产品详细介绍 电子罗盘KVH-C100 电子罗盘KVH-C100简介：电子罗盘KVH-C100具有体积小、价格低、性能稳定可靠等特点，专为工业和军事上的使用而设计，采用磁通门技术，航向精度可达到0.5°以内，通过其数字接口，可提供地球磁场X、Y轴的水平分量。电子罗盘本身采用铝壳封装，工作温度达-40-+65°，电子罗盘内置的自动校准软件，可提供对磁场变化而引起的误差的修正。高技术的设计，多年丰富的军工生产经验，使C100电子罗盘不仅在实验室里达到所述的技术指标，而在最终用户产品里也同样如此。可以不夸张地说：C100电子罗盘是目前世界上最先进的电子罗盘。  虽然GPS在导航、定位、测速、定向测量等方面有着极其广泛的应用，但由于其信号常被高楼、高山、峡谷、树冠等物体所遮挡，其信号可用性仅为60% ，加之美国出于自身利益上的考虑，从不承诺不实施SA干扰和区域关闭， 这更给GPS用户带来很大疑惑和担心。因此，将GPS与电子罗盘相结合，二者相互补充，组合使用是导航领域的理想选择。在美国，虽然其完全独立掌握GPS的卫星资源，但为了使系统更加可靠，使导航信息100%有效，M1坦克及其它一些重要装备上仍加装了电子罗盘。 电子罗盘KVH-C100技术参数:

产品详细介绍折叠生活多媒体电子课桌—聪明的电脑桌、机房电脑桌的革命    折叠生活最新设计产品，是为一体化电子机房所设计。此产品设计独特，环保清洁，而且落落大方，定能给您的机房带来全新感受。产品特点：一、折叠生活的多媒体课桌号称“聪明的电脑桌”，即在拉出键盘的时候，液晶显示器自动翻转过来。合上显示器的时候，键盘自动回缩到桌面下部。这样做的好处是：1、抛弃了传统的“升降机”模式，大大降低了拥有成本和维护成本，增强了产品的安全性；2、老师和学生之间没有显示器阻隔，教学效果更好；3、多媒体模式和非多媒体模式切换快速，没有噪音。4、释放了大量的桌面底部空间，舒适感增加。如图：二、主机托架可挂在桌面下面，可以轻松摘下。如图：    下面我看看安装后的效果图（均为在机房拍摄），每个教师提供一个讲台桌，可以选择以下几种：    另外，我们可以根据客户的具体要求，提供具体方案，下图为模拟教室方案：     此注：此款产品可以按照您的需求进行定制，根据您的需求来生产。以下颜色您可以进行选择：

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本发明提供一种简单的酸处理方法以改善传统蒸镀型电子传输材料的醇/水溶性和界面修饰特性。传 统的蒸镀型含氮杂环类电子传输材料在醇类或水溶液当中的溶解性一般较差，不适合于制备全溶液加工 的有机电致发光器件。采用简单的酸处理方法将含氮芳杂环质子化进而改善其醇/水溶性，同时这些质子 化后的含氮盐具有良好的界面修饰特性。将这些含氮盐用作电子注入/传输层而应用于溶液加工法制备的 有机电致发光器件当中不仅能够显著提升器件的效率、减缓器件效率衰减，而且还能够简

产品详细介绍本公司专业生产电工电子实验室设备,电工实验室设备,电子实验室设备

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。

本发明涉及一种半导体发光与显示器件的制备方法，具体地说，是涉及一种基于紫外光激发的白光发射器件及其制备方法，属光电集成技术领域。该制备方法包括如下步骤：清洗硅片、在清洗后的硅片上制备多孔硅、在多孔硅上沉积氮化铝薄膜、用紫外光照射氮化铝薄膜，得到在可见光区发光的白光发射器件。 技术推广意向：半导体发光与显示领域技术创新：本发明具有如下的有益效果：器件结构简单，无污染，制备成本低；不需要荧光粉，发光效率高；发光性能稳定，光谱波长范围宽。