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易班大学
易班大学，是服务于大学生职前教育的MOOC平台。开展职业形象管理、职业生涯发展、职业素养提升与领导力培训等课程，我们通过与企业合作，让你的学习像在企业实习一般，提前与行业接轨。
上海易班企业发展有限公司
2021-02-09
大学先修课
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经典领读! 各校名师导读，助力语文高考自信领跑
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CAP 考试! 选择以下课程，获得课程证书，即可报名参加中国教育学会举办的CAP试点项目考试并获取成绩单
高等教育出版社有限公司
2021-02-09
中国高等教育学会领导赴吉林大学调研交流
2024年12月24日，中国高等教育学会副会长李家俊一行到吉林大学研讨交流，围绕贯彻落实全国教育大会精神和《教育强国建设规划纲要（2024-2035年）》，服务东北振兴战略，承办第63届中国高等教育博览会进行调研。
吉林大学网站
2024-12-25
中国高等教育学会领导赴浙江大学调研交流
2025年2月21日，中国高等教育学会副会长李家俊一行到浙江大学调研交流。学会副会长、浙江大学党委书记任少波出席座谈会。学会副秘书长吴英策、吉林省教育厅一级巡视员陈希哲、长春市教育局局长崔国涛、浙江大学有关单位负责人等参加活动。座谈会由浙江大学党委副书记朱慧主持。
中国高等教育博览会
2025-02-25
关于举办第四届全国高校教师教学创新大赛产教融合赛道全国赛的通知
根据《关于举办第四届全国高校教师教学创新大赛产教融合赛道赛事的通知》（高学会〔2024〕7号）要求，第四届全国高校教师教学创新大赛产教融合赛道（以下简称大赛）全国现场赛定于2024年11月11-14日在重庆邮电大学举办，同期举办相关学术活动。
中国高等教育学会
2024-10-22
【央视网】一大批高校最新科技创新成果亮相第63届高博会
第63届高等教育博览会5月23日到25日在吉林长春举行，吸引了全国6000多家高校、科研机构和企业携前沿科技成果参展、参会，为各方搭建人才供需对接和科技成果交易合作平台。
央视网
2025-05-26
专家报告荟萃㉞ | 四川师范大学原校长汪明义：基于人类命运共同体视野的大学新文科 通识教育研究
大家知道我们作为知识分子，古代的知识分子要“为天地立心，为生民立命，为往圣继绝学，为万世开太平”。当今的知识分子，习近平总书记要求我们“以时代之潮头，通古今之变化，发思想之先声”，新文科正好在这样一个领域跨行新时代知识分子，尤其是社会科学界的知识分子的使命，所以我今天的报告主题是：基于人类命运共同体视野的大学新文科通识教育研究。
中国高等教育博览会
2025-02-26
大型电力变压器局部放电缺陷的测量与诊断技术
该成果提出了变压器局部放电检测的系统的、全面的外部干扰排除方法；提出了变压器局部放电超宽带天线阵列定位新技术；提出了变压器内部局部放电缺陷严重程度的特征参数，进而提出了局部放电缺陷的类型和严重程度的诊断方法，并且设计并实现了相应的自动诊断软件。 研究成果通过了实验室试验验证，并在上海市电力检修公司和福建省十余座变电站得到应用。该成果抗干扰技术的在线检测结果的准确性与过去相比提高了3倍，准确率提高到95%；定位技术误差一般不超过30cm；总体运算时间在秒级，Y型优化阵列准确定位区域比现有的矩形阵列大18倍。 该成果在局部放电缺陷严重程度的诊断方法和预警预测方法方面填补了国内外空白，对放电类型的严重程度识别的准确度达到了93.3%以上。授权发明专利3项，发表SCI、EI论文14篇，并获得2012年福建省科学技术奖三等奖。
华北电力大学
2021-02-01
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学
2021-04-10