产品详细介绍  氧化锆坩埚纯度达到99.9,密度为6.00,最高使用温度为2200度,主要运用在熔炼贵金属,抗热稳定性能良好。 主要用途 熔化贵稀金属。氧化锆坩埚,高温稳定性好, 是理想的实验高温耐火制品。 货期20-30天内发货 ！ 二氧化锆的熔点比锆高，达2700℃，是自然界中耐火性能最好的材料之一。它的导热性能差，但导电能力很强，沆蚀能力也很强，即使加热到1900多摄氏度也不会跟熔融的铝、铁、镍、铂等金属、硅酸盐和酸性炉渣发生作用。因而可以用它来制造熔炼贵金属的坩埚、耐火管、耐热玻璃和耐热搪瓷等。在搪瓷和玻璃中加入二氧化锆可以使它们增强抵抗酸、碱腐蚀的能力。用二氧化锆衬砌的高温炉，受热后体积不会增大很多，温度变化对它影响很小，炉体不致因热胀冷缩而产生裂缝，可以大大延长炉子的寿命。用二氧化锆作耐火材料，加进5％的氧化钙作稳定剂，它的耐热温度比氧化铝高500度，绝热能力比添加以前提高三倍。把白色的二氧化锆掺进陶瓷，能使陶瓷更洁白光亮、更耐热，强度也有所增加，用这种陶瓷制造高温绝缘瓷瓶，绝缘能力很强，膨胀系数很小。 备：可根据用户需求定制各种非标异型氧化锆坩埚！

产品详细介绍高纯氧化镁坩埚

无色透明液体，分子量：118.13，密度0.97g/cm3，沸点126.8℃,熔点-43℃，是一种性能优良的溶剂及纺织助剂，广泛用于有机合成的乙基化剂、羰基化剂、羰基乙氧基化剂，用作硝化纤维素、纤维素醚、合成树酯和天然树脂的溶剂。在纺织印染方面，碳酯二乙酯可使染色分布均匀，提高日晒褪色性能：溶剂方面是聚酰胺、聚丙烯腈、双酚树脂等良好溶剂，在合成纤维工业中可改善织物的手感，改进抗皱性能；在油漆工业上用作脱漆溶剂；在塑料加工中作为增塑剂的溶剂或直接作为增塑剂使用；在电容电池、锂电池工业上用作配制电解液；在医药方面作为松油膏的基础成分、合成中间体苯巴比妥等，有着广泛的市场开发前景。

成果描述：本发明公开了一种柴油机微粒捕集器DPF碳累积量估计方法，通过压差传感器测得DPF前后总压力差，根据DPF前后总压力差和废气体积流量得到DPF的总流阻，根据灰分质量和废气体积流量得到DPF残余碳产生的流阻，总流阻减去白载体流阻及残余碳产生的流阻即可得到积碳所产生的流阻，根据积碳产生的流阻与废气体积流量即可得到碳积累量；所述灰分质量通过废气质量流量和发动机转速经过积分计算得到。本发明提出了碳积累量增量估计方法，可以基于当前总流阻、当前灰分质量和当前废气体积流量计算出碳积累量的增量，然后得到当前的碳积累量。本发明方法得到的DPF碳累积量估计精度更高，而且避免了使用现有估计方法中物理意义不明确的参数，估计过程更加快速精确，从而大大提高了判断DPF再生时机的准确性。市场前景分析：内燃机技术领域。与同类成果相比的优势分析：技术先进，性价比较高。

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。