Stille和Yamamoto偶联方法对比发现，Stille聚合能够得到高分子量、低缺陷态、高性能的高分子半导体；采用全受体结构能够有效拉低前沿轨道能级，基于这些均聚物材料的有机薄膜晶体管都表现出良好的单极性n-型性能，晶体管器件的关电流仅为10 −9 -10 −10 A，电流开关比高达10 6 ；晶体管迁移率性能与构建单元长度反向关联，PBTI1的最高电子迁移率为3.71 cm 2 V -1 s -1 ，该迁移率是全受体均聚物材料中的最高纪录，比PBTI5的电子迁移率高出两个数量级。 通过深入表征发现，这一系列全受体类型均聚物表现出来的晶体管迁移率趋势与其半导体薄膜结构有序度直接相关。拉曼光谱表明，梯形构建单元共轭长度的增加带来较大的单体间扭转角，影响聚合物骨架的平面性。同步辐射X射线衍射表明，梯形构建单元的增长使得聚合物薄膜中π-π堆积方向的结晶性降低，不利于电子的分子间传输。这些结果表示，较长的单体结构会对聚合物薄膜形貌和载流子传输造成负面影响，因此发展更长的梯形构建单元对全受体类型均聚物迁移率的提升不会带来帮助。该研究表明全受体结构是实现高性能单极性n-型聚合物材料的有效途径，同时为n-型梯形小分子和聚合物的结构设计和发展提供重要参考依据。
南方科技大学
2021-04-13
高性能水性环氧固化剂
北京工业大学
2021-04-14
高性能纳米沥青的开发与研究
北京工业大学
2021-04-14
高性能自发荧光断层成像重建方法
北京工业大学
2021-04-14
生产高性能铝材的联合新技术
以传统铝合金为基体，高温熔炼时引入微纳尺度的增强粒子，通过强化基体，制备出微纳粒子强化铝基复合材料；并在熔炼过程中选择性施加电场、磁场、超声场等物理场，制备的材料具有粒子生成效率高、产量大和高弥散分布的特征；进一步在复合磁场下进行连续铸造成型，铸态材料具有致密度高、晶粒细小、粒子弥散、组织差异小的特征。根据铝合金组分含量差异进行差异性后处理：对于铸造铝合金，比如 ZL101 等，按照固溶时效制度处理后进入低温时效循环处理；对于变形铝合金，比如六系列和七系列铝合金，铸造成型后要进行均质处
江苏大学
2021-04-14
高性能压电材料制备技术及其应用
内容介绍： 本项目在研究压电材料各向异性和微结构相图基础上，针对钙钛矿结 构压电陶瓷和有机压电聚合物，釆用独特工艺，制备了高性能低成本压 电陶瓷，实现了新型陶瓷成分设计、微结构表征和性能优化；结合第一 性原理密度泛函方法，建立了高性能有机压电聚合物的组织设计、结构 调控、性能分析的理论和准则。
西北工业大学
2021-04-14
绿色环保、高性能复合结构材料
采用生态环保、高性能纤维复合结构材料，来代替传统的资源型、高能耗的水泥、钢材，建造工程结构构件，具有轻质高强、生态环保、可设计性好、耐久等特点，是绿色建材的重要研究方向工程复合木结构： 采用杨木等速生树种为主要原料，通过高性能的环保
南京工业大学
2021-04-14
高性能红外光电探测器件
红外光电探测器在国防军事方面有重要的应用前景，比如红外制导、红外追踪、夜视仪等等。目前国外使用的主流红外光电探测器是基于碲镉汞的制冷型探测器和氧化钒/非晶硅的非制冷型探测器。对于碲镉汞探测器来说，一方面在高质量的材料生长上存在很大的挑战；另一方面它需要辅助制冷装置来提供 77 K 的低温环境，极大地限制了其便携性和广泛使用性。而基于氧化钒/非晶硅的非制冷型探测器由于其热辐射引发电阻变化的机制极大地限制了探测率（小于 10
南京大学
2021-04-14