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一种温致透光率可逆变化材料
房屋的冬暖夏凉是人类自古以来追求的梦想,本发明提供一种可以使建筑物窗户透 光率温致可逆变化的材料。该材料在低温时为无色透明液体,在高温时可转变为白色不 透明液体,且温度在转变温度上下变化时,该液体在无色透明和白色不透明状态之间可 逆变化。 本发明材料可用于建筑窗户、温室暖棚、车船飞机等方面。冬季在建筑上与选择性 吸收材料配合使用,可在不影响其冬季制热的同时,在夏季可使过热现象大大缓解,从 而使该组合材料成为寒冷地区用智能调温材料,适合创造建筑热舒适环境,具有节约矿 物能源、减少环境污染的作用,具有较大的经济和社会效益。 
同济大学 2021-04-11
超高迁移率二维半导体BOX
首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体(硒氧化铋,Bi2O2Se),在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。彭海琳课题组基于前期对拓扑绝缘体(Bi2Se3,Bi2Te3)等二维量子材料的系统研究,提出用轻元素部分取代拓扑绝缘体中的重元素,以降低重元素的自旋-轨道耦合等相对论效应,进而调控其能带结构,消除金属性拓扑表面态,获得高迁移率二维半导体。经过材料的理性设计和数年的实验探索,发现了一类全新的超高迁移率半导体型层状氧化物材料Bi2O2Se,并利用化学气相沉积(CVD)法制备了高稳定性的二维Bi2O2Se晶体。基于理论计算和电学输运实验测量,证明Bi2O2Se材料具有合适带隙(~0.8 eV)、极小的电子有效质量(~0.14 m0)和超高的电子迁移率。系统的输运测量表明:CVD制备的Bi2O2Se二维晶体在未封装时的低温霍尔迁移率可高于20000 cm2/V·s,展示了显著的SdH量子振荡行为;标准的Bi2O2Se顶栅场效应晶体管展现了很高的室温表观场效应迁移率(~2000 cm2/V·s)和霍尔迁移率(~450 cm2/V·s)、很大的电流开关比(>106)以及理想的器件亚阈值摆幅(~65 mV/dec)。二维Bi2O2Se这些优异性能和综合指标已经超过了已有的一维和二维材料体系。Bi2O2Se这种高迁移率半导体特性还可能拓展到其他铋氧硫族材料(BOX:Bi2O2S、Bi2O2Se、Bi2O2Te)。
北京大学 2021-04-11
高分辨率系列拉曼光谱仪
高分辨率系列拉曼光谱仪包括手持式拉曼光谱仪、便携式拉曼光谱仪、显微拉曼光谱仪。手持式拉曼光谱仪有专用于药品等原材料真伪鉴别的手持式拉曼真伪鉴别仪、专用于危险化学品、毒品等违禁物检测的手持式拉曼安检仪。便携式拉曼光谱仪与显微拉曼光谱仪采用了模块化设计,包含多种激发波长与光谱分辨率的多种型号。这些拉曼光谱仪能够广泛用于药物成份分析、农作物农药残留检测、宝石的鉴定与识别、原辅料的鉴定及判别、细胞/病毒检测、生命科学、材料科学研究等领域。
上海理工大学 2023-05-15
基于区域变化率的遥感影像接缝线优化方法
本发明提供一种基于区域变化率的遥感影像接缝线优化方法,包括步骤:计算待优化接缝线涉及的 左、右数字正射影像间重叠区域像素的差值矩阵;分别对待优化接缝线涉及的左、右数字正射影像的重 叠区域进行影像分割,并获得各分割区域的变化率;根据各分割区域的变化率确定待优化接缝线的优选 区域,并根据确定的待优化接缝线的优选区域优化重叠区域像素的差值矩阵;根据优化后的重叠区域像 素的差值矩阵以及待优化接缝线的起点和终点,对待优化接缝线进行优化。本发明适用于数字正
武汉大学 2021-04-14
超高分辨率(0.0001牛顿)测力天平
湍流边界层中的壁面摩擦阻力是湍流边界层研究中的重要参数。然而,由于其量级极小,一般只有10-3到10-4N,因而在实验中对其精确测量具有极大挑战。目前尚未有成熟的商用仪器能够直接测量如此小的壁面摩擦阻力。 本课题组所研发的超高灵敏度测力天平基于杠杆原理,作用于浮动平板上的壁面摩擦阻力经过机械放大后,使用高灵敏度力传感器进行采集,其最小可测的10-6N的壁面摩擦阻力。同时,对可能对其测量造成影响的误差来源进行了系统分析,并通过一系列措施杜绝了其对测量造成的影响。此外,由于该测量的壁面摩
哈尔滨工业大学 2021-04-14
超高分辨率图像增强与显示芯片
Ø  成果简介:超分辨率图像重建技术是近年来发展迅速的图像处理新技术,其目的是超越成像传感器、成像和信道的分辨极限,利用所获低分辨率图像,实现高分辨率图像的重建。超高分辨率图像增强与显示芯片项目利用超分辨率图像实时处理技术,实现从一幅或多幅低分辨率视频图像处理获得高分辨率图像,在图像被放大的同时增强图像更多的细节,提高图像的清晰度和分辨率,实现摄像传感器的低分辨率与显示器高分辨率之间的匹配,解决目前图像获取与显示分辨率不匹配的瓶颈问题,在现有图像获取技术的基础上提高显示器的画面质
北京理工大学 2021-04-14
(OHAUS)奥豪斯Starter pH计&电导率仪
产品详细介绍产品描述可靠准确、简便快捷Starter系列pH计与电导率仪秉承百年奥豪斯公司的一贯优异品质,可广泛应用于食品、制药、环保、科研、教育等各领域的实验室或现场测量。此系列产品在功能和设计上都有独特之处,产品质量可靠,测量准确,使用简单,操作快捷。● Starter pH计针对用户最关心的电极状态,通过在液晶屏上显示笑脸、平脸、哭脸以及Err8,来表示经校准判断的电极状态的好坏。● Starter电导率仪都为0.5级产品,自动分档,标配的四环电导电极可测量全量程,不需分段配置多个两环电导电极;操作更简便。● Starter台式表都为白色背光液晶屏,相比蓝色或灰色背光更显清晰,屏幕可显示多种有用的状态信息,丰富实用;更有独立或组合电极支架,让测量更灵活便利。● Starter便携表(手持表)是典型的奥豪斯风格的工业设计,美观大方,按键紧凑,防滑皮纹处理,单手可轻松操作;IP54防水防尘,紧固结实,普通跌落无碍;更有支脚设计,可立可卧,也可用于实验室桌面测量公司名称:北京中创先锋科技有限责任公司地址:北京市海淀区上地信息路22号实创总公司西区1211室邮 编:100085电 话:010-62668351     15300067286   18911671296  传 真:010-82176142电子邮箱:ccpioneer_service@163.com
北京中创先锋科技有限责任公司 2021-08-23
(OHAUS)奥豪斯Starter pH计&电导率仪
产品详细介绍产品描述可靠准确、简便快捷Starter系列pH计与电导率仪秉承百年奥豪斯公司的一贯优异品质,可广泛应用于食品、制药、环保、科研、教育等各领域的实验室或现场测量。此系列产品在功能和设计上都有独特之处,产品质量可靠,测量准确,使用简单,操作快捷。● Starter pH计针对用户最关心的电极状态,通过在液晶屏上显示笑脸、平脸、哭脸以及Err8,来表示经校准判断的电极状态的好坏。● Starter电导率仪都为0.5级产品,自动分档,标配的四环电导电极可测量全量程,不需分段配置多个两环电导电极;操作更简便。● Starter台式表都为白色背光液晶屏,相比蓝色或灰色背光更显清晰,屏幕可显示多种有用的状态信息,丰富实用;更有独立或组合电极支架,让测量更灵活便利。● Starter便携表(手持表)是典型的奥豪斯风格的工业设计,美观大方,按键紧凑,防滑皮纹处理,单手可轻松操作;IP54防水防尘,紧固结实,普通跌落无碍;更有支脚设计,可立可卧,也可用于实验室桌面测量公司名称:北京中创先锋科技有限责任公司地址:北京市海淀区上地信息路22号实创总公司西区1211室邮 编:100085电 话:010-62668351     15300067286   18911671296  传 真:010-82176142电子邮箱:ccpioneer_service@163.com
北京中创先锋科技有限责任公司 2021-08-23
德国SITA泡沫机/泡沫含水率测试仪
产品详细介绍 SITA泡沫仪R-2000独有的泡沫发生桨叶和平泡沫体积系统,能够准确进行发泡测试、泡沫稳定性测试是一款多功能的泡沫测试仪器,同时也是全世界能用于实验室测试的质量控制的泡沫仪,为用户提供了自动化测试并分析水溶液泡沫的形成和消退。TEL:400 6808 138   SITA泡沫仪用途:   SITA泡沫仪是一款测定泡沫性能的仪器,能够准确、自动的对表面活性的水性溶液如个人护理产品、肥皂和去污剂的泡沫特性测试。通过泡沫仪本身的独有的转子系统能够产生泡沫,并进行测试。目前SITA泡沫仪被广泛的应用于日用品及洗涤行业中的泡沫性能检测、泡沫的稳定性测试。   根据不同的测试需要,SITA泡沫测试仪可以对泡沫特性、泡沫的稳定性、泡沫的高度进行测试,分析泡沫的形成过程以及温度对于泡沫形成的影响,为配方优化及工艺改进提供大量可靠的数据。   特点特征:   产品规格:   △电压100-240伏,50-60Hz   △功率:150W   △安全级别:IP42   △自来水进水压力:2-4bar   △操作温度:10-40摄氏度   △仪器尺寸:280*400*700mm (W*D*H)   △重量:18公斤   产品图片展示:
佛山市翁开尔贸易有限公司 2021-08-23
送炭蜂——水稻废弃物高值化就地利用首创者
本技术基于物料多样性的可调控自适应流态化快速热解制备生物炭技术,提高转化效率与速率。发明了多相燃料脉动燃烧循环利用供热的快速热解技术。我们研发出移动式集成化快速热解装备。该装置以专项作业车为载体,实现了稻壳等水稻废弃物的就地回收。技术已实现将碳排放量减少 87%,研究成果总体技术达到了国际先进水平。装置可实现二氧化碳的长期封存,将水稻废弃物变废为宝,循环产出高附加值化学品。
天津科技大学 2024-11-07
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